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薄膜工艺工程师 研发工程师简历模板.doc

1、个人简历 个人资料姓 名:xxx性 别:男(可以贴照片)出生日期:1982年3月1日学 历:大专毕业院校:兰州大学专 业:半导体器件与微电子工作经验:三年以上职 称:助理工程师申请职位:薄膜工艺工程师 研发工程师联系方式:15900000000 (手机) xxxxxxxh o (邮件 & MSN) 求职意向求职意向: 薄膜工艺工程师 研发工程师 求职地点: 无锡 南京 苏州工作经验:三年以上 工资要求:3500以上工作性质:全职 教育培训2000.9-2004.7兰州大学 半导体器件与微电子学 本科2000年9月至2004年7月 就读于兰州大学物理与科学技术学院微电子学专业2006.5-20

2、06.7 培训单位: 天合半导体公司 培训内容:iso9001认证 200.42005-6 培训单位:核芯电子公司 培训内容:5s现场管理 工作经验2004年07月 2007年03月 : 天水天光半导体公司(原国营八七一厂) 【单位性质】:合资【所任职位】: 工程部/工艺工程师【职责描述】:2004年07月2007年4月担任天水天光半导体有限公司(国营八七一厂)工艺工程师兼新产品工艺设计工程师.主要负责varian3180、3120溅射台,mark50蒸发台,varian3125蒸发台,ebx2000蒸发台等的工艺改进及保障工作和新产品的开发和工艺、版图设计,并熟练掌握肖特基生产线薄膜制备工艺

3、。2006年4月-6月改进了varian3180溅射台溅射工艺,使该企业肖特基产品成品率提高了9.6个百分点,目前该设备已生产肖特基产品40000多片,并保持稳定运行。2006年8月-10月改进了肖特基产品合金工艺,提高了芯片均匀性。 项目经验2005.112006.3:开发低速(50-100 ns)和高速(小于10 ns)开关二极管项目描述:开发了低速(50-100 ns)和高速(小于10 ns)开关二极管,经日本专家鉴定,比日本tikoen公司相同产品正向电压还要低0.3v,目前已为天水天光半导体公司获利100多万元。200.5-2005.10:开发大电流高电压肖特基二极管项目描述:开发了

4、大电流、高电压肖特基5a150v、200v,10a150v、200v产品,填补了该企业在大电流产品方面的空白。责任描述:负责项目请示,提交项目建议书,项目可行性分析和项目前期调研,撰写项目可行性报告和调研报告;制定项目实施方案,填写项目申报书并负责项目申报工作。负责与企业客户的沟通,了解并分析客户需求,制定项目合作方案;并根据项目需求,组建项目团队和项目技术主要负责人.并负责与日本专家的技术交流与沟通2005.102006.5:开发了稳压二极管、光敏晶体管、led等产品项目描述:参与开发了稳压二极管、光敏晶体管、led等产品,扭转了该企业产品单一化的局面。责任描述:负责上述产品的金属薄膜制备,产品测试及工艺设计 技能特长熟练掌握varian3180、3120溅射台,mark50蒸发台,varian3125蒸发台,ebx2000蒸发台等的设备运行状态和工艺参数,并熟练掌握肖特基生产线扩散、光刻腐蚀、金属化等工艺。熟悉新产品开发流程及工艺设计。专业软件: l-edit 自我评价乐观向上、兴趣广泛、稳重沉着、适应力强、勤奋好学、脚踏实地、认真负责、坚忍不拔、勇于迎接新挑战、具有较强的团队合作精神。

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