1、晶体技术公司突发环境事件应急预案批准书本公司根据相关法律、法规、导则和标准，编订了晶体技术有限公司突发环境事件应急预案，并组织相关专家审查，最终经公司各部门集中讨论确定了预案文本。该预案修编实施的目的在于在切实加强环境风险源的监控和防范措施，有效降低事件发生概率的前提下，规定响应措施，对突发环境事件及时组织有效救援，控制事件危害的蔓延，减小伴随的环境影响。应急领导小组要组织公司员工做好相关培训并定期组织演练，在发生突发事故时，各部门必须全力配合，降低事故产生的环境危害。兹批准晶体技术有限公司突发环境事件应急预案于2015年8月30日开始实施。批准人：批准日期：98 / 99目 录1 总则1.1
2、 编制目的为正确应对和有序处置突发性环境污染事故，进一步健全公司环境污染事件应急机制，规范应急管理工作，提高突发环境事件的应急救援反应速度和协调水平，增强综合处置突发事件的能力，预防和控制次生灾害的发生，最大限度地保护员工和人民群众的身体健康和环境安全，将环境污染事故造成的影响降低至最小限度，使应急准备和应急管理有据可依、有章可循，提高全体员工风险防范意识，促进经济社会全面、协调、可持续发展。根据国家和市各级环保部门的有关文件精神，结合本公司环保工作的实际情况，制定本预案，在切实加强环境风险源的监控和防范措施，有效降低事件发生概率的前提下，建立完善的环保应急管理和控制体系，规定响应措施，对突发
3、环境事件及时组织有效救援，控制事件危害的蔓延，减小环境影响，提高公司对突发性事故的抵御能力。制定突发环境事件应急预案就在于未雨绸缪，防患于未然，提高防范和处置各类重大突发环境事件的能力。针对各危险源的危险性质、数量可能引起事故的危险化学品所在场所或设施，根据预测危险源、危险目标可能发生事故的类别、危害程度，在发生事故时，采取消除、减少事故危害和防止事故恶化，最大限度降低事故损失，而制定突发环境事件应急救援方案。1.2编制依据1.2.1 法律法规（1）2007年11月1日起施行，主席令第69号；（2）中华人民共和国环境保护法2015年1月1日起施行，2014年4月24日第十二届全国人民代表大会常
4、务委员会第八次会议修订；（3）中华人民共和国安全生产法2002年11月1日起实施；（4）中华人民共和国水污染防治法2008年6月1日起施行，主席令第87号；（5）中华人民共和国大气污染防治法2000年9月1日起施行，主席令第32号；（6）中华人民共和国固体废物污染环境防治法2005年4月1日起施行，主席令第31号；（7）中华人民共和国职业病防治法2011年12月31日起施行，主席令第52号；（8）中华人民共和国消防法2009年5月1日起施行，主席令第6号；（9）危险化学品安全管理条例2011年12月1日起施行，国务院令第591号；（10）使用有毒物品作业场所劳动保护条例2002年5月12日起施
5、行，国务院令第352号；（11）突发环境事件应急预案管理暂行办法2010年9月28日起施行，环发2010113号；（12）市突发公共事件应急预案管理暂行办法，京应急办发200610号；（13）市消防安全管理条例（2011 年修订）；（14）关于进一步加强环境影响评价管理防范环境风险的通知，环发201277号。1.2.2 技术规范（1）国家突发公共事件总体应急预案，2006.1.8；（2）国家突发环境事件应急预案，2006.1.24；（3）市突发公共事件总体应急预案，2006.3.22；（4）市空气重污染应急预案(试行)，2013.10.21；（5）重点环境管理危险化学品环境风险评估报告编制指南
6、(试行)（环办201328号）；（6）建设项目环境风险评价技术导则（HJ/T169-2004），2004年12月11日起施行；（7）生产经营单位生产安全事故应急预案编制导则（GB/T29639-2013），2013.10.1；（9）企业突发环境事件风险评估指南 (试行)（环办201334号）；（10）危险化学品重大危险源辨识危险化学品安全管理条例；（11）危险化学品重大危险源监督管理暂行规定（安全监督总局令第40号）；（12）危险化学品生产企业安全生产许可证实施办法（安全监督总局令第41号）；（13）危险化学品建设项目安全监督管理办法（安全监督总局令第45号）；（14）化学品环境风险防控“十二
7、五”规划（环发201320号）；（15）重点监管危险化学品化工工艺目录（2013年完整版）；（16）企业事业单位突发环境事件应急预案备案管理办法（试行）（环发20154号）。1.2.3 其他相关文件（1）国家危险废物名录2008年8月1日起施行，中华人民共和国环境保护部令、中华人民共和国国家发展和改革委员会第1号；（2）危险化学品重大危险源辨识（GB18218-2009），2009年12月1日起施行；（3）危险化学品名录（2015版）；（4）剧毒化学品目录（2015版）；（5）常用化学危险品贮存通则（GB15603-1995）；（6）地表水环境质量标准（GB 3838-2002）；（7）地下水
8、质量标准（GB/T 14848-93）；（8）环境空气质量标准（GB 3095-2012）；（9）大气污染物综合排放标准（DB11/501-2007）；（10）水污染物综合排放标准（DB11/307-2013）；1.3 适用范围（1）公司范围内：此预案适用于晶体技术有限公司厂区范围内，人为或不可抗力造成的化学品、成品库和危废库发生泄漏、火灾等事故造成的环境污染事件。（2）公司范围外：在本公司应急能力范围内，响应上级主管部门调度，协助周边环境污染事件的应急救援。1.4 工作原则 （1）坚持以人为本，预防为主广泛宣传，增强员工的环境安全意识；针对性开展风险源调查工作，提高环境风险防范能力；加强对突
9、发环境事件风险源的日常监督管理，强化、落实企业环境安全主体责任，提高突发环境事件的防范和处置能力，加强整改、努力消除环境安全隐患。力争做到“早预防、早发现、早报告、早处置”，尽可能地避免或减少突发环境事件的发生，消除或减轻突发环境事件造成的影响。（2）坚持统一领导，属地负责在市应急委的统一领导下，建立市、区县两级突发环境事件应急指挥体系，形成市、区县两级管理，分级负责、分类指挥、综合协调、逐级提升的突发环境事件处置体系。针对突发环境事件的不同类型，实行分类管理。充分发挥各级政府部门的职能作用和各专业队伍的优势，提高快速反应能力。（3）坚持资源整合，综合协作为主加强部门之间协同与合作，整合现有环
10、境专业应急救援力量和环境监测网络，充分利用在京专家资源，组建专家库，建立专兼结合的应急队伍，积极做好应对突发环境事件的思想准备、物资准备、技术准备、工作准备，加强培训和演练。（4）坚持预防与应急并重按照“坚持预防与应急并重，常态与非常态相结合”的要求，强化、落实公司环境安全主体责任，推动建立环境安全风险管理制度，努力消除环境安全隐患，提高防范意识，增强应急能力，力争做到“早预防、早发现、早报告、早处置”，尽可能地避免或减少突发环境事件的发生，消除或减轻突发环境事件造成的影响。1.6应急预案体系应急预案体系由上而下一般可分为：国家级应急预案、市应急预案、区应急预案和企业应急预案，下级预案不得和上
11、级预案相冲突。本预案下属于市区总体环境应急预案。市区突发环境事件应急预案是本预案的上级预案，上级预案是下级预案的参照预案。在预案制定时，晶体技术有限公司突发环境事件应急预案在原则上要符合市区突发环境事件应急预案的总体要求，在执行中，下级预案要服从上级预案的需要。图1.6-1 突发环境事件应急预案体系2 企业基本情况2.1 公司概况企业名称：晶体技术有限公司企业性质：有限责任公司（外国法人独资）企业法人：莫里斯杨从业人数：680人企业地址：市区工业开发区东二街4号邮编：101113电话：（010）经营范围：生产单晶抛光片及相关的半导体材料和超纯元素；研发、开发单晶抛光片及相关的半导体材料和超纯元
12、素；销售自产产品；从事半导体材料与产品的批发、佣金代理（拍卖除外）、进出口（不涉及国家贸易管理商品，涉及配额、许可证管理商品的按照国家有关规定办理申请），提供咨询，技术和售后服务。企业介绍：晶体技术有限公司是美国晶体技术集团（AXT）于 1998 年 9月25日投资成立的，是AXT独资拥有的子公司。公司注册资金 3013 万美元，投资总额为3.59亿元（RMB），目前总资产达到 3.79亿元（RMB）。晶体技术有限公司（AXT-TM）位于工业开发区，主要从事单晶抛光片及相关的半导体材料和超纯元素生产，产品主要应用于微波和毫米波通信领域2004年以前，公司主产品是砷化镓晶体与晶片的加工，2005
13、年公司增加了磷化铟和锗晶体与晶片生产。目前，公司年产砷化镓晶体34t，砷化镓晶片258万片，年产磷化铟28万片和锗晶片38万片。公司的单晶晶片年生产能力达到 344万片（折合为2 寸），产品 99%出口。该公司于1999年8月取得了“晶体技术有限公司建设项目环境影响报告表的批复” （通环管字1999）106 号；2001年10月取得了“合成与生长砷化镓晶体材料环境影响报告书的批复” （京环保监督审字2001268 号） ；2003 年 9 月取得了“晶体技术有限公司合成与生长砷化镓晶体材料项目竣工环保验收的批复”（京环保监督验字200372 号）；2005 年 3 月取得了“晶体技术有限公司（
14、增项）建设项目环境影响报告表的批复”（通环管字2005）74 号；2005年7月取得了“晶体技术有限公司（增项）建设项目验收的批复” （通环监验字2005）42 号。2011年6月24日获得“晶体技术有限公司砷化镓晶体合成与生产及晶片加工扩建”建设项目环评批复（通环保审字20110178号；2013年3月26日获得“砷化镓晶体合成与生长及晶片加工扩建”项目验收批复（通环保验字20130030号；2013年3月26日获得“磷化铟和锗晶体合成与生长及晶片加工扩建”建设项的验收批复（通环保验字20130031号。2.2地理位置及自然环境（1）地理位置晶体技术有限公司位于市区工业开发区东二街4 号，厂
15、址中心坐标为东经 11643，北纬 3951，具体地理位置见附件2。公司厂区东侧为比泽尔压缩机（）有限公司，西侧紧邻奥托博克假肢厂，南侧为广源东街，北侧紧邻京津公路，公司厂区现状和周围环境状况见图附件5，周边交通关系见附件4。（2）地形地貌本项目位于市区工业开发区东二街4 号，隶属于区张家湾镇。张家湾镇位于市东南，紧邻城区，是通往华北、东北和天津等地的交通要道，是一座具有千年历史的文化古镇。 张家湾镇地势平坦、水系丰富，交通便利，在镇域 105.8 平方公里的范围内贯穿了大运河、凉水河、萧太后河、玉带河四大水系和京津、京沈、六环、张廊等四条主要公路。 评价区地处华北平原北部，属洪冲积平原，处于
16、永定河与潮白洪积平原的交汇处。地形平坦，地形坡降小于 1%。该区地貌形态为永定河与潮白河洪冲积扇的前缘部位，属潮白河堆积、浸蚀而成的阶地前缘。由于近代人类活动在平面上没有保留明显的阶坎，地表岩性为黄土粉质粘土及粘土。 目前地表海拔标高在 26.96-27.24m 之间，地形平坦。自目前地表向下 24m 内的地层岩性可分为两部分：上部（标高10m 以上）以粘性土为主，下以粉细砂为主，各土层的平面展布比较稳定， 呈有规律的沉积韵律。 据 地区建筑地基基础设计规范（DBJ01-501-92）可知，该区基岩埋深在 600m 左右，在本工程的扩建范围内不存在影响建筑物稳定的不良工程地质问题。场地土为中软
17、场地土，建筑场地类别属类。（3）气候和气象据区气象局 19992008 年气候统计资料，20 年最大风速为16.4m/s，月平均风速2.5m/s， 年平均气温11.9， 年最高气温41.9， 年最低气温-18.4。 年均降水量为561.8mm，年最低降水量 209.2mm，常年日照时数2421.6 小时，相对湿度 55%。2.3生产概况晶体技术有限公司分为东西两个厂区，东厂区包括8#厂房、9#厂房；西厂区由北向南分别为化学品库、1#厂房、2#厂房、3#厂房、4#厂房、5#厂房、6#厂房、7#厂房。具体建筑见表2.3-1。表2.3-1 本项目主要建筑功能一览表编号厂房功能单元11#厂房主建筑为单
18、层建筑，临主建筑东墙建三层配楼。主建筑分布锗车间，LED洁净室，设施维修间，1号纯水站； 配楼分布公司培训室、员工浴室。22#厂房单层建筑，分布坩埚修复加工车间。33#厂房三层建筑， 分布精抛、研磨、出货车间、洁净室（AXT线）、3号纯水站。44#厂房四层建筑， 分布洁净室（日立线）、粗抛、成品库、4号纯水站、研发部、公司会议室55#厂房主建筑为单层建筑，临主建筑东墙建三层配楼。主建筑分布特殊工艺车间、测试、磨边、切片车间； 配楼为办公区。66#厂房单层建筑，分布磷化铟晶体车间。77#厂房单层建筑，东半区为设备大修间，西半区为员工食堂。88#厂房单层建筑，北侧分布砷化镓、锗晶体车间、砷库；南侧
19、为废水处理车间、危险废物库房。99#厂房单层建筑，北侧分布砷化镓、锗晶体车间；南侧为综合库房、镓库、生活垃圾库。10化学品库单层建筑，分酸库、碱库、易燃品库、氧化性化学品库11配电室A/B配电室A：单层建筑；配电室B：三层建筑，三层为设施办公室12空压站单层建筑13切削泥暂存间单层罩棚2.3.1生产工艺流程简介本项目主要产品砷化镓、磷化铟和锗晶片三种产品，具体工艺过程如下：图2-1 砷化镓生产线工艺流程及排污节点图图2-2 磷化铟生产线工艺流程及排污节点图图2.3-6 晶片锗生产工艺流程图图2-3 锗晶体生产线工艺流程及排污节点图（1）砷化镓砷（As）和镓（Ga）是合成砷化镓的主要原材料，在室
20、温和一个标准大气压下，将二者混合不会有化学反应发生。但是在高温下，砷和镓相遇后会发生化学反应，生成砷化镓（GaAs）。现有项目合成砷化镓多晶体技术采用国际先进工艺，加热设备全部采用无烟无尘的电热高温炉，关键工序的操作全部由计算机控制，通过对温度的精密控制来调控砷化镓合成的速度以及晶体生长的方向。当砷化镓晶体合成生长完成并经清洗后，晶体生产转入后道生产过程，即切、磨、抛、检测等工序。主要生产工序简述及说明：石英管分别用氢氟酸、去离子水进行清洗后，并烘干；将PBN（即氮化硼）坩埚用乙醇、纯水进行清洗后烘干，然后将原料纯砷和镓按一定比例放入PBN 坩埚中，再一起装入石英管内。将石英管抽真空，待石英管
21、中的真空度达到一定参数要求后，用高温火将石英管密封起来。封装好的石英管及原料，装入无烟无尘的电加热合成炉中，合成炉启动后，整个工序全部用计算机控制升温，在一定温度条件下，砷和镓在封闭的石英管中反应生成砷化镓（GaAs）多晶。合成炉此时稳定在某一温度，使反应缓慢地进行，同时生成的砷化镓进一步结晶成纯净的晶体。反应合成过程结束后，计算机控制合成炉程序降温。待到温度降至常温时，石英管的气压将低于一个大气压的低真空状态。此时，用金刚石锯将石英管切开取出砷化镓多晶体，切割过程由于管内是低真空，而无有害物质漏出。取出的晶体，表面上将有一层薄薄的氧化物，用氨水和双氧水混合液进行腐蚀后，用乙醇、纯水清洗砷化镓
22、晶体，除去可能残存的砷、镓和氧化物物质，从而得到纯净的砷化镓多晶材料。将石英管用氢氟酸清洗以重新使用。纯净的砷化镓多晶经过公司“专利生长法”处理后在晶体生长炉内完成单晶生长，将砷化镓单晶放入甲醇中浸泡。将砷化镓晶棒在晶棒加工车间使用内圆锯、可变钻床等设备对晶棒进行湿法物理切割和磨外圆处理，然后用自来水进行清洗。晶棒加工车间加工的晶棒粗坯在切片车间使用线锯进行湿法物理切片，产出的砷化镓单晶片用醋酸、煤油进行浸泡后送磨边车间使用磨边机湿法磨边，然后用纯水进行清洗。磨边后的晶片在研磨车间使用研磨机和研磨浆进行湿法研磨后，用氨水、双氧水混合液进行腐蚀，然后用乙醇、纯水进行清洗，并烘干。研磨后的晶片在抛
23、光车间使用抛光机和抛光液（主要成分为氧化硅，分为碱性抛光液和酸性抛光液）进行湿法抛光。抛光分为粗抛和精抛，碱性抛光液用于粗抛光，酸性抛光液用于精抛光。抛光后用氨水和双氧水混合液进行腐蚀，然后用硫酸、纯水进行清洗。抛光后的晶片在洁净车间清洗台上使用异丙醇、双氧水和氨水混合液、硫酸、纯水、乙醇完成二道清洗，晶片经检验合格后，独立包装出厂。在原辅料、容器清洗和晶棒加工以及晶片切、磨、抛光、洁净单元均有生产废水产生，主要污染物为CODcr和总砷。（2）磷化铟、锗InP、Ge 晶体分别在本公司InP、Ge 车间完成晶体的深加工即晶体生长。晶体生长是通过对温度的精密控制来调控晶体的晶向，加热设备全部采用无
24、烟无尘的电热炉，整个工序全部用计算机控制，工艺过程中无化学变化，不使用任何化学助剂、催化剂或化学添加剂。晶体生长（加工）完成后，工艺转入晶片加工过程，即切、磨、抛、检测等工序。主要生产工序简述及说明：将石英管分别用氢氟酸、自来水进行清洗后，并烘干；将PBN 用乙醇、纯水进行清洗后烘干；将磷化铟、锗晶体用纯水、氨水和双氧水混合洗液进行清洗，再用纯水清洗后烘干，然后将磷化铟、锗晶体放入PBN 坩埚中，再一起装入石英管内，然后进行抽真空处理。石英管、PBN 坩埚抽真空，待真空度达到一定的参数要求后，用高温火将石英管、PBN坩埚密封起来，注意焊接时，焊线均匀无气泡。封装好的原料，装入无烟无尘的电加热炉
25、中，加热炉启动后，整个工序全部用计算机控制升温，在一定温度条件下，生长成磷化铟晶棒和锗晶棒。用计算机控制加热炉程序降温，待到温度降至常温时，石英管的气压将低于一个大气压的低真空状态，此时，用金刚石锯将石英管切开取出晶棒。将取出的单晶晶棒用甲醇进行浸泡。将单晶棒在晶棒加工车间使用内圆锯、可变钻床等设备对晶棒进行湿法物理切割，然后用自来水进行清洗。晶棒加工车间加工的晶棒粗坯在切片车间使用线锯进行湿法物理切片，产出的磷化铟和锗单晶片用醋酸、煤油进行浸泡后送磨边车间使用磨边机湿法磨边，然后用纯水进行清洗。磨边后的晶片在研磨车间使用研磨机和研磨浆进行湿法研磨，然后用硝酸、乙酸、氢氟酸（锗）、纯水进行清洗
26、，并烘干。研磨后的晶片在抛光车间使用抛光机和抛光液（主要成分为氧化硅，分为碱性抛光液和酸性抛光液）进行湿法抛光。抛光分为粗抛和精抛，碱性抛光液用于粗抛光，酸性抛光液用于精抛光。抛光后用氨水和双氧水混合液进行腐蚀，然后用硫酸、纯水进行清洗。抛光后的晶片在洁净车间清洗台上使用异丙醇、双氧水和氨水混合液、硫酸、纯水、乙醇完成二道清洗，晶片经检验合格后，从独立包装出厂。在原辅料、容器清洗和晶棒加工以及晶片切、磨、抛光、洁净单元均有生产废水产生，主要污染物为COD。在清洗工序因使用浓盐酸（配制王水）、氨水、硫酸、氢氟酸和乙醇而产生氯化氢、硫酸雾、硝酸雾、氨、氟化氢和乙醇废气。2.3.2生产设备一览表厂区
27、主要设备一览表如表2.3-1所示。表2.3-2 主要生产设备表序号使用位置设备名称型号数量1poly三层炉722-CM3-STACK FURNACE172poly loading大烤炉55662273poly loading小烤炉154poly loading大真空泵（LEYBOLO)285poly loading小真空泵（VARIAN）216切洗大超声波震机77切洗双震机28切洗小超声波震机39切洗切料锯110poly 单晶切管锯211切洗真空包装机DZ-400/2ES112切洗电烤箱DHG-9140A313切洗 loading电子称BWS-SN/30414单晶单晶炉74015单晶配电柜74
28、016晶体检查标准酒晶炉2117冷站冷却泵配用电机yx3系列218冷站冷却泵配用电机yx3系列219冷站冷媒泵配用电机yx3系列420新冷机冷媒泵配用电机yx3系列221新冷机冷却泵配用电机yx3系列222纯水前地坑污水泵配用电机yx3系列623纯水前地坑污水泵配用电机yx3系列1248#厂房新风机组新风机电机yx3系列1258#厂房新风机组新风机电机yx3系列126热站空调泵yx3系列227热站采暖泵yx3系列228热站东厂空调泵yx3系列229热站补水泵yx3系列230LED开立风柜风机yx3系列1313#东厂酸雾净化塔离心风机拖动电机BM280S-41323#东厂酸雾净化塔水泵电机BM1
29、60M-21335#东厂酸雾净化塔风机电机风机电机YB2-225M-61345#东厂酸雾净化塔水泵电机水泵电机BM160M1-21356#东厂酸雾净化塔风机电机风机电机TYPEBM-160M1-21366#东厂酸雾净化塔水泵电机1377#东厂酸雾净化塔风机电机风机电机YB2-225M-61387#东厂酸雾净化塔水泵电机水泵电机BM160M1-21398#东厂酸雾净化塔风机电机风机电机YB2-180M-41408#东厂酸雾净化塔水泵电机YB2-132S1-21419#西厂酸雾净化塔风机电机BM系列1429#西厂酸雾净化塔水泵电机BM系列14310#西厂酸雾净化塔风机电机BM系列14410#西厂酸
30、雾净化塔水泵电机BM系列14511#西厂酸雾净化塔风机电机BM系列14611#西厂酸雾净化塔水泵电机BM系列14712#西厂酸雾净化塔风机电机BM系列14812#西厂酸雾净化塔水泵电机BM系列14913#东厂酸雾净化塔风机电机BM系列15013#东厂酸雾净化塔水泵电机BM系列15114#东厂酸雾净化塔风机电机BM系列15214#东厂酸雾净化塔水泵电机BM系列15315#西厂酸雾净化塔风机电机BM系列15415#西厂酸雾净化塔水泵电机BM系列15516#东厂酸雾净化塔风机电机BM系列15616#东厂酸雾净化塔水泵电机BM系列15717#东厂酸雾净化塔风机电机BM系列15817#东厂酸雾净化塔水泵
31、电机BM系列15918#西厂酸雾净化塔风机电机BM系列16018#西厂酸雾净化塔水泵电机BM系列161各药房药房磁力泵BM系列1262各药房药房搅拌电机BM系列6632#洁净室制冰机QD0322A1642#洁净室异丙醇干燥机PV-120M-12A1652#洁净室真空包装机ST10001662#洁净室甩干机ST-270 （2-6）1672#洁净室真空包装机E-1531682#洁净室制冰机QY0454A/S4001692#洁净室预清洗配药房制冰机QY0454A/S4001703#洁净室旋转冲洗甩干机CXS-2200型1713#洁净室旋转冲洗甩干机CXS-2150型1723#洁净室旋转冲洗甩干机CX
32、S-1300C型1733#洁净室旋转冲洗甩干机CXS-1300C型1743#洁净室旋转冲洗甩干机1600-55M1753#洁净室制冰机QY0454A/S4001763#洁净室真空包装机415-ST-S1773#洁净室真空包装机ST10001783#洁净室甩干机PSC-1011793#洁净室2清洗线甩干机PSC-101180GaAs粗抛旋转冲洗甩干机CXS-1150C型181GaAs粗抛旋转冲洗甩干机CXS-1150C型182GaAs粗抛双面抛光机9B-14P改16B183GaAs粗抛双面抛光机16B-5P-2M184GaAs粗抛双面抛光机16B-5P-2M185GaAs粗抛双面抛光机16B-5
33、P-2M186GaAs粗抛双面抛光机16B-5P-2M187GaAs粗抛双面抛光机16B-5P-2M188GaAs粗抛双面抛光机16B-5P-2M189GaAs粗抛双面抛光机16B-5P-2M190GaAs粗抛双面抛光机9B-5L191GaAs粗抛双面抛光机9B-5P192GaAs粗抛双面抛光机9B-5P193GaAs粗抛双面抛光机18B-5P194GaAs粗抛单面抛光机（五头）6B-5P2195GaAs粗抛单面抛光机48BSW196GaAs粗抛单面抛光机48BSW197GaAs粗抛单面抛光机（四头）X62 305-1198GaAs粗抛单面抛光机X62 305-2199GaAs粗抛单面抛光机A
34、SP-9101100GaAs粗抛测平仪Autoselect 80201101GaAs粗抛测平仪SUPERSORT III-V1102GaAs粗抛甩干机双腔1103GaAs粗抛甩干机单腔1104GaAs粗抛甩干机单腔1105GaAs粗抛甩干机单腔1106GaAs粗抛甩干机三腔1107GaAs粗抛甩干机RGA-2601108GaAs粗抛双面抛光机9B-14P改13B1109GaAs粗抛单面抛光机50-SPAW 18B1110GaAs洁净室预清洗配药房制冰机QY0454A/S4001111GaAs晶棒离心分离机CF-1251112GaAs晶棒可变形钻床ZB-321113GaAs晶棒数控型钻床ZK-5
35、4401114GaAs晶棒燕尾导轨磨床Y2-10031115GaAs晶棒单晶棒滚磨机床GM600-121116GaAs晶棒无心磨床M10101117GaAs晶棒外圆磨床M1320E1118GaAs晶棒内圆锯271119GaAs晶棒内圆锯271120GaAs晶棒内圆锯221121GaAs晶棒内圆锯221122GaAs晶棒内圆锯(MB)TS231123GaAs晶棒内圆锯321124GaAs晶棒台式钻铣床YM-Z 70231125GaAs晶棒X射线定向仪YX-2型1126GaAs晶棒万能外圆磨床MY-1420C1127GaAs晶棒（小圣庙仓库）卧式带锯G4025-1A1128GaAs晶棒（小圣庙仓库
36、）内圆锯221129GaAs精抛旋转冲洗甩干机CXS-2150B型1130GaAs精抛双面抛光机16B-5P-2M1131GaAs精抛双面抛光机(龙门式）16B-5P-3M1132GaAs精抛双面抛光机16B-5P-2M1133GaAs精抛双面抛光机16B-5P-2M1134GaAs精抛双面抛光机16B-5P-2M1135GaAs精抛双面抛光机(龙门式）16B-5P-3M1136GaAs精抛双面抛光机9B-5P1137GaAs精抛双面抛光机9B-5P1138GaAs精抛双面抛光机9B-5P1139GaAs精抛双面抛光机9B-5P1140GaAs精抛制冰机QY0454A/S4001141GaAs
37、精抛制冰机QY0454A/S4001142GaAs精抛单面抛光机6BL1143GaAs精抛单面抛光机6BL1144GaAs精抛单面抛光机6BL1145GaAs精抛单面抛光机6BL1146GaAs精抛单面抛光机50-SPAW 18B1147GaAs精抛单面抛光机50-SPAW 18B1148GaAs精抛单面抛光机SPM-19A1149GaAs精抛Liquid Wax Bonding Machine粘蜡机AWB-300C1150GaAs精抛甩干机ST-270D双腔1151GaAs精抛甩干机双腔1152GaAs精抛甩干机双腔1153GaAs精抛甩干机PSC-1011154GaAs精抛甩干机RGA-2
38、701155GaAs精抛甩干机RGA-2601156GaAs精抛甩干机ST-260（2-6）1157GaAs精抛甩干机RGA-2701158GaAs精抛（设备）单面抛光机6BL1159GaAs磨边自动磨边机EP-26001160GaAs磨边自动磨边机EP-26001161GaAs磨边自动磨边机MEP-46001162GaAs磨边自动磨边机W-GM-4200B-4C1163GaAs磨边自动磨边机W-GM-4200B-26-4C1164GaAs磨边手动磨边机自制21165GaAs磨边手动磨边机自制21166GaAs磨边手动磨边机自制21167GaAs磨边手动磨边机自制21168GaAs磨边手动磨边
39、机自制21169GaAs磨边手动磨边机自制21170GaAs磨边手动磨边机自制21171GaAs磨边手动磨边机自制21172GaAs磨边手动磨边机自制41173GaAs磨边手动磨边机自制41174GaAs磨边手动磨边机自制41175GaAs磨边手动磨边机4/6改31176GaAs磨边手动磨边机2改11177GaAs磨边手动磨边机6改21178GaAs磨边手动磨边机61179GaAs磨边手动磨边机方片61180GaAs磨边真空泵2BV51111181GaAs磨边真空泵2BV51111182GaAs磨边真空罐1183GaAs磨边真空罐1184GaAs磨边X射线定向仪YX-2型1185GaAs磨边X
40、射线定向仪DX-21186GaAs切片内圆锯271187GaAs切片内圆锯271188GaAs切片内圆锯271189GaAs切片内圆锯221190GaAs切片内圆锯221191GaAs切片线锯U-6001192GaAs切片线锯F-6001193GaAs切片线锯U-6001194GaAs切片线锯F-6001195GaAs切片线锯F-6001196GaAs切片线锯F-6001197GaAs切片线锯F-6001198GaAs切片线锯U6001199GaAs切片线锯F-600S1200GaAs切片线锯F-600S1201GaAs切片线锯F-600S1202GaAs切片线锯（多线切割机）MWS-610SD(SLURRY TYPE)1203GaAs切片线锯（多线切割机）MWS-610SD1204GaAs切片X-光机(照相)GM.ID/Laue1205GaAs切片X射线晶体分析仪JFD-3型1206GaAs切片
