1、.6 重复 7.107.11 9 精密度 9.1 相对测量方法测量晶格常数 9.1.1 实验样品选用一片 2 英寸六方 AlGaN/AlN/r-Al2O3(0001)外延片，测试样品（0002）联动 曲线，根据 AlGaN 相对于 AlN 的距离，计算 AlGaN 晶格常数 c。 9.1.2 单个实验室的 c 测量精度为0.610-41.210-4 （定义见 GB/T 6379-2006），测试数值列在表 1 中。 9.1.3 多个实验室的测量精度实验选取 3 个实验室，每个实验室就每个样品测量 6 次。 9.1.4 基于 3 个实验室测量数据的晶格常数 c 的平均值为5.0494 ，测量方法
2、精密度如下： 重复性标准差：sr=0.810-4 再现性标准差：sR=5.410-4 表 1 单个实验室测量数据的摇摆曲线半高宽的平均值和标准方差 实验室晶格常数 c（） c5.0489 1 标准方差0.610-4 c5.0494 2 标准方差1.210-4 c5.0500 3 标准方差0.610-4 9.2 绝对测量方法测量晶格常数 9.2.1 利用同一晶面的不同级数的绝对测量方法测量 GB/T XXXXXXXXX 7 9.2.1.1 实验样品选用一片 2 英寸六方 GaN/r-Al2O3(0001)外延片，测试样品（0002） （0004）联动曲线，根据公式（1）计算衍射的零点误差为 0，
3、从而得到精确布拉格衍 射角 B，由布拉格公式计算得到晶格常数 c。 9.2.1.2 单个实验室的 c 测量精度为 0.410-41.510-4，测试数值列在表 2 中。 9.2.1.3 多个实验室的测量精度实验选取 3 个实验室，每个实验室就每个样品测量 6 次。 9.2.1.4 基于 3 个实验室测量数据的晶格常数 c 的平均值为5.1892 ，测量方法精密度 如下： 重复性标准差：sr=0.9610-4 再现性标准差：sR=5.610-4 表 2 单个实验室测量数据的摇摆曲线半高宽的平均值和标准方差 实验室晶格常数 c（） c5.1893 1 标准方差1.510-4 c5.1886 2 标
4、准方差0.410-4 c5.1897 3 标准方差0.610-4 9.2.2 Bond 方法测量晶格常数 9.2.2.1 实验样品选用一片 2 英寸六方 GaN/r-Al2O3(0001)外延片，把探测器固定在 2B位置， 样品做 扫描，衍射峰为 1；然后把探测器转到-2B位置， 转到 180-B位置，做样品做 扫描， 衍射峰为 2。根据(2)式来精确获得布拉格衍射角 B。由布拉格公式计算得到晶格常数 c。重复 10 次，测量得到 c 的平均值为 5.1897 。 9.2.2.2 单个实验室的 c 测量精度为 3.810-4 。 10 测试报告 报告应包括下列内容： a)测试人员 b)使用的仪
5、器的厂家和型号 c)样品名称、编号、标识等信息 d)实验环境（温度、湿度等） e)测试方法 GB/T XXXXXXXXX 8 试验结果 GB/T XXXXXXXXX 9 A A 附 录 A （资料性附录） 不确定度来源 1.1 扫描的步长 测量精度首先取决于扫描步长。若步长为，步长引起的最小误差a/a=cot。 对于Si (444)衍射，辐射为Cu K1，=0.001时，a/a 310-6，a210-5。若步长 1arcsec，a510-7。 1.2 温度 如果材料的热胀系数为，在测量过程中温度起伏T引起的误差a/a=T。 对于Si，2.3310-6/度，T1时，a/a2.3310-6，也就是
6、说，要保证晶格常数a的精度在10- 7，必须得保证T0.1。 另外，我们所测量得晶格常数须换算到标准室温25，还要经过温度修正。若测量温度为 Tm，T25-Tm，则 a0 am（1+T ） 1.3 折射、光束发散、洛伦兹偏振等对晶格常数的测量都有影响，因为影响较小，可忽略。 B GB/T XXXXXXXXX 10 B C 附 录 B （资料性附录） 面间距 d 与晶格常数的关系 立方晶系： 222 lkh a dhkl 六方晶系： 2 2 22 )()( 3 4 1 c l a khkh dhkl GB/T XXXXXXXXX 11 附 录 C （资料性附录） c.1 相对法测量晶格常数检测实
7、验室比对 选择中位值为参考值，c5.0494 。3 家检测实验室比对，值均小于 2，由于该结果在 95%置信区Z 间内，因此该结果为满意。 c.2 利用同一晶面的不同级数方法测量晶格常数检测实验室比对 选择中位值为参考值，c5.1893 。3 家检测实验室比对，值均小于 2，由于该结果在 95%置信区Z 间内，因此该结果为满意。 _ 实验室 12 3 结果（）5.04895.04945.0500 Z1.501.2 实验室123 结果（）5.18935.18865.1897 Z01.70.98 ICS 29.045 H 80 中中华华人人民民共共和和国国国国家家标标准准 GB/T XXXXXXX
8、XX LED 外延芯片用磷化镓衬底 GaP Substrates for LED Epitaxial Chips （征求意见稿） （本稿完成日期：2012.4.6） 201X - XX - XX 发布201X - XX - XX 实施 GB/T XXXXXXXXXGB/T XXXXXXXXX I 目 次 前言II 1 范围1 2 规范性引用文件1 3 术语1 4 产品分类1 4.1 分类1 4.2 牌号1 4.3 规格2 5 技术要求2 5.1 电学性能2 5.2 衬底片表面晶向2 5.3 位错密度2 5.4 表面质量2 5.5 参考面的取向、形状和尺寸2 5.6 外形几何尺寸3 6 检验方法
9、3 6.1 电学性能检测3 6.2 衬底片表面晶向及晶向偏差检测4 6.3 衬底的位错密度检测4 6.4 衬底片表面质量检测4 6.5 衬底的参考面尺寸长度检测4 6.6 外形几何尺寸检测4 7 检验规则4 7.1 检验条件4 7.2 检验和验收4 7.3 检验批4 7.4 检验项目、规则及判据5 7.5 不合格判定6 7.6 不合格处置6 8 标志、包装、运输及贮存6 8.1 标志、包装和质量证明书6 8.2 运输及贮存7 附录 A（规范性附录） 使用方块电阻测量仪对衬底片电阻率进行测量的方法 .8 附录 B（规范性附录） 衬底片室温载流子浓度与迁移率测量方法 10 GB/T XXXXXXX
10、XX II 前前 言言 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC2）归口。 本标准由中国科学院半导体研究所、有研光电新材料有限公司、云南中科鑫圆晶体材料有限公司 负责起草。 本标准主要起草人：赵有文、提刘旺、林泉、惠峰、赵坚强。 GB/T XXXXXXXXXGB/T XXXXXXXXX 1 LED 外延芯片用磷化镓衬底 1 范围 本标准规定了LED外延芯片用磷化镓单晶衬底（以下简称衬底）的分类、技术要求、检验方法和规 则以及标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于制造LED外延芯片的磷化镓单晶衬底。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。
11、凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本 文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 191 包装储运图示标志 GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 2828 逐批检查计数抽样程序及抽样表(适用于连续批的检查) GB/T 4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜层电阻测定 非接触涡流法 GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测量方法 GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测量方法 GB/T 6621 硅抛光片表面平整度测试方法 GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检
12、验方法 GB/T 13387 电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T 13388 硅片参考面结晶学取向X射线测量方法 GB/T 14140.2 硅片直径测试方法 千分尺法 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 14844 半导体材料牌号表示方法 GJB 3076 磷化镓单晶片规范 3 术语 GB/T 14264 规定的术语和定义适用于本标准。 4 产品分类 4.1 分类 衬底按导电类型分为n型和p型两种类型。 4.2 牌号 衬底牌号表示按 GB/T14844 的规定。 GB/T XXXXXXXXX 2 4.3 规格 衬底按直径分为50.8mm、63.5mm两种规格，或由供需双方商定
13、。 5 技术要求 5.1 电学性能 衬底的电学性能应符合表1规定。 表 1 电学性能参数 要求 序号项目 np 1 电阻率 .cm0.500.040.100.01 2 迁移率 cm2/V.Ss 10025 3 载流子浓度 cm-311017210185101721019 5.2 衬底片表面晶向 衬底的表面取向为：111，晶向偏离不大于0.5（当客户对晶向参数有特殊要求时由供需双 方在合同中确定）。 5.3 位错密度 衬底的位错密度要求应符合表2的规定。 表 2 位错密度 要求 序号项目 50.8mm63.5mm 1 位错密度（个/cm2） 51055105 注：当客户对晶体位错密度参数和位错类
14、型及分布有特殊要求时由供需双方在合同中确定。 5.4 表面质量 在衬底表面边缘2 mm范围内无划痕、崩边、桔皮和裂缝。在整个表面无沾污、溶剂残留物、蜡残 留物或按合同规定。 5.5 参考面的取向、形状和尺寸 GB/T XXXXXXXXXGB/T XXXXXXXXX 3 50.8 mm(2)、63.5 mm(2.5)衬底参考面的取向和长度在有客户特殊要求时应在合同中签 订。 5.6 外形几何尺寸 衬底的外形几何尺寸应符合表3的规定。 表 3 外形几何尺寸 晶片直径 序号外形几何尺寸要求项目 50.8 mm(2)63.5 mm(2.5) 1 晶片直径及偏差， mm 50.80.563.50.5 晶
15、片厚度及偏差， m（280500）15（300600）20 2 总厚度变化 TTV，m 1215 3 平整度 TIR，m 68 4 翘曲度 Warp，m 1215 注：如客户对外形尺寸有其它特殊要求时，双方商议后在合同中签订。 6 检验方法 6.1 电学性能检测 6.1.1 衬底片电阻率检测 6.1.1.1 衬底片电阻率检测按 GB/T4326 规定的测量方法进行。 6.1.1.2 衬底片电阻率检测也可按本规范规范性附录 A 规定的测量方法进行。 6.1.2 衬底片迁移率检测 6.1.2.1 衬底片迁移率检测按 GB/T4326 规定的测量方法进行。 6.1.2.2 衬底片迁移率检测也可按本规
16、范规范性附录 B 规定的测量方法进行。 6.1.3 衬底片载流子浓度检测 6.1.3.1 衬底片载流子浓度检测按 GB/T4326 规定的测量方法进行。 6.1.3.2 衬底片载流子浓度检测也可按本规范规范性附录 B 规定的测量方法进行。 6.2 衬底片表面晶向及晶向偏差检测 衬底片表面晶向及晶向偏差检测按GB/T 1555规定的测定方法进行。 6.3 衬底的位错密度检测 衬底的位错密度按GJB 3076 磷化镓单晶片规范的附件件A 规定的测量方法进行。 6.4 衬底片表面质量检测 GB/T XXXXXXXXX 4 衬底片表面质量检测按GB/T 6624规定的测量方法进行。 6.5 衬底的参考
17、面取向和尺寸长度检测 6.5.1 衬底的参考面取向按 GB/T 13388 规定的测量方法进行。 6.5.2 衬底的参考面尺寸长度按 GB/T 13387 规定的测量方法进行。 6.6 外形几何尺寸检测 6.6.1 衬底片直径及偏差按 GB/T 14140.2 规定的测量方法进行。 6.6.2 衬底片厚度及偏差和总厚度变化按 GB/T 6618 规定的测量方法进行。 6.6.3 衬底片表面平整度按 GB/T 6621 规定的测量方法进行。 6.6.4 衬底片翘曲度按 GB/T 6620 规定的测量方法进行。 7 检验规则 7.1 检验条件 除另有规定外，应在下列条件下进行检验： a)温度： 23 5； b)相对湿度：20%-70%； c)大气压力：86KkPa-106KkPa； d)洁净度： 10000 级；。 7.2 检验和验收
