1、脹並(辬琀堀簀琀讀缁H缀窚椀攃攃攃鼄倀缀瀀瀀琀瀀瀀琀搀攀昀搀愀戀最椀昀倀缀瀀瀀琀瀀瀀琀尀尀挀昀搀昀搀昀愀搀昀愀昀攀搀焀瀀伀稀嘀欀甀礀猀挀戀焀稀樀刀娀砀戀渀堀搀最愀嘀瘀刀氀最樀爀稀礀搀欀眀甀倀缀瀀瀀琀倀缀瀀瀀琀捎昀愀攀昀愀攀愀搀昀攀搀戀栀H稀倀倀吀蜀捥渀昀猀洀匀瘀刀砀圀爀爀挀焀一栀昀爀堀琀稀稀欀夀洀焀甀洀唀瀀漀渀伀娀堀欀爀琀最搀昀氀甀吀洀倀缀奵倀桒萀匀攀氀昀挀漀渀昀椀最甀爀愀琀椀漀渀髿萀峿倀倀萀倀匀礀猀琀攀洀倀桒萀倀桒葧倀倀阀缙6胔-oi縀$荽mpls详解ppt课件.ppte1ed392626c648cc837c576ff1dc1245.gifmpls详解ppt课件.ppt2020-1220d2
2、b17826-bb06-4f50-b5bc-a6ee9dca1660HK6fD5eFdtfKgg1Qq+I6mB9DXyytNXtHt0ZqgEQoSFMFqfz8qw57SQ=mpls,详解,ppt,课件0511ae4e1775a1cb316ca6c319506349顺达0000400004PPT文档20201220231925980257FQgjOiWgqUxZHEJJDZJDYigsC3l2yI6xebuVJ1XpH9k9Px7+6GW1Oq0rY2TSRQFJHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. HUAWEI Confidential Security Level
3、: MPLS基本原理 ISSUE 1.0 HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. HUAWEI Confidential l本课程主要介绍MPLS协议原理以 及标签的转发和分配，最后介绍 LDP标签分发协议。 HUAWEI TECHNOLOGIESM04脹(辬堀讀缁蟂H缀窚椀匂圃圃圃霃鄄伀吀伀堀吀颕羘灦瀀琀瀀瀀琀攀戀挀搀搀愀昀昀攀戀最椀昀伀吀伀堀吀颕羘灦瀀琀瀀瀀琀尀尀攀戀攀愀昀戀愀昀搀昀攀昀愀愀挀倀倀攀渀砀一最刀嘀焀洀刀娀伀搀夀礀砀堀猀嘀搀渀眀氀椀夀圀攀洀愀愀眀伀吀伀堀吀颕缀瀀瀀琀敎愀搀挀愀搀戀挀愀戀攀昀攀攀戀簀a栀E稀倀倀吀蜀捥砀刀最洀匀樀攀堀夀焀椀唀猀焀唀最刀攀昀唀唀洀
4、娀吀最栀昀儀伀焀瘀堀吀颕鼀辀颕呖鼀葧牾齢敓葒慶呖葙湏葒蹵虎葶賿晎鎏牾栀籠呖桦惿籠罓葵其呖腓悉虓葶葨虹阀缔6胔-騀焀i縀$荵MOS场效应管ppt课件.pptdf1d56ea9cc74c329e9fae653335fccd.gifMOS场效应管ppt课件.ppt2020-122006d23c98-31b6-4879-a983-a8453f04d7eeU17llrn/FwvOjmScW7e/eGyz9YAxqaTDmnOs4XuLCkrfone+cdmQag=MOS,场效应,ppt,课件5882701612eaca21cc6d8892810b6c0c刍顺达0000400004PPT文档2020122
5、0231920167170+lMyQ1FyJQUvC7Zs6kTTFTXX42gcVdmEuYcAPRFJgZn+7kd4vbCxOmC7R6wq7BuQ3.23.2 结型场效应管结型场效应管 3.33.3 场效管应用原理场效管应用原理 3.13.1 MOSMOS场效应管场效应管 第三章第三章 场效应管场效应管 1 概概 述述 场效应管是另一种具有正向受控作用的半导体器 件。它体积小、工艺简单，器件特性便于控制，是 目前制造大规模集成电路的主要有源器件。 场效应管与三极管主要区别：场效应管与三极管主要区别： 场效应管输入电阻远大于三极管输入电M047脹(辬怀%堀怀讀缁蔢H缀窚欓椀儂夃夃夃餃蜄伀
6、匀吀鼀鼰蝒伀匀癓鑑灵瀀琀瀀瀀琀攀攀愀昀搀挀搀攀最椀昀伀匀吀鼀齴蝒伀匀癓鑑灵瀀琀瀀瀀琀尀尀愀挀攀攀昀戀挀搀昀昀攀昀昀愀栀琀堀儀焀欀砀嘀伀夀漀最圀瀀礀渀伀嘀稀攀刀戀眀伀匀吀鼀鼀蝒伀匀癓鐀瀀瀀琀挀挀挀昀戀攀攀挀昀挀搀挀挀搀栀;稀倀倀吀蜀捥娀栀氀倀欀吀搀刀洀最漀堀椀刀愀栀漀漀樀氀挀匀搀搀昀儀栀椀眀堀唀甀砀吀砀最娀渀儀昀瀀伀匀吀鼀鑎蔀瘀舀瘀鼀瘀一酏瘀鼀蝒伀匀吀瘀鐀舀瘀伀匀吀攀琀愀氀伀砀椀搀攀匀攀洀椀挀漀渀搀甀挀琀漀爀椀攀氀搀昀昀攀挀琀吀爀愀渀猀椀猀琀漀爀庑卛鑥癞卦瘀瘀茀睛腓譧腎葻卶箑絛罔瘀眀鍧斏驺絠霰遢鮀樰乘脹(辬堀讀缁H缀窚椀褂嬃漇漇漇漇漇漇漇漇漇漇漇漇漇漇漇漇缇脉倀倀吀聒灧瀀琀瀀瀀琀戀搀搀昀攀愀愀搀
7、攀戀攀戀最椀昀倀倀吀聒灧瀀琀瀀瀀琀尀尀戀昀攀攀戀搀愀攀攀攀搀匀唀吀爀琀搀匀稀娀欀漀氀堀爀琀渀眀娀甀椀瘀夀倀栀欀琀夀昀昀漀栀眀倀倀吀耀瀀瀀琀愀愀攀昀昀搀搀挀昀昀攀攀倀倀吀聒耀倀倀吀萀倀倀吀萀屝齏倀倀吀萀啶倀倀吀萀倀倀吀倀倀吀螂桥愀砀椀洀甀洀倀漀眀攀爀倀漀椀渀琀吀爀愀挀欀椀渀最蝎N齙蝒倀倀吀萀艶齙蝒f芌坪著尀翿罏鍙蒀恵罬葑墍恵兵蚀葶佶葓豭荳慘倀倀吀萀倀倀吀桒穎芌缀葧屝譵翿羀屝噗礀葾v齙蝒荫溏蒐桒羀齵蝒葳蝵蘀倀倀吀萀屝齏齙蝒葰珿謀豓齔蝒驒卑屝豰葰湏獿盿芌厂屝葰譵翿癏齐蝒恰羀岏齐蝒吀一匀稀倀倀吀蜀捥焀刀椀猀攀琀愀眀猀礀稀昀匀瘀娀夀攀戀瀀娀挀眀瀀瘀昀氀椀猀焀琀匀砀洀愀倀倀吀聒耀倀倀吀萀倀倀吀萀屝齏倀倀吀
8、萀啶倀倀吀萀倀倀吀倀倀吀螂桥愀砀椀洀甀洀倀漀眀攀爀倀漀椀渀琀吀爀愀挀欀椀渀最蝎N齙蝒倀倀吀萀艶齙蝒f芌坪著尀翿罏鍙蒀恵罬葑墍恵阀搀倀6缜6硤胔-囧騀礀i縀$莁MRI磁共振扫描技术ppt课件.pptaa1911d91a8743be947589b0e3522651.gifMRI磁共振扫描技术ppt课件.ppt2020-12203cddc515-43a1-4212-b27b-e07da9aa2f26GDScB2ivMYdlVxREwU6z9hIG+AO8zGjZtUPK6cAu1XOEukpfOGTLWw=MRI,磁共振,扫描,技术,ppt,课件3efc05f396ee6e64c76ca98aeba
9、d5f2e顺达0000400004PPT文档2020122023193099535520yhEvAW0zomogbwmdfe15mFAqZTnC3YDLK5IIUJtnfbgnxttk5map7OhREoO91V1 一、磁共振成像基本原理 二、磁共振常见物质的信号特点 三、病理组织的信号特点 四、中枢神经系统磁共振成像常用序列 五、磁共振图片展示 2 磁共振成像（magnetic resonance imaging ，MRI）是利用原子核在磁场内所产生的信号 经重建成像的一种影像技术 。 纵向弛豫又称T1弛豫，是指90”射频脉冲停 止后纵向磁 化逐渐恢复至平衡的过程，亦就是 M0由XY平面回复
10、M04A脹窼(辬簀堀簀讀缁蜰兌H缀窚椀輂笃甃刀瀀瀀琀瀀瀀琀戀愀戀挀愀攀戀攀愀昀攀搀戀挀最椀昀刀瀀瀀琀瀀瀀琀尀尀愀挀愀搀攀愀戀攀攀戀倀倀匀嘀娀瘀搀栀樀吀氀唀戀爀瘀洀氀栀猀甀砀椀挀儀昀唀瘀搀猀猀爀攀猀圀搀愀最刀瀀瀀琀刀瀀瀀琀挀挀搀昀挀愀攀攀搀挀攀愀愀挀攀唀f栀鬀鰀騀X鴀稀倀倀吀蜀捥渀樀甀甀樀圀爀搀匀氀瘀昀瀀氀刀一漀倀爀椀瀀甀瘀挀氀砀刀瘀瘀儀倀漀伀刀刀刀齸齸刀刀啓膑讉啓膑讉渀渀踀晥轗晙蹛晥轗晙攀氀椀砀氀漀挀栀攀氀椀砀氀漀挀栀谀孔晙豛孔晙萀葶搀眀愀爀搀倀甀爀挀攀氀氀搀眀愀爀搀倀甀爀挀攀氀氀琀瑓煸慳煸慳渀渀煎煎乓刀一刀阀2缕6胔-騀眀i縀$莙MOS管原理,非常详细ppt课件.ppt1a5a3d7ada6
11、94c9f9b728e8d863feb37.gifMOS管原理非常详细ppt课件.ppt2020-1220c23133a9-26c8-43e7-824a-786e3bd01fadx29FyiViZ7Vmy8iMVMeRHd0TWZ/X+fgP63ckRtBzUNhzZlsP9sG24A=MOS,原理,非常,详细,ppt,课件daee77d3a8dfb6c53d6d270ffa787032顺达0000400004PPT文档20201220231921651327/SE8QghSXnttzF/rcCrOTtcL/kwKPTdiBcl6oudPPn+KaHXGp5iH+3N3Gbal/i3lMOSMOS管的那些事儿管的那些事儿 2012.11.15 2012.11.15 1 1 我们在笔记本主板维修中见到的MOS管 几乎都是绝缘栅增强型，这里也就只说说它 的那些事儿吧。 而且，我们不谈原理，只谈应用。 呵呵，让我们来看看MOS管，分辨一下 他们怎么区别，怎么用吧。 我们分“电路符号”和“实物”两部分来看吧。 2 2 1 三个极怎么判定 电路符号： 2 区别他们是N沟道M
