1、 MOOC 模拟电子技术基础-华中科技大学 中国大学慕课答案绪论测验题1、问题：当输入信号频率为 fL 或 fH 时，放大电路电压增益的幅值约下降为通带内水平增益的 。选项：A、0.5 倍B、0.7 倍C、0.9 倍D、1 倍正确答案:【0.7 倍】2、问题：某放大电路在负载开路时的输出电压为 4V，接入 3kW 的负载电阻后，输出电压为 3V。说明放大电路的输出电阻为 。选项：A、10 kWB、2 kWC、1kWD、0.5kW正确答案:【1kW】3、问题：已知某信号源内阻为 1kW，未接放大电路时测得信号源电压为 10mV，接入放大电路后测得放大电路输入端口电压为 8mV，说明放大电路的输入
2、电阻为。选项：A、5 kWB、4 kWC、2kWD、1kW正确答案:【4 kW】4、问题：已知某放大电路的最大不失真输出电压范围是10V10V，若放大电路的通带电压增益是 40dB，则放大电路不失真放大时的输入电压范围是 。选项：A、0.1V0.1VB、0.25V0.25VC、0.5V0.5VD、1.0V1.0V正确答案:【0.1V0.1V】 5、问题：信号不失真的放大在时域中表现为任何一点的幅值放大的程度完全相同。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】6、问题：只要放大电路的传输特性曲线是线性的，就不会出现失真现象。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】7、问题：用放大电路放大正弦波信号
3、时，只有可能出现非线性失真，不可能出现频率失真。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】8、问题：放大电路的增益只能保证在一定频率范围内与频率无关。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】9、问题：放大电路中的符号“”表示接大地的“地”。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】10、问题：放大电路输出信号增加的能量来自放大电路的工作电源。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】11、问题：同一个放大电路对不同信号源或带不同负载时，实际的放大能力常常是不同的。选项：A、正确 B、错误正确答案:【正确】12、问题：放大电路只有电压增益、电流增益、互阻增益和互导增益四种增益形式。选项：A、正确B、错
4、误正确答案:【错误】运算放大器测验题1、问题：理想运算放大器的参数是开环电压增益 Avo = ，输入电阻 ri = ，输出电阻 ro = 。选项：A、0，B、，0，C、，0，0D、，0正确答案:【，0】2、问题： 放大电路中，运算放大器的反相输入端为虚地，而 放大电路中，运算放大器的两个输入端对地电压是不为零的。选项：A、同相，反相B、反相，同相C、同相，同相D、反相，反相正确答案:【反相，同相】3、问题：欲将方波电压转换为三角波电压，应选用 。选项：A、反相输入式放大电路B、同相输入式放大电路C、积分运算电路D、微分运算电路E、加法运算电路正确答案:【积分运算电路】4、问题：欲将方波电压转换
5、为尖脉冲电压，应选用 。选项：A、反相输入式放大电路 B、同相输入式放大电路C、积分运算电路D、微分运算电路E、加法运算电路正确答案:【微分运算电路】5、问题：欲将输入电压信号放大-100 倍，应选用 。选项：A、反相输入式放大电路B、同相输入式放大电路C、积分运算电路D、微分运算电路E、同相加法运算电路正确答案:【反相输入式放大电路】6、问题：电路如图 8 所示，假设运算放大器是理想的，则图（a）Av = vO/vI = ，Ri = ；图（b）Av=vO/vI = ，Ri = 。选项：A、图（a）Av =11，Ri =1 k；图（b）Av1；Ri =1 kB、图（a）Av = -10，Ri
6、=1 k；图（b）Av1；Ri =1 kC、图（a）Av = 11，Ri =1 k；图（b）Av1；Ri =D、图（a）Av = -10，Ri =1 k；图（b）Av1；Ri =正确答案:【图（a）Av = -10，Ri =1 k；图（b）Av1；Ri =】 7、问题：电路如图 9 所示，假设运算放大器为理想的，那么 vO = f(vI) = 。选项：A、B、C、D、正确答案:【】8、问题：理想运算放大器构成的电路如图 10 所示，选项：A、B、C、D、正确答案:【】 9、问题：加减法运算电路如图 11 所示，设运算放大器是理想的，则输出电压和输入电压的关系式为 。选项：A、B、C、D、正确答
7、案:【】10、问题：电路如图 12 所示，假设运算放大器均为理想的，则选项：A、B、C、D、正确答案:【】11、问题：电路如图 13 所示，开关 S 闭合时电路增益选项：A、B、C、 D、正确答案:【】12、问题：在运算放大器构成的线性运算电路中一般均引入负反馈。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】13、问题：在线性运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】14、问题：集成运放在开环情况下一般都工作在非线性区。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】15、问题：放大电路中的运算放大器只要是理想的，就一定存在虚短和虚断。选项：A、正确B、错误正确答案:
8、【错误】16、问题：电压跟随器的电压增益为 1，所以其对信号放大没有贡献。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】二极管及其基本电路测验题1、问题：半导体中空穴的移动实际上反映了半导体中 的移动。选项：A、自由电子B、共价键中价电子C、正离子D、负离子正确答案:【共价键中价电子】 2、问题：N 型半导体中的多数载流子是 ，而 P 型半导体中的多数载流子是 。选项：A、自由电子，空穴B、空穴，自由电子C、自由电子，正离子D、空穴，负离子E、空穴，正离子F、自由电子，负离子正确答案:【自由电子，空穴】3、问题：PN 结内电场方向是由 。选项：A、N 区指向 P 区B、P 区指向 N 区C、不确定D
9、、与外加电压有关正确答案:【N 区指向 P 区】4、问题：PN 结正偏是指 。选项：A、N 区电位高于 P 区B、P 区电位高于 N 区C、P 区和 N 区电位相等D、与外加电压无关正确答案:【P 区电位高于 N 区】5、问题：二极管正偏时应重点关注 ，反偏时应重点关注 。选项：A、导通电流和耗散功率，最大反向电压B、最高工作频率，最大反向电压C、最高工作频率，导通电流和耗散功率D、结电容，最高工作频率E、最大反向电压，结电容正确答案:【导通电流和耗散功率，最大反向电压】6、问题：齐纳二极管正常稳压时，工作在 状态。选项：A、正向导通B、反向截止C、反向击穿D、放大正确答案:【反向击穿】 7、
10、问题：点亮发光二极管应加 ，光电二极管正常工作时应加 ，变容二极管正常工作时应加 。选项：A、正偏电压，反偏电压，反偏电压B、正偏电压，反偏电压，零偏压C、反偏电压，正偏电压，正偏电压D、反偏电压，正偏电压，反偏电压E、正偏电压，正偏电压，反偏电压正确答案:【正偏电压，反偏电压，反偏电压】8、问题：已知某二极管处于正向导通状态，其导通电流为 0.5 mA，那么，此时二极管在室温（300K）下的小信号模型参数 rd = 。选项：A、19.2 kB、1 kC、52 kD、52 正确答案:【52 】9、问题：设简单硅二极管基本电路如图所示，已知 R = 1kW。当 VDD =10V 时，分别应用理想
11、模型和恒压降模型，求得的电流 ID 分别为 和 ；当 VDD =1V 时，再分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流 ID 分别为 和 。选项：A、10mA，9.3mA； 1mA，0.3mAB、10mA，1mA；9.3mA，3mAC、1mA，0.93mA；0.1mA，0.03mAD、10mA，0.93mA；1mA，0.03mA正确答案:【10mA，9.3mA； 1mA，0.3mA】10、问题：12V 电池的充电电路如图所示，用二极管理想模型分析，若 vs 是振幅为 24V 的正弦波，则二极管流过的峰值电流为 ，二极管两端的最大反向电压为 。选项： A、240mA，24VB、120mA，12VC
12、、120mA，36VD、360mA，36V正确答案:【120mA，36V】11、问题：电路如图所示，若 vs 是有效值为 220V 的正弦波电压，RL = 100W，二极管采用理想模型分析，则二极管的最高反向工作电压为 ，整流电流应为 。选项：A、220V，0.99AB、220V，2.2AC、D、正确答案:【】12、问题：电路如图所示，D1，D2 为硅二极管，当 vs = 6sinwt V 时，用恒压降模型分析电路时，输出电压 vO 的波形是 。选项：A、 B、C、D、正确答案:【】13、问题：二极管电路如图所示。输入电压只有 0V 或 5V 两个取值。利用二极管理想模型分析，在 vI1 和
13、vI2 电压的不同组合情况下，输出电压 vO 的值是 。 选项：A、vO 的 a 列B、vO 的 b 列C、vO 的 c 列D、vO 的 d 列正确答案:【vO 的 b 列】14、问题：电路如图所示，D 为硅二极管，若 VDD = 2 V，R = 1 kW，正弦信号vs=50sin(2p50t) mV。则静态（即 vs= 0）时，二极管中的静态电流为 ，vO 的静态电压 ；动态时，vO 的交流电压振幅为 。选项：A、2mA，2V；0.05VB、1.3mA，1.3V；0.05VC、2mA，2V；0.049VD、1.3mA，1.3V；0.049V正确答案:【1.3mA，1.3V；0.049V】15
14、、问题：稳压电路如图所示。若 VI =10V，R =100W，齐纳二极管的 VZ =5V，IZ(min)=5mA，IZ(max)=50mA，那么负载 RL 的变化范围是 。选项：A、大于 111WB、小于 111W C、大于 111kWD、小于 111kW正确答案:【大于 111W】16、问题：半导体二极管温度升高时，将明显增大由本征激发出的少数载流子的浓度，因此对二极管反向截止特性会产生更明显的影响。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】17、问题：对于实际的二极管，只要正偏电压大于零，二极管就导通。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】18、问题：二极管简化模型将二极管的 I-V 非线
15、性特性近似成了线性或分段线性的关系。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】19、问题：通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】20、问题：在使用齐纳二极管时，必须加限流电阻。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】场效应管及其放大电路测验题1、问题：场效应管利用外加电压产生的_来控制漏极电流的大小，因此它是_控制器件。选项： A、电流，电场B、电场，电压C、电流，电压D、电压，电流正确答案:【电场，电压】2、问题：N 沟道场效应管的漏极电流由_的漂移运动形成。选项：A、空穴B、电子C、电子和空穴D、正离
16、子E、负离子正确答案:【电子】3、问题：P 沟道增强型 MOS 管的阈值电压是_。选项：A、正值B、负值C、零值D、不确定的正确答案:【负值】4、问题：一个 MOS 场效应管的转移特性如图所示（其中漏极电流 iD 的方向是它的实际方向），它是_场效应管。选项：A、N 沟道耗尽型B、N 沟道增强型C、P 沟道增强型D、P 沟道耗尽型正确答案:【P 沟道增强型】5、问题：在共源、共漏和共栅三种放大电路组态中，_放大电路电压增益小于 1 但接近于 1，输入输出电压同相，有电压跟随作用；_放大电路电压增 益较高，输入输出电压反相；_放大电路输入输出电压同相，有电流跟随作用；_放大电路输出电阻小；_放大
17、电路输入电阻小。选项：A、共漏，共源，共栅，共漏，共栅B、共源，共漏，共栅，共漏，共栅C、共漏，共栅，共源，共漏，共栅D、共漏，共栅，共漏，共源，共栅正确答案:【共漏，共源，共栅，共漏，共栅】6、问题：用两个放大电路 A 和 B 分别对同一个电压信号进行放大。当输出端开路时，A 和 B 的输出电压相等；当都接入负载电阻 RL 时，测得 A 的输出电压小于B 的输出电压，由此说明，电路 A 的输出电阻比电路 B 的输出电阻_。选项：A、大B、小C、相等D、不能确定正确答案:【大】7、问题：在图示电路中，已知各 MOS 管的阈值电压?VT ?=0.5V，MOS 管处于截止状态的电路是_。选项：A、
18、图（a）B、图（b）C、图（c）D、图（a）和图（b）E、图（b）和图（c）F、图（a）和图（c）正确答案:【图（b）】8、问题：当栅源电压为 0V 时，_MOS 管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。 选项：A、N 沟道耗尽型B、N 沟道增强型C、P 沟道耗尽型D、P 沟道增强型正确答案:【N 沟道耗尽型】9、问题：试分析图示各电路，能正常放大交流信号的电路是_（设各电容对交流信号的容抗可忽略）。选项：A、图（a）B、图（b）C、图（c）D、图（d）正确答案:【图（b）】 10、问题：设图(a)电路中各电容很大对交流信号均可视为短路，则其小信号等效电路为_。选项：A、图
19、（b）B、图（c）C、图（d）D、图（b）和图（d）正确答案:【图（d）】11、问题：已知电路参数如图(a)所示，FET 工作点上的互导 gm1mA/V，设 rdsRd，则该电路的小信号等效电路是_，电压增益为_，输入电阻为_。 选项：A、图(c)，-10，2075 kWB、图(b)，-3.3，2075 kWC、图(b)，-10，2075 kWD、图(c)，-3.3，2075 kW正确答案:【图(b)，-3.3，2075 kW】12、问题：电路如图所示。设电流源电流 I0.5mA、VDDVSS5V，Rd9k，CS 很大，对信号可视为短路。场效应管的 VT0.8V，Kn1 选项：A、1.42 m
20、A/V，12.78B、3.02 mA/V，-27.2C、1.42 mA/V，-12.78D、3.02 mA/V，-12.78正确答案:【1.42 mA/V，-12.78】13、问题：源极跟随器电路如图所示，场效应管参数为 Kn1，VTN1.2/V，l=0。电路参数为 VDDVSS5V，Rg500k，RL4k。若电流源I=1mA，则小信号电压增益约为_，输出电阻约为_。选项：A、8，0.5kWB、0.89，0.5kWC、0.89，2WD、1，2W正确答案:【0.89，0.5kW】14、问题：图示电路参数为 I0.5mA，VDDVSS5V，Rg100 k，Rd=10k， Rsi1k。场效应管参数为
21、 VTN1V，Kn0.5，0。那么电路的输入电阻约为_，源电压增益 Aso/s =_，输出电阻约为_。选项：A、2 kW，5，10kWB、0.5kW，-5，10kWC、1 kW，-5，10kW D、1 kW，5，10kW正确答案:【1 kW，5，10kW】15、问题：放大电路的静态是指输入端短路时的状态。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】16、问题：小信号模型中所研究的电压、电流都是变化量，因此，不能用小信号模型来求静态工作点 Q，模型参数大小也与 Q 点位置无关。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】17、问题：在组合放大电路中，它的输入电阻就是第一级放大电路的输入电阻，而放大电路的
22、输出电阻等于最后一级（输出级）的输出电阻。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】18、问题：MOSFET 放大电路的三种组态中只有共源电路有功率放大作用。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】19、问题：作为放大器件工作时，耗尽型 N 沟道 MOSFET 的栅源电压能用正向偏置。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】20、问题：MOSFET 的低频跨导 gm 是一个常数。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】 21、问题：增强型 MOS 管工作在恒流区（放大区）时，其栅源电压必须大于零。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】22、问题：场效应管仅靠一种载流子导电。选项：A、正确B、错
23、误正确答案:【正确】23、问题：设 MOS 管的 VTN1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS3V，VGS2V 时，可以断定该 MOS 管工作在恒流区。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】24、问题：设 MOS 管的 VTN-2V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS3V，VGS-1V 时，可以断定该 MOS 管工作在恒流区。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】25、问题：设 MOS 管的 VTP-1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS-3V，VGS-2V 时，可以断定该 MOS 管工作在截止区。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】双极结型三极管及其放大电路测验题1、问题：
24、BJT 具有放大作用的外部电压条件是发射结_，集电结_。选项：A、正偏，反偏B、反偏，正偏C、零偏，正偏D、反偏，零偏正确答案:【正偏，反偏】 2、问题：当温度升高时，BJT 集电极电流_。选项：A、增大B、减小C、不变D、不确定正确答案:【增大】3、问题：BJT 放大电路共有三种组态的放大电路，它们分别是共射极、_和_放大电路。选项：A、功率，共集电极B、共集电极，反馈C、反馈，功率D、共集电极，共基极正确答案:【共集电极，共基极】4、问题：NPN 型 BJT 共射极放大电路的交流电压输出波形上半周失真时为_，此时应该_基极电流。选项：A、饱和失真，增大B、截止失真，减小C、交越失真，减小D
25、、截止失真，增大E、饱和失真，减小正确答案:【截止失真，增大】5、问题：用直流电压表测得放大电路中某 BJT 各管脚电位分别是 2V、6V、2.7V，则三个电极分别是_，该管是_型。选项：A、b、c、e；NPNB、c、b、e；NPNC、e、c、b；NPND、b、c、e；PNPE、f、b、e；PNPF、e、c、b；PNP正确答案:【e、c、b；NPN】 6、问题：复合管如图所示，等效为一个 BJT 时，2 端是 ，3 端是 。选项：A、基极，集电极B、集电极，发射极C、发射极，集电极D、发射极，基极正确答案:【发射极，集电极】7、问题：图示各电路中，能正常放大正弦交流信号的电路是_（设各电容的容
26、抗可忽略）。选项：A、图(a)B、图(b)C、图(c)D、图(d)正确答案:【图(b)】 8、问题：测量若干硅 NPN 型 BJT 各电极对地的电压值如下，工作在放大区的 BJT是_。选项：A、VC6V，VB2V，VE1.3VB、VC6V，VB6V，VE5.6VC、VC6V，VB4V，VE3.6VD、VC3.6V，VB4V，VE3.4V正确答案:【VC6V，VB2V，VE1.3V】9、问题：设原理图中各电容容抗均可忽略，其小信号等效电路为_。选项：A、图(a)B、图(b)C、图(c)D、图(d)正确答案:【图(b)】10、问题：电路如图(a)所示，若 vo 中的交流成分出现图(b)所示的失真现
27、象，为消除此失真，又基本不改变输出电阻，应调整电路中的_元件，将其_。选项： A、Rb，调小B、Rc，调小C、Rb，调大D、Rc，调小E、Cb1，调大F、Cb2，调大正确答案:【Rb，调小】11、问题：射极偏置电路如图所示，已知 b = 60。该电路的电压增益约为_。选项：A、-90B、-103C、-110D、-120正确答案:【-103】12、问题：在图示电路中，已知 Rb260kW，ReRL5.1kW，Rsi500W，VEE12V，b50，|VBE|0.2V，则电路的输入电阻约为_，输出电阻约为_。选项：A、87.3W，36WB、87.3 kW，36W C、110.3 kW，33 kWD、
28、87.3 kW，33 kW正确答案:【87.3 kW，36W】13、问题：共基极电路如图所示。设 b100，Rs0，RL￥，则电路的电压增益约为_，输入电阻约为_，输出电阻约为_。选项：A、268，28W，7.5kWB、288，5.5kW，7.5kWC、288，5.5kW，28WD、268，5.5kW，20W正确答案:【268，28W，7.5kW】14、问题：NPN 型 BJT 只能在正电源电压下工作，而 PNP 型 BJT 只能在负电源电压下工作。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】15、问题：同一只 BJT，无论在什么情况下，它的 b 值始终不变。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误
29、】16、问题：BJT 放大电路在不失真地放大动态信号时，其三个电极的实际电流方向始终不变。选项：A、正确 B、错误正确答案:【正确】17、问题：在阻容耦合放大电路中，信号源和负载电阻会影响电路的 Q 点。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】18、问题：直接耦合放大电路可以放大频率很低的信号甚至直流信号。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】19、问题：BJT 的小信号模型只能用于分析放大电路的动态情况，不能用来分析静态工作点。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】20、问题：可以用万用表的“W”挡测量出 BJT 的 H 参数 rbe 电阻。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】21、
30、问题：BJT 组成复合管时最重要的特性是极大地提高了电流放大倍数。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】放大电路频率响应测验题1、问题：某放大电路中 的幅频响应波特图如图示。那么该电路的中频电压增益=_，上限频率 fH =_，下限频率 fL =_。 选项：A、1000，100MHz，100HzB、60dB，100Hz，100MHzC、60，1Hz，10GHzD、60，10GHz，1Hz正确答案:【1000，100MHz，100Hz】2、问题：某放大电路增益的幅频响应波特图如图示。当输入信号的频率等于下限截止频率或上限截止频率时，该电路的实际增益是_（dB）。选项：A、60B、57C、40D、
31、63正确答案:【57】3、问题：图示一阶 RC 电路，其电压传递函数为_。选项：A、B、 C、D、RC正确答案:【】4、问题：图示一阶 RC 高通电路，当输入信号的频率等于时，电路的_。选项：A、0dBB、3dBC、-3dBD、-20dB正确答案:【-20dB】5、问题：图示一阶 RC 电路，设 R=1KW，为了对高于 1MHz 信号的衰减能达到3dB 以上，只要电容 C 值_就可以。选项：A、大于 1pFB、大于 160pFC、大于 1mFD、大于 10mF正确答案:【大于 160pF】6、问题：电路如图所示，其中+VDD=5V，Rsi = 1kW，Rg1= 30kW，Rg2 = 20kW，
32、Rd = 4kW，gm= 0.8mS，l = 0，Cgs=1pF，Cgd=0.5pF。那么该电路源电压增益的 上限截止频率约为 。选项：A、55.7MHzB、5.57MHzC、28.4MHzD、557kHz正确答案:【55.7MHz】7、问题：电路如图示，已知该电路在室温(300K)下运行，且 BJT 的 VBEQ0.6V，rbb100W，b0100，Cbc0.5pF，fT 400MHz；VCC12V，Rb1100kW，Rb216kW，Re1kW，RcRL5.1kW，Rs1kW，那么该电路的上限截止频率约为 。选项：A、3.45MHzB、345kHzC、221kHzD、457kHz正确答案:【
33、3.45MHz】8、问题：放大电路在高频信号作用时放大倍数下降的主要原因是_。选项：A、耦合电容和旁路电容的影响 B、三极管极间电容和分布电容的影响C、三极管的非线性特性影响D、放大电路的静态工作点不合适正确答案:【三极管极间电容和分布电容的影响】9、问题：放大电路在低频信号作用时放大倍数下降的主要原因是_。选项：A、耦合电容和旁路电容的影响B、三极管极间电容和分布电容的影响C、三极管的非线性特性影响D、放大电路的静态工作点不合适正确答案:【耦合电容和旁路电容的影响】10、问题：在两级放大电路中，已知各自单级 20lg|AVM1| = 40dB，fL1 = 4Hz，fH1 = 20kHz；20
34、lg|AVM2| = 30dB，fL2 = 400Hz，fH2 = 150kHz。则两级放大电路的电压增益为 ，上限截止频率约为 ，下限截止频率约为 。选项：A、70dB，20kHz，400HzB、10dB，20kHz，150HzC、12dB，44kHz，400HzD、40dB，170kHz ，4Hz正确答案:【70dB，20kHz，400Hz】11、问题：在共源极和共射极电路的高频等效电路中，分别由 和 引入了密勒效应。选项：A、栅-源极电容 Cgs，基-射极电容 CbeB、栅-漏极电容 Cgd，基-集极电容 CbcC、漏-源极电容 Cds，基-射极电容 CbeD、漏-源极电容 Cds，基-
35、集极电容 Cbc正确答案:【栅-漏极电容 Cgd，基-集极电容 Cbc】12、问题：某放大电路的通频带是 50Hz50kHz，中频电压增益D、40sin(4p25 t)mVt) mV正确答案:【幅度为 10mv，频率为 4kHz 的方波#30sin(4p t)mV】 13、问题：为降低图示电路的下限截止频率但又不改变通带增益，可采取的措施是_。选项：A、增大 Cb1, Cb2B、增大 CeC、增大 RCD、增大 RL正确答案:【增大 Cb1, Cb2#增大 Ce】14、问题：在分析放大电路频率响应时，通过等效 RC 高通电路分析高频响应，而通过等效 RC 低通电路分析低频响应。选项：A、正确B
36、、错误正确答案:【错误】15、问题：无旁路电容的直接耦合放大电路区别于阻容耦合放大电路的特点是，它在低频区的增益不会衰减。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】16、问题：通常情况下，对共源极放大电路低频特性影响更大的是源极旁路电容。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】17、问题：可以通过选择极间电容小的三极管来降低放大电路的下限频率。选项：A、正确 B、错误正确答案:【错误】18、问题：可以通过降低放大电路的增益来增大带宽。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】19、问题：通常共栅极和共基极放大电路的通频带要宽于共源极和共射极放大电路。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】模拟集成
37、电路测验题1、问题：当差分式放大电路两输入端电压为 vi1=250mV，vi2= 150mV，则 vid=mV，vic= mV。选项：A、100，200B、100，400C、200，100D、50，200正确答案:【100，200】2、问题：双端输出的理想差分放大电路，已知|Avd | = 40，|Avc | = 0。若vi1=20mV，vi2= -5mV 。则|vo |为 mV。选项：A、1000B、600C、-200D、800正确答案:【1000】3、问题：电流源电路如图所示，VDD = VSS =5V，T1T3 的 VTN = 2V，l = 0，而 Kn1 = Kn3 = 0.25，则
38、IREF = mA 和 IO = mA。 选项：A、2.25，0.9B、22.5，0.9C、1，0.1D、5，0.2正确答案:【2.25，0.9】4、问题：电流源电路是一个_，其交流等效电阻_。选项：A、双口网络，恒定B、单口网络，很小C、单口网络，很大D、双口网络，很小正确答案:【单口网络，很大】5、问题：放大电路产生零点漂移的主要原因是 。选项：A、采用了直接耦合方式B、采用了阻容耦合方式C、采用了正负双电源供电D、增益太大正确答案:【采用了直接耦合方式】6、问题：差分放大电路共模抑制比的大小反映了_。选项：A、差模增益的大小B、共模增益的大小C、抑制零漂的能力D、带负载能力正确答案:【抑
39、制零漂的能力】 7、问题：差分式放大电路最重要的特点是 。选项：A、较高的差模增益和很低的共模增益B、零点漂移严重C、频带很宽D、输入电阻很小正确答案:【较高的差模增益和很低的共模增益】8、问题：在差分式放大电路中，源极或发射极公共支路上采用电流源进行直流偏置，带来的好处是 。选项：A、提高输入电阻B、提高差模电压增益C、提高共模电压增益D、提高共模抑制比正确答案:【提高共模抑制比】9、问题：集成运算放大器的输入级采用差分放大电路的主要原因之一是它的 能力强。选项：A、电压放大B、电流放大C、带负载D、抑制零点漂移正确答案:【抑制零点漂移】10、问题：设在差分式放大电路中输入信号为 vi1=1
40、050uV，vi2=950uV，若电路的| Avd | = 100，| Avc | = 2。则最大输出电压| vo|=_。选项：A、12mVB、10mVC、200mVD、120mVE、100mV正确答案:【12mV】11、问题：在电路图示的源极耦合差分式放大电路中，VDD = VSS =5V，IO =0.2mA，电流源输出电阻 ro=100kW，Rd1 =Rd2 =Rd = 10kW，FET 的 Kn= 1.5m选项：A、3.85, 77B、3.85, 110 C、-3.85, 77D、-3.85, 110正确答案:【3.85, 77】12、问题：在图示的射极耦合差分式放大电路中，VCCVEE
41、10V，IO1mA，ro25kW，Rc1Rc210kW，BJT 的 200，VBE0.7V。当 vi1vi20 时，VCE1VCE2_；由 T1 集电极单端输出时的差模电压增益Avd1?_，共模抑制比 KCMR ?_。选项：A、5.7V, -93.5, 467.5B、5V, -93.5, 467.5C、5.7V, 93.5, 467.5D、5V, 93.5, 767.5正确答案:【5.7V, -93.5, 467.5】13、问题：通用型集成运算放大器高频区的电压增益幅频响应在 0dB 以上的斜率一般是 。选项：A、3dB/十倍频B、-20dB/十倍频C、20dB/十倍频D、40dB/十倍频E、-40dB/十倍频正确答案:【-20dB/十倍频】14、问题：运放的单位增益带宽 fT1MHz，转换速率 SR1V/s，当运放构成反相放大电路时的闭环增益 Av-10，则小信号闭环带宽 fH_；当输出电压不失真最大幅度 Vom1
