模拟电路基础习题答案4第四章4-1(a) 截至(b)夹断(c)夹断43. 图（a）是（N沟JFET）的特性曲线，其中Vp（4V），IDSS=(10)mA；图（b）是（p沟JFET）的特性曲线，其中Vp（4V），IDSS=(8)mA。44. 图略。45. 反；。46. 证明略。47. 当VDS等于（1V）时它就开始夹断。48. 2V；2.5mA。49. 1.2mA；1.6mA。410. 200欧姆；800欧姆。411. 100K欧姆；40K欧姆。412. 1mS；0.707mS。413. （a）6V （b）4V （c）4V （d）6V。414. V01V。415. （a）r0rds（b）r0（1/gm|rds）1/gm416. 略。417. 略。418. （a） 饱和区（b）饱和区 （c）截止区 （d）电阻区419. 略。420. （1）电阻区，VDSVTRDS1/K(VGSVT)， 其中KConW/L（2）饱和区，VDSVGSVT，VGSVTrds1/|ID|421. VDSmin2V，ID8mA。422. RDS750欧姆。423. V01.414V。424. rds100K欧姆,gm=1.6mA/V；gm38.5mA/V。
