1、 MOOC 模拟电子技术基础-国防科技大学 中国大学慕课答案本征半导体1、问题：在绝对零度（0 K）时，本征半导体中（）载流子。选项：A、有B、没有C、少数D、 多数正确答案:【没有】2、问题：在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生（）。选项：A、负离子B、空穴C、正离子D、 电子-空穴对正确答案:【 电子-空穴对】3、问题：半导体中的载流子为（）。选项：A、电子B、空穴C、 正离子D、电子和空穴正确答案:【电子和空穴】4、问题：半导体中的空穴是（ ）。选项：A、半导体中的晶格缺陷形成的B、电子脱离共价键后留下的空位C、带正电的离子D、外部注入正确答案:【电子脱离共价键后留下
2、的空位】5、问题：本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。选项：A、正确 B、错误正确答案:【正确】6、问题：半导体中的空穴带正电。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】01-02 杂质半导体1、问题：N 型半导体中的多子是（）。选项：A、电子B、空穴C、正离子D、负离子正确答案:【电子】2、问题：P 型半导体中的多子是（）。选项：A、电子B、空穴C、正离子D、 负离子正确答案:【空穴 】3、问题：在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。选项：A、掺杂工艺B、杂质浓度C、晶体缺陷D、温度正确答案:【杂质浓度】4、问题：在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） 。选项：A、温
3、度B、掺杂工艺C、 杂质浓度D、 晶体缺陷正确答案:【温度 】 5、问题：在本征半导体中加入（）元素可形成 N 型半导体。选项：A、五价B、四价C、三价D、任意正确答案:【五价】6、问题：在本征半导体中加入（）元素可形成 P 型半导体。选项：A、五价B、四价C、三价D、任意正确答案:【三价】7、问题：P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】8、问题：在 N 型半导体中，掺入高浓度的三价硼元素可以改型为 P 型半导体。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】01-03 PN 结1、问题：在下列说法中只有（）说法是正确的。选项：A、P 型半导体可通过在纯净半
4、导体中掺入五价磷元素而获得B、在 N 型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以改型为 P 型半导体C、P 型半导体带正电，N 型半导体带负电D、PN 结内的扩散电流是载流子在电场作用下形成的正确答案:【在 N 型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以改型为 P 型半导体】2、问题：在下列说法中只有（）说法是正确的。选项：A、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的B、由于 PN 结交界面两边存在电位差，所以，当把 PN 结两端短路时就有电流流 过C、PN 结方程可以描述 PN 结的正向特性和反向特性，也可以描述 PN 结的反向击穿特性D、扩散电流是少子运动产生的正确答案:【漂移电流是少数载流子在内电场
5、作用下形成的】3、问题：当 PN 结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流。选项：A、大于B、小于C、等于D、不确定正确答案:【大于 】4、问题：当 PN 结外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流。选项：A、大于B、 小于C、 等于D、不确定正确答案:【 小于 】5、问题：下列说法正确的是（）。选项：A、PN 结正偏导通，反偏导通B、PN 结正偏截止，反偏导通C、PN 结正偏导通，反偏截止D、PN 结正偏截止，反偏截止正确答案:【PN 结正偏导通，反偏截止】6、问题：当 P 型半导体和 N 型半导体相接触时，在 P 型和 N 型半导体交界处，形成一个区域，下列的哪种名称不能描述该区域？选项：A、阻
6、挡层B、耗尽层C、空间电荷区D、突变层正确答案:【突变层】7、问题：一个平衡 PN 结，用导线将 P 区和 N 区连起来，而导线中（）。选项：A、有微弱电流 B、无电流C、有瞬间微弱电流D、有较大电流正确答案:【无电流】8、问题：PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】02-01 二极管的组成1、问题：半导体二极管的重要特性之一是（）。选项：A、温度稳定性B、单向导电性C、放大作用D、滤波特性正确答案:【单向导电性 】2、问题：整流电路中的二极管应采用点接触型二极管。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】3、问题：在高频电路中的检波管通常采用点接触
7、型二极管。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】02-02 二极管的伏安特性1、问题：在如图所示的电路中，当电源 V15V 时，测得 I1mA。若把电源电压调整到 V110V，则电路中的电流 I 的值将是（）。选项： A、I = 2mAB、I 2mAC、I 2mAD、I = 0mA正确答案:【I 2mA 】2、问题：二极管两端电压大于（）电压时，二极管才导通。选项：A、击穿电压B、死区C、饱和D、0V正确答案:【死区】3、问题：在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而（）。选项：A、增大B、不变C、减小D、不确定正确答案:【增大】4、问题：用模拟指针式万用表的电阻档测量
8、二极管正向电阻，所测电阻是二极管的（）电阻，由于不同量程时通过二极管的电流（），所测得正向电阻阻值（）。选项：A、静态、相同、相同B、动态，相同，相同C、静态，不同，不同D、动态，不同，不同正确答案:【静态，不同，不同】5、问题：设某二极管在正向电流 ID10mA 时，其正向压降 UD0.6V。当二极管的结温升高 10，若要 UD 保持不变，则 ID 的值为（）。选项：A、小于 10mAB、大于 10mAC、等于 10mAD、不确定正确答案:【大于 10mA】 6、问题：设二极管的端电压为 U，则二极管的电流方程是（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】7、问题：在 25oC 时，某二极管的
9、死区电压 Uth0.5V，反向饱和电流 IS0.1pA，则在 35oC 时，下列哪组数据可能正确。选项：A、Uth0.525V，IS0.05pAB、Uth0.525V，IS0.2pAC、Uth0.475V，IS0.05pAD、Uth0.475V，IS0.2pA正确答案:【Uth0.475V，IS0.2pA】8、问题：设某二极管反向电压为 10V 时，反向电流为 0.1A 。在保持反向电压不变的条件下，当二极管的结温升高 10，反向电流大约为（ ）。选项：A、0.05AB、0.1AC、0.2AD、1A正确答案:【0.2A】02-03 二极管的主要参数1、问题：关于二极管的反向电流，下列说法正确的
10、是（）。选项：A、反向电流越大越好B、反向电流越大二极管的单向导电性越好C、反向电流越大二极管的温度稳定性越不好D、反向电流越大二极管的温度稳定性越好正确答案:【反向电流越大二极管的温度稳定性越不好】2、问题：若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为（）。选项：A、正、反向电阻相等B、正向电阻大，反向电阻小C、反向电阻远大于正向电阻 D、正、反向电阻都很大正确答案:【反向电阻远大于正向电阻】3、问题：当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流 Is 将增大，是因为此时 PN结内部的（）。选项：A、多数载流子浓度增大B、少数载流子浓度增大C、多数载流子浓度减小D、少数载
11、流子浓度减小正确答案:【少数载流子浓度增大】4、问题：二极管只要反偏，必然截至。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】5、问题：二极管的单向导电性与信号频率无关。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】03-01 二极管电路分析思路1、问题：电路的静态和动态之间相互独立，没有联系。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】2、问题：在电子电路分析过程中，应先动态后静态。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】3、填空题：将放大电路没有交流信号输入，只有直流电源单独作用的状态称为 。正确答案:【静态】4、填空题：将放大电路有交流信号输入的状态称为 。正确答案:【动态】 03-02 二极管电路图解
12、分析方法1、问题：下图所示二极管电路及负载线，当增大 VDD 时，静态工作点将（）移动。选项：A、向上B、 向下C、不动D、不确定正确答案:【向上】2、问题：下图所示二极管电路及负载线，当增大 R 时，静态工作点将（）移动。选项：A、向上B、向下C、不动D、不确定正确答案:【向下】3、问题：图解法可以非常直观的反映电路参数与性能的关系。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】4、问题：只要静态工作点位置合适，交流信号就一定不会进入非线性区。选项：A、正确 B、错误正确答案:【错误】03-03 二极管等效模型1、问题：二极管折线模型可等效为下列（）线性网络。选项：A、B、C、D、正确答案:【】2
13、、问题：在下图所示电路中的电阻 R 保持不变，ui=0.2sint(V)。当直流电源 V 增大时，二极管 D 的动态电阻 rd 将（）。选项：A、不变B、增大C、减小D、不确定正确答案:【减小】3、问题：下列哪一个公式可以估算折线模型中的二极管动态电阻（）。选项：A、B、C、 D、正确答案:【】4、问题：二极管等效模型在以下哪些情况不能使用（）。（注：多选）选项：A、静态工作点位于线性区B、静态工作点位于非线性区C、交流小信号D、交流大信号正确答案:【静态工作点位于非线性区#交流大信号】5、问题：二极管恒压降模型中的电源意味着二极管是一个供能元件。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】03-
14、04 二极管等效模型分析法1、问题：电路如图所示。试估算 A 点的电位为（）。（设二极管的正向导通压降为 0.7V。）选项：A、6.7VB、6VC、5.7VD、 -6.7V正确答案:【6.7V 】 2、问题：二极管电路如图所示，其中二极管为理想二极管，则电路的输出电压 Vo为 （）。选项：A、5.6VB、-4.3VC、-5VD、6V正确答案:【-5V 】3、问题：在如图所示电路中，计算可得流过二极管的电流 ID 为（）。（设二极管导通时的正向压降 UD=0.7V）。选项：A、0mAB、3.6mAC、2.75mAD、4.8mA正确答案:【2.75mA 】4、问题：电路如图所示，D1，D2 均为理
15、想二极，设 U1 =10 V，ui = 40 sint， 则输出电压 uO 应为（）。选项：A、最大值为 40V，最小值为 0VB、最大值为 40V，最小值为 +10VC、最大值为 10V，最小值为 40VD、最大值为 10V，最小值为 0V正确答案:【最大值为 10V，最小值为 0V】 5、问题：估算如图所示电路中，流过二极管的电流 ID 为 （）。（设二极管 D 正向导通压降 UD=0.7V）选项：A、约 1.3mAB、约 2.3mAC、约 4 mAD、约 1.8 mA正确答案:【约 1.3mA 】03-05 常见二极管应用电路1、问题：电路如图所示，设二极管 D1，D2，D3 的正向压降
16、忽略不计，则输出电压 uO =（ ）。选项：A、2VB、0VC、6VD、12V正确答案:【2V 】 2、问题：图中二极管可视为理想二极管，A、B、C 三个灯具有完全相同的特性，其中最亮的灯是（ ）。选项：A、AB、BC、CD、一样亮正确答案:【B】3、问题：二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压 Vo 为（）。 (设二极管的导通压降为 0.7V。)选项：A、0VB、-0.7VC、-1.7VD、1V正确答案:【-0.7V 】4、问题：在如图所示电路中，二极管是理想的，电阻 R=6。当普通指针式万用表置于 R1 档时，用黑表笔（正电）接 A 点，红表笔（负电）接
17、B 点，则万用表的指示值为（）。选项：A、18B、9 C、3D、2正确答案:【18 】5、填空题：图中各二极管的导通压降均为 0.7V，UO= V。正确答案:【7.3】04-01 稳压二极管基础1、问题：以下哪个符号是稳压二极管的符号（）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】 2、问题：稳压管的稳压区是其工作在（）区。选项：A、正向导通B、死区C、反向截止D、反向击穿正确答案:【反向击穿】3、问题：某只硅稳压管的稳定电压 Uz = 4V，其两端施加的电压分别为+5V（正向偏置）和5V（反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为（）。选项：A、+5V 和-5VB、-5V 和+4VC、+4V 和-0
18、.7VD、+0.7V 和-4V正确答案:【+0.7V 和-4V】4、问题：稳压二极管构成的稳压电路，其正确接法是（）。选项：A、稳压管与负载电阻串联B、限流电阻与稳压管串联后，负载电阻再与稳压管串联C、稳压管与负载电阻并联D、限流电阻与稳压管串联后，负载电阻再与稳压管并联正确答案:【限流电阻与稳压管串联后，负载电阻再与稳压管并联】5、问题：稳压二极管的正向特性与普通二极管正向特性基本一致。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】04-02 稳压二极管的应用1、问题：设硅稳压管 DZ1 和 DZ2 的稳定电压分别为 5V 和 8V，正向压降均为0.7V，可求出图中电路的输出电压 Vo 为（）。选
19、项：A、13VB、5V C、 8VD、 1.4V正确答案:【13V 】2、问题：设硅稳压管 DZ1 和 DZ2 的稳定电压分别为 5V 和 8V，正向压降均为0.7V，可求出图中电路的输出电压 Vo 为（）。选项：A、4.3VB、8VC、5VD、0.7V正确答案:【5V 】3、问题：设硅稳压管 DZ1 和 DZ2 的稳定电压分别为 5V 和 8V，正向压降均为0.7V，可求出图中电路的输出电压 Vo 为（）。选项：A、4.3VB、 8VC、5VD、0.7V正确答案:【0.7V】4、问题：在如图所示电路中，已知稳压管 DZ1、DZ2 的稳定电压分别为 6V 和 7V，且具有理想的稳压特性，可求得
20、输出电压为（）。选项：A、1VB、6VC、13VD、 7V正确答案:【1V 】 5、问题：在如图所示电路中，已知稳压管 DZ1、DZ2 的稳定电压分别为 6V 和 7V，且具有理想的稳压特性，可求得输出电压为（）。选项：A、6VB、7VC、5VD、1V正确答案:【5V 】6、问题：下图所示电路中，稳压管 DZ 的稳定电压 VZ = 6V，最小稳定电流 Izmin= 5mA，输入电压 VI = 12V，电阻 R=100，在稳定条件下 IL 的数值最大不应超过（）。选项：A、40mAB、45mAC、55mAD、60mA正确答案:【55mA 】04-03 其他类型的二极管1、问题：能够进行光电转换的
21、二极管是（）。选项：A、发光二极管B、光电二极管C、稳压二极管D、变容二极管正确答案:【光电二极管 】2、问题：发光二极管的符号是（）。选项： A、B、C、D、正确答案:【】3、问题：变容二极管是利用二极管的结电容可变的原理工作的。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】4、问题：普通二极管也可以稳压（）。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】5、问题：所有的二极管都工作在正偏状态（）。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】05-01 晶体管的结构和工作原理1、问题：NPN 型晶体管的符号是（）。选项： A、B、C、D、正确答案:【】2、问题：PNP 型晶体管的符号是（）。选项：A、B、C
22、、D、正确答案:【】3、问题：晶体管有（ ）个 PN 结。选项：A、1B、2C、3D、4正确答案:【2】4、问题：晶体管的三个极为（）。（注：多选）选项：A、阳极B、基极C、发射极 D、集电极正确答案:【基极 #发射极 #集电极】5、问题：晶体管是一种将输入电流进行放大的半导体元器件。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】05-02 晶体管的放大原理1、问题：工作在放大状态的某 PNP 晶体管，各电极电位关系为（）。选项：A、VCVBVEB、VCVBVEC、VCVEVBD、VCVEVB正确答案:【VCVBVE】2、问题：晶体管在放大状态时，其电压偏置条件为（）。选项：A、集电结正向偏置、发射
23、结正向偏置B、集电结正向偏置、发射结反向偏置C、集电结反向偏置、发射结反向偏置D、集电结反向偏置、发射结正向偏置正确答案:【集电结反向偏置、发射结正向偏置】3、问题：双极型晶体管的电流是由（）运动形成的。选项：A、多子B、少子C、多子和少子两种载流子D、自由电子正确答案:【多子和少子两种载流子 】4、问题：在某放大电路中三极管工作在放大状态，测的三极管三个电极的静态电位分别为 0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（）。选项：A、NPN 型硅管B、NPN 型锗管C、 PNP 型硅管 D、PNP 型锗管正确答案:【NPN 型硅管 】5、问题：NPN 型三极管放大电路中，测得三极管三个引
24、脚对地电位分别是：UA=3.3V，UB=4V，UC=6V，则 A、B、C 对应的电极是（）。选项：A、C，B，EB、B，C，EC、E，C，BD、E，B，C正确答案:【E，B，C】6、问题：下列哪个式子正确的描述了晶体管的电流放大能力（）。选项：A、IE=IBB、IC=IBC、IC=IBD、IE=IB正确答案:【IC=IB】7、问题：双极型三极管由两个 PN 结构成，因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】8、问题：晶体管的发射区和集电区均为同种类型的半导体，所以发射极和集电极可以调换使用。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】05-03 晶体管的
25、伏安特性1、问题：晶体管是（ ）器件。选项：A、电流控制电流B、电流控制电压C、电压控制电压 D、电压控制电流正确答案:【电流控制电流 】2、问题：管压降 UCE 增大，共发射极接法的晶体管的输入特性曲线（）。选项：A、左移B、右移C、上移D、下移正确答案:【右移 】3、问题：晶体管的输出特性描述的是当（）为常数时，（）随（）变化的函数。选项：A、Ic Ib UceB、Ib Ic UceC、Uce Ib UbeD、Uce Ic Ib正确答案:【Ib Ic Uce 】4、问题：某晶体三极管的 IB 从 20A 变化到 40A 时，对应的 IC 从 2mA 变化到5mA，则该管的 等于（）。选项：
26、A、100B、150C、200D、300正确答案:【150 】5、问题：对于小功率晶体管，可以用 UCE 大于 1V 的一条输入特性曲线来取代UCE 大于 1V 的所有输入特性曲线。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】05-04 晶体管的工作区1、问题：已知某晶体管 UBE=0.7V，UCE=3V，则该管工作在（）区。选项：A、放大B、饱和C、截止 D、击穿正确答案:【放大 】2、问题：在实际电路中判别晶体管是否工作在饱和状态，最简单的是测量（）。选项：A、IBB、UCEC、UBED、IC正确答案:【UCE 】3、问题：当晶体管工作在截止区，发射结和集电结偏置状态应为（）。选项：A、前者正
27、偏，后者也正偏B、前者正偏，后者反偏C、前者反偏，后者正偏D、前者反偏，后者也反偏正确答案:【前者反偏，后者也反偏】4、问题：PNP 型晶体三极管工作在截止区的条件是（）。选项：A、UBE0，UCB0B、UBE0，UCB0C、UBE0，UCB0D、UBE0，UCB0正确答案:【UBE0，UCB0 】5、问题：晶体管的开关作用是（）。选项：A、饱和时集-射极断开，截止时集-射极断开B、饱和时集-射极断开，截止时集-射极接通C、饱和时集-射极接通，截止时集-射极断开D、饱和时集-射极接通，截止时集-射极接通正确答案:【饱和时集-射极接通，截止时集-射极断开】 6、问题：某放大电路如图所示。设 VC
28、CUBE，ICEO0，则在静态时该三极管处于（）。选项：A、放大区B、饱和区C、截止区D、区域不定正确答案:【饱和区 】7、问题：如图所示的电路中的三极管 =50，通过估算，可判断电路工作在（）区。选项：A、放大区B、饱和区C、截止区D、击穿区正确答案:【截止区 】8、问题：在如图所示共射放大电路中，三极管 50，UBE0.2。问：当开关与 A 处相接时，三极管处于（）状态。 选项：A、放大B、饱和C、截止D、击穿正确答案:【饱和 】05-05 晶体管的主要参数1、问题：温度上升时，半导体三级管的（）。选项：A、 和 UBE 增大，ICBO 减小B、 和 ICBO 增大，UBE 下降C、 减小
29、，ICBO 和 UBE 增大D、ICBO 和 UBE 均增大正确答案:【 和 ICBO 增大，UBE 下降】2、问题：某晶体管的极限参数 PCM=150mW，ICM=100mA，UBR(CEO)=30V，若其工作电压 UCE=10V 和 UCE=1V 时，则工作电流分别不得超过（）。选项：A、100mA，100mAB、15mA，100mAC、15mA，150mAD、100mA，15mA正确答案:【15mA，100mA】3、问题：3DG6 型晶体管的集电极的最大允许电流 ICM=20mA，发射极反向击穿电压 U(BR)CEO=20V，集电极的最大允许耗散功率 PCM=100mW，使用时测得其集电
30、极电流 IC=15mA，UCE=10V，则该管（）。选项：A、工作正常B、放大能力较差C、击穿D、管子过热甚至烧坏正确答案:【管子过热甚至烧坏】4、问题：测量得到晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA，3.66mA 和 3.6mA，晶体管的共射电流放大系数 （）。选项：A、60B、61C、100 D、50正确答案:【60 】5、问题：晶体管在大电流工作时，随 Ic 的增加 值将（）。选项：A、增加B、下降C、不变D、不确定正确答案:【下降 】6、问题：三极管的反向电流 ICBO 是由（）运动产生的。选项：A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子D、不确定正确答案:【少数载流
31、子 】7、问题：温度升高时，放大电路中的晶体管的输出特性曲线将（）。选项：A、上移并间距缩小B、下移并间距增大C、上移并间距增大D、下移并间距缩小正确答案:【上移并间距增大】8、问题：某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管（）。选项：A、处于放大区域B、处于饱和区域C、 处于截止区域D、 已损坏正确答案:【 已损坏】Test1 二极管和晶体管 1、问题：N 型半导体中的多数载流子是（）。选项：A、空穴B、自由电子C、正离子D、负离子正确答案:【自由电子】2、问题：P 型半导体中的多数载流子是（）。选项：A、空穴B、自由电子C、正离子D、负离子正确答案:【空穴】3、问题：P 型半导体
32、（）。选项：A、带正电B、带负电C、呈中性D、不确定正确答案:【呈中性】4、问题：PN 结中扩散电流的方向是（）。选项：A、从 P 区到 N 区B、从 N 区到 P 区C、双向流动D、随机变化正确答案:【从 P 区到 N 区 】5、问题：PN 结中漂移电流的方向是（）。选项：A、从 P 区到 N 区B、 从 N 区到 P 区C、双向流动D、变化正确答案:【 从 N 区到 P 区 】6、问题：当 PN 结外加反向电压时，耗尽层（）。选项： A、变宽B、 变窄C、不变D、不确定正确答案:【变宽 】7、问题：当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流 Is 将增大，是因为此时 PN结内部的（） 。选项：
33、A、多数载流子浓度增大B、少数载流子浓度增大C、多数载流子浓度减小D、少数载流子浓度减小正确答案:【少数载流子浓度增大】8、问题：万用表的 R100 档测得某二极管的正向电阻阻值为 500，若改用 R1k档，测量同一二极管，则其正向电阻值（）。选项：A、增加B、不变C、减小D、不能确定正确答案:【增加】9、问题：用直流电压表测某电路晶体管的三个电极对地的电压分别如图所示。则1、2、3 号管脚分别为（）。选项：A、BCEB、EBCC、CEBD、CBE正确答案:【CBE】 10、问题：用直流电压表测某电路晶体管的三个电极对地的电压分别如图所示。则 1、2、3 号管脚分别为（）。选项：A、BCEB、
34、EBCC、 BECD、CBE正确答案:【 BEC】11、问题：在放大电路中，若测得某管的三个极电位分别为2.5V、3.2V、9V，这三极管的类型是（ ）。选项：A、PNP 型 Ge 管B、 PNP 型 Si 管C、NPN 型 Ge 管D、 NPN 型 Si 管正确答案:【 PNP 型 Si 管 】12、问题：在放大电路中，若测得某管的三个极电位分别为 1V、1.2V、6V，这三极管的类型是（ ）。选项：A、PNP 型 Ge 管B、PNP 型 Si 管C、 NPN 型 Ge 管D、NPN 型 Si 管正确答案:【 NPN 型 Ge 管 】13、问题：一个 NPN 管在电路中正常工作，现测得：UB
35、E0，UBC0， UCE0，则此管工作区为（）。选项：A、饱和区B、截止区 C、 放大区D、不确定正确答案:【饱和区 】14、问题：电路图如图所示，设二极管的导通电压均为 0.7V，则 D1，D2，D3 三个二极管的状态分别为（）。选项：A、均导通B、截止 导通 截止C、导通 导通 截止D、导通 截止 导通正确答案:【导通 截止 导通】15、问题：如图所示的电路中的三极管为硅管，=50，通过估算,可判断电路工作在（）区。选项：A、放大区B、饱和区C、截止区D、不确定正确答案:【饱和区 】16、问题：二极管电路如图 a 所示。在输入 ui 的作用下（ui 波形如图 b 所示），其输出波形为（）。
36、 选项：A、B、C、 D、正确答案:【】17、问题：判断右图电路中各二极管是否导通后，可求出 VAO 值为（）。（设二极管的正向压降 VF 为 0.7V。）选项：A、5VB、 -6.3VC、 6.3VD、 -5.3V正确答案:【 -5.3V】18、问题：在如图所示电路中，计算可得流过二极管的电流 ID 为（）。（设二极管导通时的正向压降 UD=0.7V）。选项： A、0mAB、 3.6mAC、2.75mAD、 4.8mA正确答案:【0mA 】19、问题：一个 NPN 管在电路中正常工作，现测得 UBE0，UBC0，UCE0，则此管工作区为（ ）。选项：A、饱和区B、截止区C、放大区D、不确定正
37、确答案:【放大区】20、问题：晶体管的控制方式为（）。选项：A、电流控制电压B、电流控制电流C、电压控制电流D、电压控制电压正确答案:【电流控制电流】21、问题：在如下电路中，已知二极管的反向击穿电压为 300V，当 U=100V、温度为 20C 时，I=1A。则当 U 降低到 50V 时，则 I 约为（）。选项：A、0.1AB、0.5AC、1AD、2A正确答案:【1A 】22、问题：在如下电路中，已知二极管的反向击穿电压为 300V，当 U=100V、温度为 20C 时，I=1A。当 U 保持 100V 不变，温度降低到 10C 时，则 I 约为（） 。选项：A、0.1AB、0.5AC、1A
38、D、2A正确答案:【0.5A 】23、问题：如下电路中的晶体管为硅管，=100，则晶体管的工作状态为（）。选项：A、放大B、截止C、饱和D、不确定正确答案:【截止 】24、问题：如下电路中的晶体管为硅管，=100，则晶体管的工作状态为（）。选项： A、放大B、截止C、 饱和D、不确定正确答案:【放大 】25、填空题：已知稳压管的稳压值 UZ6V，稳定电流的最小值 IZmin5mA，下图所示电路中的 UO1 为（）V。正确答案:【6】26、填空题：已知稳压管的稳压值 UZ6V，稳定电流的最小值 IZmin5mA，下图所示电路中的 UO2 为（）V。正确答案:【5】27、填空题：二极管电路如图所示
39、。其中 I1=（）mA。（二极管理想）正确答案:【0】 28、填空题：二极管电路如图所示。其中 I=（）mA。（二极管理想）正确答案:【3】29、填空题：二极管电路如图所示。其中 I1=（）mA。（二极管理想）正确答案:【0】30、填空题：二极管电路如图所示。其中 I2=（）mA。（二极管理想）正确答案:【15】 31、填空题：二极管电路如图所示。其中 I=（）mA。（二极管理想）正确答案:【-15】32、填空题：二极管电路如图所示。输出电压 Uo 值为（）V。（二极管理想）正确答案:【0】33、填空题：在如图所示电路中，已知稳压管 D1、D2 的稳定电压分别为 6V 和7V，且具有理想的稳压
40、特性，可求得输出电压为（）V。正确答案:【4】 34、填空题：某电路中，三极管静态时各极对地的电位如图所示，则其工作于（）状态。（放大、饱和、截止）（设三极管和二极管均为硅管）正确答案:【截止】35、填空题：二极管电路如图所示。输出电压 Uo 值为（）V。（二极管理想）正确答案:【10】36、填空题：电路中二极管理想，其工作状态是（）。（导通，截止）正确答案:【导通】 37、填空题：图中稳压管 VD1、VD2 的稳定电压分别是 5V 和 9V，则输出电压 Uo为（）V。正确答案:【5】38、填空题：已知某晶体管的 PCM800mW，ICM500mA， U(BR)CEO30V。若该管子在电路中工
41、作电压 UCE 10V，则工作电流 IC 不应超过_mA。正确答案:【80】06-01 放大的概念与放大电路的性能指标1、问题：某放大电路在输入电压为 0.1V 时，输出电压为 8V；输入电压为 0.2V 时，输出电压为 4V（均指直流电压）。则该放大电路的电压放大倍数为（）。选项：A、80B、40C、40D、20正确答案:【40 】2、问题：电压放大器的输入电阻高，表明其放大微弱信号能力（）。选项：A、强B、弱C、一般D、不确定正确答案:【强】3、问题：放大电路 A、B 的放大倍数相同，但输入电阻、输出电阻不同，用它们对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路条件下测得 A 的输出电压小，这说明电路 A 的（）。选项：A、输入电阻大B、输入电阻小C、输出电阻大 D、输出电阻小正确答案:【输入电阻小 】4、问题：对于电流放大电路来说，输出电阻（）越好。选项：A、越小B、越大C、随意D、不确定正确答案:【越大 】5、问题：只有电路既放大电压又放大电流，才称其具有放大作用。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】6、问题：放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】7、问题：可以在放大电路通电情况下，用欧姆表测量该放大电路的输出电阻。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】
