按照摩尔定律，晶体管的数量与芯片性能息息相关，晶体管是最早实现3D化的，在平面晶体管时代，22nm基本就是大家公认的极限了，为了突破这个工艺极限，FinFET晶体管诞生了。
FinFET确切的说，是一个技术的代称。世界上第一个3D三维晶体管是由英特尔在2011年5月宣布研制成功，当时英特尔称其为 “Tri-Gate”（三栅极晶体管）。
早在2002年，英特尔就已经提出了相关技术专利，花了将近10年完善，并在2011年年底用Tri-Gate技术量产22nm工艺的新一代处理器lvy Bridge，于2012年初正式发布。虽然叫法不同，但Tri-Gate的本质就是FinFET。
从时间上看，第一个3D晶体管和第一代3D NAND闪存芯片推出的时间相差无几。2011年，英特尔推出世界上第一个3D三维晶体管，2012年三星推出第一代3D NAND闪存芯片，也是第一款32层SLC V-NAND SSD——850 PRO。
最开始是东芝在2008年开发了3D NAND结构BICS，4年后，三星在2012年推出了第一代3D NAND闪存芯片，随后，东芝、西部数据、美光等存储大厂接连跟上，拉开了3D NAND 层数之战的序幕。
近日也发布了业界首个232层堆栈的 3D NAND Flash芯片，虽然暂时还没有公布232层3D NAND闪存芯片的具体参数，但可以知道采用的是CuA架构，初始容量为1Tb（128GB），并预计在2022年底左右开始量产。
3D封装在前段时间也是狠狠火了一把，随着芯片越来越复杂，芯片面积、良率和复杂工艺的矛盾难以调和，3D封装是发展的必然趋势。
在晶圆代工厂领域，台积电的3D封装技术一马当先，早在2008年底台积电就成立导线与封装技术整合部门，正式进军封装领域。据悉，台积电的3D封装工艺主要分为前端芯片堆叠SoIC技术和后端先进封装CoWoS和InFO技术。
英特尔则是在2018年推出了3D堆叠封装技术“Foveros”，第一代 Foveros于2019年在Lakefield芯片中推出。英特尔预测第三代Foveros Omni以及第四代Foveros Direc都将在2023年量产。
三星在2020年8月公布了自家的3D封装技术“X-Cube”，三星表示，这项技术将用于 5G、AI、AR、HPC(高性能计算)、移动和 VR 等领域。
目前，几家存储大厂也开始逐渐向3D DRAM迈进。今年年初，BusinessKorea 报道称，三星电子正在加速 3D DRAM 的研发，已经开始加强招聘人员等相关团队建设。
此外，美光科技和 SK 海力士也在考虑开发3D DRAM。美光提交了与三星电子不同的 3D DRAM 专利申请，希望能在不放置单元的情况下改变晶体管和电容器的形状。
也有日本媒体报道称，华为将在6月份举行的 VLSI Symposium 2022上发表其与中科院微电子研究所合作开发的 3D DRAM 技术。
Applied Materials和Lam Research等全球半导体设备制造商也在开发与3D DRAM相关的解决方案。
在芯片从二维走向三维的过程中，出现了很多新技术，这些新技术的出现，不仅突破了某个行业内的瓶颈，也促进了半导体产业的继续创新。
部分内容来源于：中国科大图书馆：芯片的3D趋势；IEEE电气电子工程师：3D芯片技术颠覆计算的三种方式；黑科技观察家：3D芯片的未来发展方向，构建下一代3D芯片的技术一览；半导体行业观察：芯片，全面走向3D；祺芯半导体：芯片，全面走向3D
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