1、模拟电子技术基础课程教学辅助系统是助教型多媒体课件，供教师上课使用。本课件2000年由高等教育出版社出版，2001年获国家教学成果二等奖。考虑版权问题，在尚未征得出版社同意之前，目前在网上只给出了封面、编辑界面示意图，以及一小部分课程内容。供评审专家和教师审阅。用鼠标点击左下方或右下方的播放按键，即可播放。按盘上的“”键，前进；按“”键后退；按“Esc”键，再用鼠标点击屏幕右上角的“”，可退出。在播动画时，如提示有病毒，可按“确定”键播放。被蔫淡卿石喉伙蕊矛壮千买梧筛妓链辱锐肪柄碘粳西粗柒澄崩甥修疤美来1模拟课件双极型晶体管x1模拟课件双极型晶体管x11/13/2023 半导体三极管有两大类型
2、，半导体三极管有两大类型，一是一是双极型半导体三极管双极型半导体三极管 二是二是场效应半导体三极管场效应半导体三极管2.1 双极型半导体三极管2.2 场效应半导体三极管 双极型半导体三极管是由两种载流子参与导电的半导体器件，它由两个 PN 结组合而成，是一种CCCS器件。场效应型半导体三极管仅由一种载流子参与导电，是一种VCCS器件。镇蚕厉括奈便俄柔淫侄谱像稼素铂茅糠膏墙赖犀瞻场屈耍援口疵泊缝诡迸1模拟课件双极型晶体管x1模拟课件双极型晶体管x11/13/20232.1.1 2.1.1 双极型半导体三极管的结构双极型半导体三极管的结构2.1.2 2.1.2 双极型半导体三极管电流的分配双极型半
3、导体三极管电流的分配 与控制与控制2.1.3 2.1.3 双极型半导体三极管的电流关系双极型半导体三极管的电流关系2.1.4 2.1.4 双极型半导体三极管的特性曲线双极型半导体三极管的特性曲线2.1.5 2.1.5 半导体三极管的参数半导体三极管的参数2.1.6 2.1.6 半导体三极管的型号半导体三极管的型号 2.1 双极型半导体三极管谤鉴萨持沛辽绍尉便樱防碎叼扰蒂作痴懂宿捐章绒多褪硫嫌铡愤乖需姐六1模拟课件双极型晶体管x1模拟课件双极型晶体管x11/13/2023 2.1 双极型半导体三极管的工作原理 半导体三极管在英文中称为晶体管(Transister)，半导体三极管有两大类型，一是双
4、极型半导体三极管(BJT)，二是场效应半导体三极管(FET)。双极型半导体三极管是由两种载流子参与导电的半导体器件，它由两个 PN 结组合而成，是一种电流控制电流源器件（CCCS）。场效应型半导体三极管仅由一种载流子参与导电，是一种电压控制电流源器件（VCCS）。2.1.1 双极型半导体三极管的结构NPN型PNP型这是基极b这是发射极e这是集电极c这是发射结Je这是集电结Jc 三极管的符号短粗线代表基极,发射极的箭头方向,代表发射极电流的实际方向。踏赣圭什长臭塘筹屁粟钧痘递币贾蚂化厘特筋宾俊烘和瓢郧孰宴喻控汰友1模拟课件双极型晶体管x1模拟课件双极型晶体管x 双极型三极管的符号在图的下方给出，
5、发双极型三极管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。射极的箭头代表发射极电流的实际方向。从外表上看两个从外表上看两个N区区,(或两个或两个P区区)是对称的，是对称的，实际上实际上发射区的掺杂浓度大发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度集电区掺杂浓度低低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米。厚度一般在几个微米至几十个微米。翁建论擅江筹庭仁窗蘸惺暴鞠赢役炼赞鱼捷猪骨胳月粘章砂伪淳拦厅涛匿1模拟课件双极型晶体管x1模拟课件双极型晶体管x 2.1.2 双极型半导体三极管的电流分配关系 双极型三极管在制造时，要求发射
6、区的掺杂浓度大，基区掺杂浓度低并要制造得很薄，集电区掺杂浓度低，且集电结面积较大。从结构上看双极型三极管是对称的，但发射极和集电极不能互换。双极型半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。若在放大工作状态：发射结加正向电压，集电结加反向电压。现以 NPN型三极管的放大状态为例，来说明三极管内部载流子的运动关系，见下图。IENICNIEPICEOIEICIBIBN注意图中画的是载流子的运动方向，空穴流与电流方向相同；电子流与电流方向相反。为此可确定三个电极的电流IE=IEN+IEP且IEN IEPIC=ICN+ICBO ICN=IEN-IBN IB=IEP+IBN-ICBO苹窃悦贷婉扑漂
7、捌恐之师敌歼央锋傣斌咙点挪冰熟概峰轧腑舵倚旦垢睦牺1模拟课件双极型晶体管x1模拟课件双极型晶体管x 由此可写出三极管三个电极的电流IENICNIEPICEOIEICIBIBNIE=IEN+IEP且IEN IEPIC=ICN+ICBO ICN=IEN-IBN IB=IEP+IBN-ICBO 发射极电流：IE=IEN IEP 且有IENIEP 集电极电流：IC=ICN+ICBO ICN=IEN-IBN 且有IEN IBN ，ICNIBN 基极电流：IB=IEP+IBNICBO 所以，发射极电流又可以写成 IE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN =(ICN+ICBO)+(IBN+IEPICBO
8、)=IC+IB 娃拎胎哼标冲苛击矛映毗图兵靴眉输哆舱盅榜驮磁森搓芯锨磷骆原申傅锋1模拟课件双极型晶体管x1模拟课件双极型晶体管x 从以上分析可知，对于NPN型三极管，集电极电流和基极电流是流入三极管，发射极电流是流出三极管，流进的电流等于流出的电流。由以上分析可知，发射区掺杂浓度高，基区掺杂浓度低且很薄，是保证三极管能够实现电流放大的关键。若两个PN结对接，相当基区很厚，所以没有电流放大作用，基区从厚变薄，两个PN结演变为三极管，这是量变引起质变的又一个实例。动画2-1茨棋讳蛀长慢勇术笑拱墓贺房曙曳恃久汗颇末巾记赐以苗之注格袋批箔绸1模拟课件双极型晶体管x1模拟课件双极型晶体管x问题1：除了从
9、三极管的电流分配关系可以 证明 IE=IC+IB。还可以通过什么方 法加以说明？问题2：为什么当温度升高时，三极管将失 去放大作用？从物理概念上加以说 明。蓑渊遏赐番比垢贰柒赶赘骆胖花轧崇游触榴饱拱周点脖炽溃虎腿勘咆趣糯1模拟课件双极型晶体管x1模拟课件双极型晶体管x 2.1.3 双极型半导体三极管的电流关系2.1.3.1 三种组态 双极型三极管有三个电极，其中两个可以作为输入,两个可以作为输出，这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态，如共发射极接法，也称共发射极组态，简称共射组态，见下图。共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示；
10、共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。窥裳撑缴女锈竹娩陋粳恍爬等顿颜暗淌卑牙漏酪丘芬痈庙命宵求澜具瑰驱1模拟课件双极型晶体管x1模拟课件双极型晶体管x 2.1.3.2 三极管的电流放大系数1.共基极直流电流放大系数 电流放大系数，一般来说是指输出电流与输入电流的比。由于组态不同，三极管的输入电极和输出电极不同，所以对共基组态，输出电流是集电极电流IC，输入电流是发射极电流IE，二电流之比的关系可定义为：称为共基极直流电流放大系数称为共基极直流电流放大系数。它表示最后达到集电极的电子电流ICN与总发射极电流IE的比值。ICN与IE相比，因ICN中没有IEP和IBN，所以 的值小于1，但接近1
11、。由此可得：IC=ICN+ICBO=IE+ICBO=(IC+IB)+ICBO 促孜丫迎晒嚏葬帝碰搐肠羚爷驮朱裔遮藤排辣樟揭猴皱剁稻仍鸳抖舌抢额1模拟课件双极型晶体管x1模拟课件双极型晶体管x 2.共发射极直流电流放大系数 对共射组态的电流放大系数，输出电流是集电极电流IC，输入电流是基极电流IB，二电流之比可定义：称为共发射极接法直流电流放大系数称为共发射极接法直流电流放大系数。于是因 1,所以 1。竣薪钟钞螟存眺茫贰康收财剔量顽琴堆倒斑污漱嗅怜靖哇弥助讹杖蔷磋跨1模拟课件双极型晶体管x1模拟课件双极型晶体管x2.1.3双极型半导体三极管的电流关系 (1)(1)三种组态三种组态 双极型三极管有
12、三个电极，其中两个可双极型三极管有三个电极，其中两个可以作为输入以作为输入,两个可以作为输出，这样必然两个可以作为输出，这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态组态，见图，见图02.03。共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示;共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；图 02.03 三极管的三种组态窖拼隙把硅培团衷疾乾海傻炯稼呈镊千谨钱卵塞疾劳凑陇镑泛媒衣盐云领1模拟课件双极型晶体管x1模拟课件双极型晶体管x11/13/2023(2)三极管的电流放大系数 对于集电极电流对于集电极电流IC和发射
13、极电流和发射极电流IE之间的之间的关系可以用系数来说明，定义关系可以用系数来说明，定义:称为称为共基极直流电流放大系数共基极直流电流放大系数。它表示最。它表示最后达到集电极的电子电流后达到集电极的电子电流ICN与总发射极电流与总发射极电流IE的比值。的比值。ICN与与IE相比，因相比，因ICN中没有中没有IEP和和IBN，所以所以 的值小于的值小于1,但接近但接近1。由此可得。由此可得:IC=ICN+ICBO=IE+ICBO=(IC+IB)+ICBO管尺堡织苔募烫恤疯丹霖涂扦捕键却乓贞朗纳柴番纬惹批化蛊巨隅楚皱溢1模拟课件双极型晶体管x1模拟课件双极型晶体管x因 1,所以 1定义:=IC/IB
14、=(ICN+ICBO)/IB称为共发射极接法直流电流放大系数。于是两伪模苗瑰种口婆赁肆怂汁都虞疽吕笆颂寥友略砸领夯丰凭毙除杰倍碉裤1模拟课件双极型晶体管x1模拟课件双极型晶体管x2.1.4 双极型半导体三极管的特性曲线 这里，这里，B表示输入电极，表示输入电极，C表示输出电极，表示输出电极，E表示公共电极。所以这两条曲线是共发射极表示公共电极。所以这两条曲线是共发射极接法的特性曲线。接法的特性曲线。iB是输入电流，是输入电流，vBE是输入电压是输入电压，加在，加在B、E两电极之间。两电极之间。iC是输出电流，是输出电流，vCE是输出电压是输出电压，从，从C、E 两电极取出。两电极取出。输入特性
15、曲线 iB=f(vBE)vCE=const 输出特性曲线 iC=f(vCE)iB=const本节介绍共发射极接法三极管的特性曲线，即很弃诈症伪迎攀搪辟锣汁恍锯奠窟拒洞弘菇惊驮乞生刘者酚裤铜溅嵌织泉1模拟课件双极型晶体管x1模拟课件双极型晶体管x11/13/2023 共发射极接法的供电电路和电压共发射极接法的供电电路和电压-电流电流关系如图关系如图02.0402.04所示所示。图02.04 共发射极接法的电压-电流关系蟹掷扶存沽杖巧尤苟义嘛顾卢卤态底账材撰挞盘护尉砌钒足惑甥把姚蛮艾1模拟课件双极型晶体管x1模拟课件双极型晶体管x 简单地看，输入特性曲线类似于发射简单地看，输入特性曲线类似于发射结
16、的伏安特性曲线，现讨论结的伏安特性曲线，现讨论iB和和vBE之间的之间的函数关系函数关系。因为有集电结电压的影响，。因为有集电结电压的影响，它它与一个单独的与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。结的伏安特性曲线不同。为了排除为了排除vCE的影响，在讨论输入特性曲线的影响，在讨论输入特性曲线时，应使时，应使vCE=const(常数常数)。(1)输入特性曲线 vCE的影响，可以用三极管的内部反馈作用解释，即vCE对iB的影响。嘎铆鞠镰酿发糯水圃籽蹬互歇刻罐瀑涟星讶裴婉故僳离唁悯治钻采脊袋玉1模拟课件双极型晶体管x1模拟课件双极型晶体管x 共发射极接法的输入特性曲线见图共发射极接法的输入特性曲线见图
17、02.0502.05。其。其中中vCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。的那一条相当于发射结的正向特性曲线。当当vCE1V时，时，vCB=vCE-vBE0，集电结已进入反，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，且基区复合减少，偏状态，开始收集电子，且基区复合减少，IC/IB 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但vCE再增再增加时，曲线右移很不明加时，曲线右移很不明显。曲线的右移是三极显。曲线的右移是三极管内部反馈所致，右移管内部反馈所致，右移不明显说明内部反馈很不明显说明内部反馈很小。小。输入特性曲线的分输入特性曲线的分区：区：死区死区 非线性区非线性
18、区 线性区线性区 图图02.05 02.05 共射接法输入特性曲线共射接法输入特性曲线蛔悄亢集熬谢娥境俗纫哆竖服狡醇歧帜冬饱乐览攒抒说超怯韭僳折放征蹭1模拟课件双极型晶体管x1模拟课件双极型晶体管x(2)输出特性曲线 共发射极接法的输出特性曲线如图共发射极接法的输出特性曲线如图02.0602.06所示，它是以所示，它是以iB为参变量的一族特性曲线。现以其中任何一条加以说明，为参变量的一族特性曲线。现以其中任何一条加以说明，当当vCE=0 V时，因集电极无收集作用，时，因集电极无收集作用，iC=0。当。当vCE稍增大时，稍增大时，发射结虽处于正向电压发射结虽处于正向电压之下，但集电结反偏电之下，
19、但集电结反偏电压很小，如压很小，如 vCE 1 V vBE=0.7 V vCB=vCE-vBE=0.7 V集电区收集电子的能力集电区收集电子的能力很弱，很弱，iC主要由主要由vCE决定。决定。图图02.06 02.06 共发射极接法输出特性曲线共发射极接法输出特性曲线桅奸朔盾顶殿微煌极箭蹋口艘飞眩晌徊淤况酿柱揪柜吟戒稠颧板抒舶变袭1模拟课件双极型晶体管x1模拟课件双极型晶体管x 当当vCE增加到使集电结反偏电压较大时，如增加到使集电结反偏电压较大时，如 vCE 1 V vBE 0.7 V运动到集电结的电子运动到集电结的电子基本上都可以被集电基本上都可以被集电区收集，此后区收集，此后vCE再增再
20、增加，电流也没有明显加，电流也没有明显的增加，特性曲线进的增加，特性曲线进入与入与vCE轴基本平行的轴基本平行的区域区域(这与输入特性曲这与输入特性曲线随线随vCE增大而右移的增大而右移的原因是一致的原因是一致的)。图图02.06 02.06 共发射极接法输出特性曲线共发射极接法输出特性曲线 动画2-2垒抛滇城翘伴狮匡屎超诊业钒蔗崖懈兜载蓟陷蛇府捕藏挤瞄蛇分尉奎推嵌1模拟课件双极型晶体管x1模拟课件双极型晶体管x 输出特性曲线可以分为三个区域输出特性曲线可以分为三个区域:饱和区iC受vCE显著控制的区域，该区域内vCE的 数值较小，一般vCE0.7 V(硅管)。此时 发射结正偏，集电结正偏或反
21、偏电压很小。截止区iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时，发射结反偏，集电结反偏。放大区iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏，电压大于0.7 V左右(硅管)。书仁峨呐盟没儒耳沉矩遥任傲小禹愿除眉熔烙瞳槐拂证妒移饼寇淡李孜眠1模拟课件双极型晶体管x1模拟课件双极型晶体管x2.1.5 半导体三极管的参数 半导体三极管的参数分为三大类半导体三极管的参数分为三大类:直流参数直流参数 交流参数交流参数 极限参数极限参数 (1)(1)直流参数直流参数 直流电流放大系数直流电流放大系数 1.1.共发射极直流电流放大系数共发射极直流电流放大系数 =（ICICEO）
22、/IBIC/IB vCE=const欧粉后酵诊益褪吉块咽招釜蕊滴纲频熔渗屠匣雌鲁窜鱼芯链圣踏报扒婉嚎1模拟课件双极型晶体管x1模拟课件双极型晶体管x 在放大区基本不变。在共发射极输出特性在放大区基本不变。在共发射极输出特性曲线上，通过垂直于曲线上，通过垂直于X轴的直线轴的直线(vCE=const)来求来求取取IC/IB，如图，如图02.07所示。在所示。在IC较小时和较小时和IC较大较大时，时，会有所减小，这一关系见图会有所减小，这一关系见图02.08。图02.08 值与IC的关系图 02.07 在输出特性曲线上决定狠船心茎子皆雹坐丈术读浦淤赞侥鸥诞瘴拈运张俯瘫阿常戮访恩吃勾落腾1模拟课件双极
23、型晶体管x1模拟课件双极型晶体管x 2.共基极直流电流放大系数共基极直流电流放大系数 =（ICICBO）/IEIC/IE 显然显然 与与 之间有如下关系之间有如下关系:=IC/IE=IB/1+IB=/1+报吏承掳拇珠低忆酋平远茶住利陪状授曹潍再平晓榔腺搜戎度天边冤承软1模拟课件双极型晶体管x1模拟课件双极型晶体管x 极间反向电流极间反向电流 1.集电极基极间反向饱和电流ICBO ICBO的下标CB代表集电极和基极，O是Open的字头，代表第三个电极E开路。它相当于集电结的反向饱和电流。2.集电极发射极间的反向饱和电流集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO和和ICBO有如下关系有如下关系
24、 ICEO=（1+）ICBO 相当基极开路时，集电极和发射极间的反向相当基极开路时，集电极和发射极间的反向饱和电流，即输出特性曲线饱和电流，即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应那条曲线所对应的的Y坐标的数值。如图坐标的数值。如图02.09所示。所示。瑰囱蓝滞助拓力阶胳护城卜愿醛凤摩它吾换匪飘谴双钧祭蛹肛晚黍缺闰画1模拟课件双极型晶体管x1模拟课件双极型晶体管x 图图02.09 ICEO在输在输出特性曲线上的位置出特性曲线上的位置锣运惠击阮铭叙齐逸悟执雪郭扒塔厌姨巍拂枢丙势搓邦柬箭城犯杨嘎婶观1模拟课件双极型晶体管x1模拟课件双极型晶体管x(2)交流参数交流电流放大系数 1.共发射极交流电流放大
25、系数 =IC/IBvCE=const 在放大区在放大区 值基本不变，可在共射接法输出值基本不变，可在共射接法输出特性曲线上，通过垂特性曲线上，通过垂直于直于X 轴的直线求取轴的直线求取 IC/IB。或在图。或在图02.08上通过求某一点的上通过求某一点的斜率得到斜率得到。具体方具体方法如图法如图02.10所示。所示。图02.10 在输出特性曲线上求诅陈吃曲知妖攀资粘瞅损撬谎赌叹悲庭谰宿烷噶剥浅糖焰郎厦债奋持康惯1模拟课件双极型晶体管x1模拟课件双极型晶体管x 2.共基极交流电流放大系数共基极交流电流放大系数 =IC/IE VCB=const当当ICBO和和ICEO很小时，很小时，、，可以不加区
26、分。，可以不加区分。特征频率fT 三极管的值不仅与工作电流有关，而且与工作频率有关。由于结电容的影响，当信号频率增加时，三极管的将会下降。当下降到1时所对应的频率称为特征频率，用fT表示。编合边霞驴闪奄舀需劈咱韭锤处瓢俊戳睁盏景脂痔套假牺诬屎紊减娟其碳1模拟课件双极型晶体管x1模拟课件双极型晶体管x(3)极限参数 集电极最大允许电流ICM 如图如图02.08所示，当集电极电流增加时，所示，当集电极电流增加时，就就要下降，当要下降，当 值值下降到线性放大区下降到线性放大区 值的值的7030时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流流ICM。至于。至于
27、值值下降多少，不同型号的三极管，下降多少，不同型号的三极管，不同的厂家的规定有不同的厂家的规定有所差别。可见，当所差别。可见，当ICICM时，并不表时，并不表示三极管示三极管会损坏。会损坏。图图02.08 值与值与IC的关系的关系蛰刮竖地磕瓣术捎昭恢胯斤茄扦炎确苦抹斤枕冶辜糊锨猴绚廉硬既赢精挽1模拟课件双极型晶体管x1模拟课件双极型晶体管x集电极最大允许功率损耗PCM 集电极电流通过集电结时所产生的功耗，集电极电流通过集电结时所产生的功耗，PCM=ICVCBICVCE，因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集电结上。在计算时往往用在集电结上。在计算时往往
28、用VCE取代取代VCB。侮奎空斧翘痰膜勤筒巍妥细卫西针络辽磐庆便涉曼拎屎鸦辣藉脖篆袱屑蛾1模拟课件双极型晶体管x1模拟课件双极型晶体管x 反向击穿电压 反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电压的能力，其测试时的原理电路如图压的能力，其测试时的原理电路如图02.1102.11所示。所示。图图02.11 02.11 三极管击穿电压的测试电路三极管击穿电压的测试电路包烯莫傍锭俊搭些饰齿炕楞韭盟驱粤凄炙幼捂何昂睛帛极揪敢夸屁坍日桨1模拟课件双极型晶体管x1模拟课件双极型晶体管x 1.V(BR)CBO发射极开路时的集电结击穿电压。发射极开路时的集电结击穿电压。下标下
29、标BR代表击穿之意，是代表击穿之意，是Breakdown的字头，的字头，CB代表集电极和基极，代表集电极和基极，O代表第三个电极代表第三个电极E开路。开路。2.V(BR)EBO集电极开路时发射结的击穿电压。3.V(BR)CEO基极开路时集电极和发射极间的 击穿电压。对于V(BR)CER表示BE间接有电阻，V(BR)CES表示BE间是短路的。几个击穿电压在大小上有如下关系 V(BR)CBOV(BR)CESV(BR)CERV(BR)CEOV(BR)EBO钉了颐珐塘旷寒窘祭滴蓉丹还宇役点雕淳融践院球迪寥糖押鲤抛郧敦媚供1模拟课件双极型晶体管x1模拟课件双极型晶体管x 由由PCM、ICM和和V(BR)
30、CEO在输出特性曲线上可以在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区，见图确定过损耗区、过电流区和击穿区，见图02.12。图图02.12 02.12 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区输出特性曲线上的过损耗区和击穿区高稳堡蒜背屏赘雨刑乘像唤家赖零掠毖饰停酷摊苟捍寝呐息婚济克葱赏嚎1模拟课件双极型晶体管x1模拟课件双极型晶体管x 2.1.6 半导体三极管的型号国家标准对半导体三极管的命名如下国家标准对半导体三极管的命名如下:3 D G 110 B 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管
31、用字母表示材料用字母表示器件的种类用数字表示同种器件型号的序号用字母表示同一型号中的不同规格三极管亭煌惹标城蛙颧豹甄甩运汉讣椿泽狈喻枚垣豹舰镇编途馈启铣篮希壕艰页1模拟课件双极型晶体管x1模拟课件双极型晶体管x11/13/2023 表02.01 双极型三极管的参数 参 数型 号 PCM mW ICM mAVR CBO VVR CEO VVR EBO V IC BO A f T MHz3AX31D 125 125 20 126*83BX31C 125 125 40 246*83CG101C3CG101C 100 30 450.1 1003DG123C3DG123C 500 50 40 300.353DD101D3DD101D 5A 5A 300 25042mA3DK100B3DK100B 100 30 25 150.1 3003DKG23 250W 30A 400 325 8注：*为 f 鞠外旗奉特迢哪褂烹姻及骡牡馏唁献舵脑榨哇戌恫梦吻绣弦御哟堡妨究座1模拟课件双极型晶体管x1模拟课件双极型晶体管x11/13/2023
