1、 MOOC 模拟电子线路 A-南京邮电大学 中国大学慕课答案第 1 单元随堂测试：半导体导电机理1、问题：在本征半导体中，空穴浓度_电子浓度？A、大于， B、小于， C、等于， D、不确定选项：A、AB、BC、CD、D正确答案:【C】2、问题：试判断当温度升高时，关于本征半导体中载流子的变化的几种说法是否正确。（1）自由电子个数增加，空穴个数基本不变；（2）自由电子个数基本不变，空穴个数基本增加；（1）自由电子和空穴的个数都增加，且它们增加的数量相等；（1）自由电子和空穴的个数都基本不变。选项：A、（1）对（2）错（3）错（4）错B、（1）错（2）对（3）错（4）错C、（1）错（2）错（3）对
2、（4）错D、（1）错（2）错（3）错（4）对正确答案:【（1）错（2）错（3）对（4）错】3、问题：N 型半导体是在纯净半导体中掺入_；P 型半导体是在纯净半导体中掺入_。A、带负电的电子， B、带正电的离子，C、三价元素，如硼等， D、五价元素，如磷等选项：A、ABB、BCC、CDD、DC正确答案:【DC】4、问题：在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_，而少数载流子的浓度与_关系十分密切。A、温度， B、掺杂工艺， C、杂质浓度选项：A、ABB、ACC、AD D、CA正确答案:【CA】第 2 单元随堂测试：PN 结及其特性1、问题：当 PN 结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层
3、；当 PN 结外加反向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。A、大于， B、小于， C、等于， D、变宽， E、变窄， F、不变选项：A、ABEFB、ADCFC、AEBDD、AFCE正确答案:【AEBD】2、问题：PN 结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】3、问题：PN 结方程既描写了 PN 结的正向特性和反向特性，又描写了 PN 结的反向击穿特性。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】第 3 单元随堂测试：二极管的伏安特性和主要参数1、问题：在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而_；在保持二极管的正向电流不变的条件下，
4、二极管的正向导通电压随温度升高而_。A、增大， B、减小， C、不变选项：A、ABB、ACC、BCD、CA正确答案:【AB】2、问题：在如图所示的电路中，当 V6V 时，测得 I2mA，。则当 V 降至 3V时，则 I 将为_。A、小于 1mA， B、1mA， C、大于 1mA，但小于 2mA， D 、2mA选项：A、AB、BC、CD、D正确答案:【A】第 5 单元随堂测试：二极管基本电路1、问题：设 VD1、VD2 的正向压降为 0.3V，试分析在某种 U1=3V、U2=0V 组态下，VD1、VD2 是导通还是截止，并求 UO 的值。 选项：A、VD1 导通，VD2 导通，Uo=0.3VB、
5、VD1 导通，VD2 截止，Uo=0.3VC、VD1 截止，VD2 导通，Uo=0.3VD、VD1 截止，VD2 截止，Uo=3.3V正确答案:【VD1 截止，VD2 导通，Uo=0.3V】2、问题：已知电路和输入电压的波形如图所示：设二极管特性为理想的，请问下图的输出电压波形正确吗？选项：A、正确 B、错误正确答案:【正确】第 6 单元随堂测试：稳压二极管1、问题：已知电路中稳压管 VDZ1 和 VDZ2 的稳定电压分别为 6V 和 9V，求电压UO 的值。选项：A、（a）Uo=3V（b）Uo=3VB、（a）Uo=3V（b）Uo=0VC、（a）Uo=0V（b）Uo=3VD、（a）Uo=0V（
6、b）Uo=0V正确答案:【（a）Uo=0V（b）Uo=3V】PN 结与半导体二极管单元测试1、问题：P 型半导体中，少数载流子是：选项：A、自由电子B、空穴C、带负电的杂质离子D、带正电的杂质离子正确答案:【自由电子】2、问题：在本征半导体中掺入五价元素后的半导体为：选项：A、本征半导体B、五价半导体C、P 型半导体D、N 型半导体正确答案:【N 型半导体】 3、问题：稳压管是利用 PN 结的（ ）特性制作而成的。选项：A、单向导电性B、反向击穿性C、正向特性D、稳压特性正确答案:【反向击穿性】4、问题：在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_，而少数载流子的浓度与_关系十分密切。（A、温
7、度， B、掺杂工艺， C、杂质浓度）选项：A、ABB、BCC、CAD、CB正确答案:【CA】5、问题：如果给 N 型半导体中掺入足够多的三价元素，可将其改型为 P 型半导体。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】6、问题：由于 N 型半导体中存在大量自由电子，故 N 型半导体会带负电。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】7、问题：PN 结正偏时，势垒电容是主要的。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】8、问题：当 PN 结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄；当 PN结外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】 第 1 单元随
8、堂测试：结型场效应管的工作原理1、问题：场效应管属于_（A、电压， B、电流）控制型元件，栅极的_（A、电压， B、电流）几乎等于零。选项：A、AAB、BBC、ABD、BA正确答案:【AB】2、问题：一个 JFET 的转移特性曲线如图所示，则它是 N 沟道 JFET。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】第 3 单元随堂测试：场效应管的参数1、问题：场效应管的跨导/选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】第 4 单元随堂测试：场效应管放大电路基础 1、问题：某直接耦合放大电路在输入电压为 0.3V 时，输出电压为 2V；输入电压为 0.1V 时，输出电压为 9V（均指直流电压）。则该放大电路
9、的电压放大倍数为_。A、90， B、35， C、35 ， D、30 ， E、20选项：A、AB、BC、CD、D正确答案:【B】2、问题：放大电路中的静态分量是指_，动态分量是指_。A、直流电源所提供的电压、电流 ，B、电压、电流中不随输入信号变化的部分，C、电压、电流中随输入信号变化的部分 ，D、正弦交流输入、输出信号选项：A、ABB、BCC、CDD、DA正确答案:【BC】第 5 单元随堂测试：场效应管的直流偏置电路1、问题：场效应管放大电路某常用的栅压偏置电路如图所示，说明该电路可用于哪些类型场效应管 A、结型， B、增强型 MOS， C、耗尽型 MOS， D、前述全部三种类型的场效应管选项
10、：A、AB、BC、CD、D正确答案:【C】场效应管及其放大电路（1）单元测试 1、问题：某场效应管的 IDSS 为 6mA，而 ID 从漏极流出，大小为 8mA，则该管为：选项：A、N 沟道结型管B、P 沟道结型管C、耗尽型 PMOS 管D、耗尽型 NMOS 管E、增强型 PMOS 管F、增强型 NMOS 管正确答案:【耗尽型 PMOS 管】2、问题：下图中的四个偏置电路中，能正常工作的是： 选项：A、(b)B、（a)C、(c)D、(d)正确答案:【(c)】 3、问题：图示电路中，若源极电阻 RS 增大，则该电路的漏电流 ID 会：选项：A、减小B、增大C、不变D、不定正确答案:【不变】 4、
11、问题：某场效应管的转移特性曲线如图所示，试问该管子是什么类型？选项：A、N 沟道 JFETB、P 沟道 JFETC、N 沟道增强型 MOS 管D、N 沟道增强型 MOS 管正确答案:【N 沟道 JFET】5、问题：由耗尽型 NMOS 场效应管构成的共源放大电路如图（a）所示，若用示波器观察电路的输入、输出波形出现图（b）所示的波形，则可判断该电路： 选项：A、静态工作点过于靠近截止区B、静态工作点过于靠近饱和区C、静态工作点过于靠近恒流区D、静态工作点过于靠近击穿区正确答案:【静态工作点过于靠近截止区】 6、问题：如图两个电路能否放大输入信号？选项：A、（a）不可以 （b）不可以B、（a）可以
12、 （b）可以C、（a）可以 （b）不可以D、（a）不可以 （b）可以正确答案:【（a）不可以 （b）不可以】7、问题：共源放大电路的输入电阻通常_（A、大于， B、小于， C、等于）共射放大电路的输入电阻，因此共源放大电路从信号源索取的电流比较_（A、大， B、小，C、适中）。选项：A、AAB、ABC、AC D、BAE、BBF、BCG、CAH、CBI、CCJ、均不正确正确答案:【AB】第 1 单元随堂测试：场效应管工作状态分析1、问题：放大电路及晶体管输出特性如图所示。设晶体管的 UBEQ0.7V，UCES=0.5V，电容容量足够大，对交流电路可视为短路。试用图解法确定静态时的 ICQ 和 U
13、CEQ。选项：A、ICQ=0.5mAUCEQ=12.5VB、ICQ=1mAUCEQ=10VC、ICQ=1.5mAUCEQ=7.5VD、ICQ=2mAUCEQ=5V正确答案:【ICQ=2mAUCEQ=5V】2、问题：试判断图示放大电路中的 PMOS 管是否能正常工作？选项：A、正确 B、错误正确答案:【错误】第 2 单元随堂测试：结型场效应管放大电路动态分析-图解法1、问题：在图示放大电路中，当输入一正弦电压后，输出电压顶部出现削平失真，说明管子进入了_（A、夹断区， B、可变电阻区）为了减小失真程度应增大_。（A、， B、）选项：A、AAB、BBC、ABD、BA正确答案:【AA】2、问题：在图
14、示放大电路中，输入端加上幅度适中的正弦电压，输出电压波形无明显削平失真。如果发生开路，则输出电压幅度将_（A、增大， B、减小）如果此时输出电压波形出现削平失真，则一定出现在_（A、顶部， B、底部）选项：A、AAB、BBC、ABD、BA正确答案:【AB】3、问题：放大电路的非线性失真表现为输入某一频率正弦信号时，输出信号中出现一定量的谐波成分。 选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】第 3 单元随堂测试：场效应管的交流小信号模型1、问题：可以粗略估计在图示电路中的输入电阻约为_。A、1M， B、100k，C、3k， D、100选项：A、AB、BC、CD、D正确答案:【A】2、问题：在共源放
15、大电路中，当负载电阻减小时，电压放大倍数绝对值下降（），输出电阻也减小（）。选项：A、对对B、对错C、错对D、错错正确答案:【错对】3、问题：在共源组态和共漏组态两种放大电路中，_的电压放大倍数比较大，_的输出电阻比较小。_的输出电压与输入电压是同相的。（A、共源组态， B、共漏组态）选项：A、ABAB、BABC、ABB D、BAA正确答案:【ABB】4、问题：MOS 场效应管的栅极输入电流几乎等于零，所以 MOS 管组成的放大电路的输入电阻总可以视为无穷大。（ ）选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】5、问题：输出电阻可以定义为输出电压正弦有效值与输出电流正弦有效值之比。（ ）选项：A、正
16、确B、错误正确答案:【错误】场效应管及其放大电路（2）单元测试1、问题：已知场效应管的输出特性或转移如题图所示，试判别其类型。（a） （b）选项：A、a 图为 N 沟结型 FET，b 图为 N 沟增强型 MOSFETB、a 图为 P 沟结型 FET，b 图为 N 沟增强型 MOSFETC、a 图为 N 沟结型 FET，b 图为 P 沟增强型 MOSFETD、a 图为 P 沟结型 FET，b 图为 P 沟增强型 MOSFET正确答案:【a 图为 P 沟结型 FET，b 图为 N 沟增强型 MOSFET】 2、问题：选项：A、可变电阻区B、恒流区C、截止区D、不能正常工作正确答案:【截止区】3、问
17、题：选项：A、可变电阻区B、恒流区C、截止区D、不能正常工作正确答案:【恒流区】 4、问题：选项：A、B、C、D、不能正常工作正确答案:【】 5、问题：选项：A、B、C、D、正确答案:【】 6、问题：选项：A、B、C、D、不能放大正确答案:【】 7、问题： 选项：A、B、C、 D、正确答案:【 】双极型晶体管的工作原理随堂测验1、问题：NPN 型晶体管处于放大状态时，三个电极电位应满足什么关系？选项：A、UCUBUEB、UC UB UEC、UBUEUCD、UB UE UC正确答案:【UCUBUE】2、问题：NPN 型晶体管处于放大状态时，由发射区注入基区的自由电子绝大多数被复合。选项：A、正确
18、B、错误正确答案:【错误】3、问题：共发射极电流放大系数的值通常为 20200。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】双极型晶体管的伏安特性曲线随堂测验 1、问题：共发射极组态中输出端口的电压为 UCE。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】2、问题：在共发射极输出特性曲线的放大区，uCE 对 iC 的控制作用很强。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】3、问题：共发射极输出特性曲线饱和区的特点是 uCE 很小。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】4、问题：在保持 iB 不变的条件下，温度每升高 1，uBE 大约下降 2mV。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】双极型晶体管的主要
19、参数随堂测验1、问题：晶体管的最大允许集电极电流 ICM 是指 下降到额定值 2/3 时的 IC 值。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】晶体管放大电路的放大原理随堂测验1、问题：UCEQ 表示（ ）。选项：A、直流分量；B、交流分量；C、交流分量的有效值；D、瞬时量；正确答案:【直流分量；】 直流通路和交流通路随堂测验1、问题：求解 UCEQ 时应利用交流通路。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】晶体管放大电路的静态工作点求解随堂测验1、问题：晶体管的直流模型有（ ）种？选项：A、1B、2C、3D、4正确答案:【3】2、问题：直流负载线方程 iC=f(uCE)由晶体管的内部特性决定。
20、选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】双极型晶体管及其放大电路（1）单元测验1、问题：已知晶体管工作在线性放大区，并测得各个电极对地电位如题图所示。试确定圆圈中晶体管的类型（ ）。选项：A、硅 NPNB、硅 PNPC、锗 NPND、锗 PNP正确答案:【硅 NPN】 2、问题：已知晶体管工作在线性放大区，并测得各个电极对地电位如题图所示。试确定圆圈中晶体管的类型（ ）。选项：A、锗 NPNB、锗 PNPC、硅 NPND、硅 PNP正确答案:【锗 PNP】3、问题：已测得晶体管各电极对地电位如题图所示，试判别晶体管的工作状态（）。选项：A、放大B、截止C、饱和D、损坏正确答案:【放大】4、问题
21、：已测得晶体管各电极对地电位如题图所示，试判别晶体管的工作状态（）。选项：A、放大B、饱和C、损坏D、截止正确答案:【损坏】 5、问题：某晶体管的共射输出特性曲线如题图所示。IBQ=0.3mA 时，Q1 点的 值为（ ）。选项：A、5B、50C、15D、0正确答案:【50】6、问题：某晶体管的共射输出特性曲线如题图所示，则该管的 PCM 约为（ ）。选项：A、500mWB、330mWC、200mWD、150mW正确答案:【330mW】 7、问题：某晶体管的共射输出特性曲线如题图所示，则该管的 U(BR)CEO 约为（）。选项：A、32VB、40VC、24VD、30V正确答案:【40V】晶体管工
22、作状态的判断随堂测验1、问题：晶体管截止的条件是 UBBUBE(on) ，且 UBBUCC。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】2、问题：NPN 晶体管处于放大状态的条件是 UBBUBE(on)，且 UCEQUBE(on) 。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】放大状态下的直流偏置电路随堂测验1、问题：固定偏流电路的优点是电路结构简单、工作点稳定性好。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】 2、问题：分压式直流负反馈偏置电路的优点是工作点稳定性好。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】放大电路的交流图解分析随堂测验1、问题：阻容耦合放大电路的交流负载线和直流负载线没有交点。选项：A
23、、正确B、错误正确答案:【错误】放大电路的动态范围和非线性失真随堂测验1、问题：对 NPN 管的共射放大器，Q 点过低时输出电压会出现削顶现象（顶部限幅）。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】晶体管的交流小信号模型随堂测验 11、问题：当输入信号是高频时，能用晶体管的混合 型交流小信号模型进行交流分析。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】晶体管的交流小信号模型随堂测验 21、问题：当输入信号是高频时，能用晶体管的 H 参数交流小信号模型进行交流分析。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】 共射放大电路的分析随堂测验1、问题：共射放大电路的电压放大倍数为负值，表示输出电压和输入电压的相
24、位相反。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】2、问题：有射极电阻的共射放大电路会使输入电阻变高。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】双极型晶体管及其放大电路（2）单元测验1、问题：晶体管电路如题图所示。已知 100，UBE 0.3V，则直流工作点ICQ、UCEQ 分别是( )。选项：A、2mA 5.4VB、4mA -5.4VC、2mA -5.4VD、4mA 5.4V正确答案:【2mA -5.4V】2、问题：放大电路及晶体管三极管的输出特性如题图 a、b 所示。设 UBE(on) 0V，各电容对信号视作短路，则晶体管的 和 rce 分别为（ ）。 选项：A、 B、100 C、0 0D、1
25、00 100正确答案:【100 】3、问题：放大电路及晶体管三极管的输出特性如题图所示。设 UBE(on) 0V，各电容对信号视作短路，则电路的交流负载线为（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】4、问题：放大电路如题图所示，已知 = 50，UBE = 0.7V，UCES = 0，RC = 2kW，RL = 20kW，UCC = 12V。若要求放大电路有最大的输出动态范围，则 RB 应调 到（ ）。选项：A、312KWB、168KWC、188KWD、212KW正确答案:【188KW】5、问题：放大电路及其交、直流负载线如题图所示，则 UCC、UCEQ、ICQ 值分别为 ( )。选项：A、B、
26、C、D、正确答案:【】6、问题：放大电路及其交、直流负载线如题图所示，已知 = 50，UBE = 0.7V，UCES = 0。则 RC、RL、RB 值分别为 ( )。 选项：A、B、C、D、正确答案:【】7、问题：题图所示为共射放大电路，设基极静态电流 IBQ= 20mA，RC= 2kW，RL= 2kW，UCC= 9V，RS= 150W，rbb= 0，厄尔利电压|UA|=100V，b=100，C为隔直、耦合电容。则静态工作点 UCEQ、源电压放大倍数 Aus= Uo / Us 、输入电阻 Ri 和输出电阻 Ro 分别为（ ）。选项：A、B、C、 D、正确答案:【】8、问题：晶体管电路如题图所示
27、。已知 100，UBE0.3V，若偏置电阻 RB1开路，则集电极电位 UC 及晶体管工作状态分别为（）。选项：A、12V 饱和B、0V 截止C、12V 放大D、0V 饱和正确答案:【0V 截止】9、问题：放大电路及其交、直流负载线如题图所示，则输出动态范围 Uopp 的值为 ( )。选项：A、2VB、4VC、6V D、12V正确答案:【4V】10、问题：硅晶体管电路如题图所示。设晶体管的 UBE(on) = 0.7V, b = 100。则管子工作在放大状态。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】11、问题：硅晶体管电路如题图所示。设晶体管的 UBE(on) = 0.7V, b = 100。则
28、管子工作在放大状态。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】12、问题：放大电路及晶体管三极管的输出特性如题图所示。设 UBE(on) 0V，各电容对信号视作短路，若电路中加接 RL = 2kW 的负载，设 RB 可调节，为得到最大的输出电压振幅值 Uom，工作点应选取 Q 点（）。 选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】共集放大电路的分析随堂测验1、问题：共集放大电路的显著特点是输出电阻低。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】2、问题：基极支路的电阻折算到发射极，电阻变高。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】共基放大电路的分析随堂测验1、问题：共基放大电路的电压增益为正表明输出电压
29、和输入电压的相位相同。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】2、问题：共基放大电路的显著特点是输入电阻低。选项：A、正确 B、错误正确答案:【正确】多级放大电路的耦合方式随堂测验1、问题：阻容耦合电路的优点是各级的直流工作点相互独立、频率特性好。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】多级放大电路的性能指标计算随堂测试1、问题：若已知三级放大电路的各级增益分别为 5、100、2 倍，则总增益为 107倍。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】常见的组合放大电路随堂测验1、问题：CE-CC 组合放大电路的输出电压与输入电压相位相反。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】2、问题：CE-CB
30、 组合放大电路的输出电压与输入电压相位相同。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】多级放大电路互评作业双极型晶体管及其放大电路（3）单元测验1、问题：电路如题图所示，电容 C 对信号可视为短路。半导体三极管的 b=100，rbb= 0，UT= 26mV，基极静态电流由电流源 IB 提供，设 IB= 20mA，RS=0.15kW，RE = RL= 2kW。试计算 Au= Uo / Ui。 选项：A、0.925B、0.875C、1.36D、0.987正确答案:【0.987】2、问题：电路如题图所示，电容 C 对信号可视为短路。半导体三极管的 b=100，rbb= 0，UT= 26mV，基极静态电
31、流由电流源 IB 提供，设 IB= 20mA，RS=0.15kW，RE=RL= 2kW。试计算 Ro。选项：A、0.15 kWB、1 kWC、2 kWD、0.014 kW正确答案:【0.014 kW】 3、问题：在题图所示的共基放大电路中，电容 C 对信号可视为短路。晶体管的 50，rbb= 50W，RB1= 30kW，RB2=15kW，UCC=12V，RC=3kW，RE=2kW，RL=3kW。该电路的静态工作点为（ ）。选项：A、IBQ= 0.07mA, ICQ= 3.58mA, UCEQ= -5.9VB、IBQ= 0.03mA, ICQ= 1.62mA, UCEQ= 2.9VC、IBQ=
32、0.03mA, ICQ= 1.62mA, UCEQ= 3.9VD、IBQ= 0.03mA,ICQ= 1.62mA,UCEQ= 8.7V正确答案:【IBQ= 0.03mA, ICQ= 1.62mA, UCEQ= 3.9V】4、问题：在题图所示的共基放大电路中，电容 C 对信号可视为短路，晶体管的 50，rbb= 50W，RB1= 30kW，RB2=15kW，UCC=12V，RC=3kW，RE=2kW，RL=3kW。该电路的增益 Au 为（ ）。 选项：A、175.6B、87.8C、-87.8D、-175.6正确答案:【87.8】5、问题：在题图所示的共基放大电路中，电容 C 对信号可视为短路，晶
33、体管的 50，rbb= 50W，RB1= 30kW，RB2=15kW，UCC=12V，RC=3kW，RE=2kW，RL=3kW。电路的输出电阻 Ro 为( )。选项：A、1.5 kW B、3 kWC、2 kWD、6 kW正确答案:【3 kW】6、问题：组合放大电路如题图所示。已知两个晶体管的参数相同：rbb= 0，rbe=1 kW，50，rce=；RC= RL=5kW，RE=1kW，RB= 150kW。该电路的输入电阻 Ri 为（ ）。选项：A、22.5kWB、38.6 kWC、1 kWD、0.5 W正确答案:【22.5kW】7、问题：组合放大电路如题图所示。已知两个晶体管的参数相同：rbb=
34、 0，rbe=1 kW，50，rce=；RC= RL=5kW，RE=1kW，RB= 150kW。该电路的电压 增益 Au 为（ ）。选项：A、250B、120C、-125D、-120正确答案:【-120】8、问题：组合放大电路如题图所示。已知两个晶体管的参数相同：rbb= 0，rbe=1 kW，50，rce=；RC= RL=5kW，RE=1kW，RB= 150kW。该电路的输出电阻 Ro 为（ ）。选项：A、1.5kWB、2.5 kWC、5kW D、10kW正确答案:【5kW】9、问题：组合放大电路如图 1 所示。已知两个晶体管的参数相同：rbb= 0，rbe=1 kW，50，rce=；RC=
35、 RL=5kW，RE=1kW，RB= 150kW。该电路的交流通路如图 2 所示。A、正确选项：B、错误正确答案:【正确】随堂测试 1-放大电路的频率响应1、问题：选项：A、有失真，为低频失真B、有失真，为高频失真 C、无失真D、条件不足，不能确定正确答案:【有失真，为低频失真】随堂测试 2-放大电路的频率响应1、问题：一个同相放大电路当输入一个正弦信号时，若输出电压顶部削平了，说明该放大电路出现了_；如输出电压的相位与输入不同相，说明该放大电路出现了_。a、饱和或截止失真， b、交越失真， c、频率失真选项：A、a;bB、a;cC、b;cD、c;a正确答案:【a;c】随堂测试 1-波特图1、
36、问题：选项：A、B、C、D、正确答案:【】随堂测试 2-波特图1、问题：某放大电路电压放大倍数的折线近似幅频特性如图所示。由此可知中频电压放大倍数为_（a、60， b、1000， c、3）倍，下限截止频率为_（a、1Hz ， b、10Hz， c、100Hz）上限截止频率为_（a、10kHz， b、100kHz， c、 1000kHz）。选项：A、b;b;bB、a;b;cC、c;b;bD、c;b;a正确答案:【b;b;b】随堂测试 1-晶体管的高频小信号模型和高频参数1、问题：选项：A、B、C、D、正确答案:【】 随堂测试 2-晶体管的高频小信号模型和高频参数1、问题：选项：A、B、C、D、正确
37、答案:【】随堂测试-共射放大电路的高频响应(1)1、问题：在双极型晶体管三种基本接法中高频响应特性最好的是_，最差的是_。选项：A、共基接法；共射接法B、共基接法；共集接法C、共射接法；共基接法D、共集接法；共射接法正确答案:【共基接法；共射接法】随堂测试-共射放大电路的高频响应(2)1、问题：在阻容耦合放大电路中，耦合电容的大小将影响_，晶体管的极间电容的大小将影响_。选项：A、下限截止频率的高低；上限截止频率的高低B、上限截止频率的高低；上限截止频率的高低C、上限截止频率的高低；下限截止频率的高低D、下限截止频率的高低；下限截止频率的高低正确答案:【下限截止频率的高低；上限截止频率的高低】
38、随堂测试-共射放大电路的低频响应(1)1、问题：阻容耦合放大电路的上限截止频率主要取决于_，下限截止频率取决于_。a、耦合电容， b、晶体管的极间电容，c、晶体管的非线性特性选项：A、b;a B、a;bC、c;aD、a;c正确答案:【b;a】随堂测试-共射放大电路的低频响应(2）1、问题：在某放大电路存在频率失真但无非线性失真情况下，当输入为正弦信号时，输出信号_(a、仍为正弦，并且与输入同频率， b、仍为正弦，但频率与输入不同， c、为非正弦）；当输入为方波信号时，输出信号_(a、仍为方波，并且周期与输入相同， b、仍为方波，但周期与输入不同，c、波形发生失真）。选项：A、a;bB、a;cC
39、、b;cD、c;b正确答案:【a;c】放大器频率响应单元测验 1、问题：选项：A、B,C,A,D,C,BB、B,C,A,A,C,CC、B,A,C,D,C,DD、A,C,B,D,C,B正确答案:【B,C,A,D,C,B】 2、问题：选项：A、A,D,AB、A,D,CC、B,D,AD、A,B,C正确答案:【A,D,A】3、问题：在图示放大电路中，当增大电容 C1，则中频电压放大倍数_，下限截止频率 fL_，上限截止频率 fH_；当增大电阻 Rc 则_，fL_，fH_；当换用 fT 高，相同的晶体管，则_，fL_，fH_。A、增大， B、减小， C、不变 选项：A、CBCACCCCAB、CBCACB
40、CCAC、ABCACBCCAD、BBCACBCCA正确答案:【CBCACBCCA】4、问题：已知图（a）所示电路的幅频响应特性如图（b）所示。从括号中选择正确答案，用 A、B、C 填空。影响 fL 大小的因素是_，影响 fH 大小的因素是 _。A、晶体管极间电容， B、晶体管的非线性特性， C、耦合电容选项：A、ABB、ACC、CAD、BA正确答案:【CA】5、问题：已知图示电路中晶体管100，rbe3.3k。该放大电路的中频电压放大倍数约为_（A、50， B、100， C、200）；下限截止频率 fL 约为_Hz。（A、1， B、10， C、100）；当 Ui7mV，f=fL 时，Uo 约为
41、 _V（A、0.1， B、0.7， C、1， D、1.4）。 选项：A、CBCB、ABCC、ABAD、ACB正确答案:【CBC】 6、问题：选项：A、A.1000B、B.100C、C.3D、D.60正确答案:【A.1000】7、问题：当信号频率等于放大电路的下限截止频率 fL 或上限截止频率 fH 时，放大倍数下降到中频时的 0.707 倍，此时增益下降（ ）dB。选项：A、3B、-3C、0.707D、-0.707正确答案:【3】随堂测试-集成运放的特点、镜像电流源1、问题：两个镜像电流源如图（a）、（b）所示。设图中晶体管的 b 相同。试比较它们的性能，从下列可能的答案中选择正确的填空：1在镜像精度（即Ic2IREF 的精确的程度）方面图（a）比图（b）；2在温度稳定性方面，图（b）比图（a）；3在电流源的输出电阻方面，图（a）比图（b）。（A、高，B、低，C、基本相同） 选项：A、BABB、AABC、BAAD、BAC正确答案:【BAB】随堂测试-比例电流源1、问题：选项： A、ACDB、AEBC、BEDD、CDA正确答案:【AEB】随堂测试-电流源电路（3）1、问题：镜像电流
