1、 MOOC 模拟电子技术-湖南铁道职业技术学院 中国大学慕课答案1-1 PN 结及单向导电性1、问题：下列材料中，属于半导体的有（ ）和（ ）。选项：A、铁B、硅C、锗D、陶瓷正确答案:【硅#锗】2、问题：半导体的导电性主要与下列（ ）、（ ）和（ ）因素有关。选项：A、温度B、湿度C、光照D、杂质正确答案:【温度#光照#杂质】3、问题：室温下，本征半导体中存在两种载流子：自由电子和空穴，二者的电极性相反，数量相等，因此本征半导体呈电中性。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】4、问题：P 型半导体中只有空穴一种载流子，N 型半导体中只有自由电子一种载流子。选项：A、正确B、错误正确答案:【
2、错误】5、问题：对 PN 结来说，正偏指的是外加电源使 N 区电位高于 P 区。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】 6、问题：当外加电源使 PN 结的 P 区电位高、N 区电位低时，PN 结正偏。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】7、问题：PN 结正向偏置导通、反向偏置截止的特性称为单向导电性。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】1-2 二极管的伏安特性1、问题：下图为二极管的电路符号。图中左边为二极管的（ ）极，右边为（ ）极。选项：A、阳，阴B、阴，阳正确答案:【阳，阴】2、问题：二极管是由一个 PN 结引出两个引线外加封装构成的元器件，其阳极为PN 结的（ ）区，阴极为（
3、 ）区。选项：A、N，PB、P，N正确答案:【P，N】3、问题：对锗二极管而言，其导通电压通常约为（ ）V。对硅二极管而言，其导通电压通常约为（ ）V。选项：A、0.2；0.7B、0.1；0.5正确答案:【0.2；0.7】4、问题：硅二极管两端所加正偏电压 0.7V 和正偏电压 0.5V 时，二极管呈现的等效阻值（）。选项：A、相同 B、0.7V 时大C、0.5V 时大D、无法判断正确答案:【0.5V 时大】5、问题：二极管在长期工作时，正偏电流不可超过最大整流电流，否则会因为过热而烧坏。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】6、问题：二极管的反向电流越小，则其单向导电性越好。选项：A、正确
4、B、错误正确答案:【正确】7、问题：二极管反向击穿以后会立即损坏。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】8、问题：二极管完全导通以后，其流过的电流大小与两端的电压基本呈线性关系，且等效电阻非常小。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】9、问题：二极管导通时，流过二极管的电流可以在较大范围内变化，大小由外电路决定；二极管截止时，流过二极管的电流很小，与环境温度有关。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】10、问题：硅二极管的单向导电性比锗二极管的好。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】 1-3 二极管基本应用电路1、问题：理想二极管在正偏时，其导通电压为（ ）。选项：A、0VB、0.7
5、VC、0.5VD、0.2V正确答案:【0V】2、问题：已知下图所示电路中 UI=3V，R=1k，二极管导通时压降为 0.7V，截止时等效电阻为，则 UO=（）。选项：A、0VB、0.7VC、1.5VD、3V正确答案:【0.7V】3、问题：下图所示电路中，二极管为理想二极管，以下说法正确的是（）。选项：A、VD 导通，UAO=9VB、VD 截止，UAO=-12VC、VD 截止，UAO=12VD、VD 导通，UAO=-9V正确答案:【VD 导通，UAO=-9V】 4、问题：下图所示电路中，二极管为理想二极管，以下说法正确的是（）。选项：A、VD1 导通，VD2 截止B、VD1 截止，VD2 导通C
6、、VD1 导通，VD2 导通D、VD1 截止，VD2 截止正确答案:【VD1 导通，VD2 截止】5、问题：在硅二极管的恒压降模型中，二极管正偏时导通，两端压降为 0.7V；反偏时相当于开关断开，两端电压为 0V。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】1-4 晶体管及电流放大作用1、问题：一只晶体三极管里包含（ ）个 PN 结。选项：A、1B、2C、3D、4正确答案:【2】 2、问题：下列晶体管属于（ ）类型。选项：A、PNPB、NPN正确答案:【NPN】3、问题：若要使晶体三极管工作在电流放大状态，外部偏置条件应满足( )。选项：A、发射结反偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射
7、结正偏，集电结反偏D、发射结正偏，集电结正偏正确答案:【发射结正偏，集电结反偏】4、问题：要使三极管具有电流放大作用，对于 NPN 型晶体管，三个引脚电位关系应该满足（ ）。选项：A、UCUBUEB、UCUBUEC、UBUC 且 UBUED、UBUC 且 UBUE正确答案:【UCUBUE】5、问题：晶体管电路符号如下图所示。图中引脚分别为（ ）。选项：A、C、B、EB、C、E、B C、E、B、CD、B、E、C正确答案:【C、B、E】6、问题：晶体三极管是（）型器件。选项：A、电流控制电流B、电流控制电压C、电压控制电压D、电压控制电流正确答案:【电流控制电流】7、问题：工作在放大区的某晶体三极
8、管，如果 从 12A 增大到 22A，则测得从 1mA 变为 2mA。则它的 约为（）。选项：A、91B、83C、100D、10正确答案:【100】8、问题：在某放大电路中，晶体管三个电极的电流如下图所示,由此可知电极、分别为。选项：A、c、b、eB、b、e、cC、c、e、bD、e、b、c正确答案:【c、e、b】9、问题：三极管具有（ ）和（ ）特性。选项：A、放大B、开关C、分压D、限流正确答案:【放大#开关】 10、问题：晶体三极管的内部结构特点有：（）、（）、（）。选项：A、基区很薄，且掺杂浓度很低B、集电区面积比发射区面积大C、集电区面积比发射区面积小D、发射区比集电区掺杂浓度高很多正
9、确答案:【基区很薄，且掺杂浓度很低#集电区面积比发射区面积大#发射区比集电区掺杂浓度高很多】1-5 晶体管的输入与输出伏安特性1、问题：当发射结（ ）、集电结（ ）时，晶体管工作在放大区。选项：A、正偏，反偏B、正偏，正偏C、零偏或反偏，反偏D、反偏，正偏正确答案:【正偏，反偏】2、问题：当发射结（ ）、集电结（ ）时，晶体管工作在截止区。选项：A、正偏，反偏B、正偏，正偏C、零偏或反偏，反偏D、零偏或反偏，正偏正确答案:【零偏或反偏，反偏】3、问题：当发射结（），集电结（）时，晶体管工作在饱和区。选项：A、正偏，反偏B、正偏，正偏C、零偏或反偏，反偏D、零偏或反偏，正偏正确答案:【正偏，正偏
10、】4、问题：当晶体管工作在放大区时，）。，此时晶体管的 C、E 间等效为（选项：A、开关断开B、开关闭合 C、受 控制的电流源正确答案:【受 控制的电流源】5、问题：当晶体管工作在截止区时， =0， 0，此时晶体管的 C、E 间等效为（ ）。选项：A、开关闭合B、开关断开C、受 控制的电流源正确答案:【开关断开】6、问题：当晶体管工作在饱和区时，集射间电压近似等于饱和压降，此时晶体管的 C、E 间等效为（ ）。选项：A、开关闭合B、开关断开C、受 控制的电流源正确答案:【开关闭合】7、问题：测得某放大电路中晶体管三个管脚对地电压分别为 U1=4V、U2=3.3V、U3=9V，则、电极分别为（）
11、。选项：A、b、c、eB、c、e、bC、c、b、eD、b、e、c正确答案:【b、e、c】8、问题：晶体管的输入特性与二极管的正向特性相似，因此基极与发射极之间的发射结相当于一只二极管。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】9、问题：晶体管的所有参数均与温度无关。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】 10、问题：不管流过晶体管集电极的电流和加在集电极与发射极之间的电压有多大，它都能安全可靠的工作。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】第 1 章测验1、问题：PN 结具有单向导电性，即 P 区电位高于 N 区电位时 PN 结（ ），相当于开关（ ）；反之 PN 结（ ），相当于开关（ ）。
12、选项：A、导通，断开；截止，闭合B、导通，闭合；截止，断开C、截止，闭合；导通，断开D、截止，断开；导通，闭合正确答案:【导通，闭合；截止，断开】2、问题：半导体二极管按所用的材料不同可分为硅管和锗管，其中（ ）管的导通电压约为 0.2 伏，（ ）的导通电压约为 0.7 伏。选项：A、硅，锗B、锗，硅正确答案:【锗，硅】3、问题：二极管反偏时，以下说法正确的是（ ）。选项：A、在达到反向击穿电压之前流过的电流很小，称为反向饱和电流。B、二极管反偏时的电流大小与温度无关。C、二极管反偏一定截止，与外加反偏电压大小无关。D、二极管被反向击穿后马上烧毁。正确答案:【在达到反向击穿电压之前流过的电流很
13、小，称为反向饱和电流。】4、问题：设下图所示电路中二极管导通时压降为 0.7V，截止时电阻为，则图中（ ）。选项： A、VD 截止，UAO= -8VB、VD 截止，UAO= 8VC、VD 导通，UAO= 4.7VD、VD 导通，UAO= -4.7V正确答案:【VD 导通，UAO= -4.7V】5、问题：晶体管电路中，其三个电极上的电流关系满足 IE=IB+IC，此时说明 IB与 IC 的方向（ ），而 IE 的方向与 IB 和 IC（ ）。选项：A、相同，相同B、相反，相反C、相同，相反D、相反，相同正确答案:【相同，相反】6、问题：当发射结正偏、集电结正偏时，晶体管工作在（ ）区，此时硅晶体
14、管的发射结压降约为（ ）伏，集电极和发射极之间相当于开关处于（ ）状态。选项：A、截止区，0，断开B、饱和区，0.7V，闭合C、饱和区，0.2V，闭合D、放大区，0.7V，断开正确答案:【饱和区，0.7V，闭合】7、问题：测得放大电路中晶体管三个电极的电位如下图所示，可知晶体管的类型为（ ），材料为（ ），三个电极的极性分别是（ ）。选项：A、PNP，硅，E C BB、NPN，硅，CBEC、NPN，锗，BECD、NPN，硅，CEB正确答案:【NPN，硅，CEB】 8、问题：在某放大电路中晶体管三个电极的电流如下图所示，可知晶体管的类型为（ ），三个电极的极性分别是（ ）， 为（ ）。选项：A、
15、NPN，C B E，100B、NPN，CEB，50C、PNP，BEC，50D、PNP，ECB，20正确答案:【PNP，BEC，50】测验 2-1 共射基本放大电路及其直流通路1、问题：以下不属于放大电路基本要求的是（ ）。选项：A、应具备为放大电路提供能量的直流电源，使晶体管工作在放大状态。B、输入信号必须能作用于放大管的输入回路中。C、输出信号能输送到负载。D、信号尽可能地放大到最大。正确答案:【信号尽可能地放大到最大。】2、问题：共射放大电路原理如图所示。图中晶体管的类型为（ ），作用是（ ）。选项：A、PNP 型，放大B、NPN 型，开关C、NPN 型，放大 D、PNP 型，开关正确答案
16、:【NPN 型，放大】3、问题：共射放大电路原理如图所示。+Vcc 是（ ），作用是（ ）。选项：A、直流电源，提供能量B、交流电源，提供能量C、直流电源，输入信号D、直流电源，输出信号正确答案:【直流电源，提供能量】4、问题：共射放大电路原理如图所示。图中电容 C1 和 C2 的作用是（ ）。选项：A、旁路B、耦合 C、滤波D、储能正确答案:【耦合】5、问题：直流通路是指当输入信号 ui=0 时电流流经的通路，此时电路中各处的电压、电流都是（ ）量。选项：A、交流B、直流C、交直流正确答案:【直流】6、问题：直流通路的绘制原则是视电容（ ），视电感（ ），视直流电源（ ）。选项：A、短路，开
17、路，不变B、短路，开路，短路C、开路，短路，短路D、开路，短路，不变正确答案:【开路，短路，不变】7、问题：共射放大电路原理如图所示。其直流通路正确的是（ ）。选项： A、B、C、 D、正确答案:【】8、问题：射基本放大电路的直流通路如下图所示，图中晶体管 V 的发射极接（ ）。选项：A、直流电源正极B、直流电源负极（也称为“地”）C、基极电阻 Rb D、集电极电阻 Rc正确答案:【直流电源负极（也称为“地”）】9、问题：共射放大电路的直流通路中，+Vcc 通过 Rb 使晶体管的发射结（ ）偏，+Vcc 通过 Rc 使晶体管的集电结（ ）偏，从而满足晶体管放大的偏置条件。选项：A、正，正B、反
18、，正C、正，反D、反，反正确答案:【正，反】10、问题：以下电路静态工作（ ）。选项：A、正常B、不正常正确答案:【正常】测验 2-2 共射基本放大电路的静态分析1、问题：静态是指放大电路中（ ）的状态。静态时，一般都要求放大电路中晶体管的工作点位于（ ）区。 选项：A、ui=0，截止B、ui 不等于 0，放大C、ui 不等于 0，饱和D、ui=0，放大正确答案:【ui=0，放大】2、问题：分析硅晶体管放大电路的静态工作点时，常常先假设晶体管工作在（ ）区，即式子（ ）成立。选项：A、截止，UBE=0.7VB、放大，UCE=0.7VC、饱和，UCE=0.3VD、放大，UBE=0.7V正确答案:
19、【放大，UBE=0.7V】3、问题：共射基本放大电路的直流通路如图所示。其输入回路 KVL 方程为（ ）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】 4、问题：共射基本放大电路的直流通路如图所示。其输出回路的方程为（ ）。选项：A、B、C、D、正确答案:【】5、问题：共射基本放大电路的直流通路如下图所示。若减小 Rb 的阻值，基极电流 IB 将（ ），集电极电流 IC 将（ ），集射间电压 UCE 将（ ），晶体管容易进入（ ）区。选项：A、减小，减小，增大，截止B、减小，减小，减小，饱和C、增大，增大，减小，饱和 D、增大，增大，增大，截止正确答案:【增大，增大，减小，饱和】6、问题：共射基本放大
20、电路的直流通路如下图所示。若增大 Rb 的阻值，基极电流 IB 将（ ），集电极电流 IC 将（ ），集射间电压 UCE 将（ ），晶体管容易进入（ ）区。选项：A、增大，增大，减小，饱和B、减小，减小，增大，截止C、增大，减小，减小，饱和D、减小，增大，增大，截止正确答案:【减小，减小，增大，截止】7、问题：在如图所示的直流通路中 VCC=12V，若使用估算法计算得到 UCE=5V，则晶体管工作在（ ）区。若使用估算法计算得到 UCE= 5V，则晶体管工作在（ ）区。选项：A、放大，截止B、饱和，放大C、饱和，截止D、放大，饱和正确答案:【放大，饱和】 8、问题：分析共射放大电路的静态工作点
21、时，若使用估算法计算得到 UCE=-5V，则以下式子（ ）不成立。选项：A、B、C、D、正确答案:【】9、问题：直流负载线是静态工作点的集合，即静态时输出回路中晶体管的工作点可以在这条线上变动。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】测验 2-4 共射分压式放大电路及其静态分析1、问题：当给如图所示的共射基本放大电路输入正弦波时，测得集射间电压 uCE波形如图所示。图中失真为（ ）。 选项：A、截止失真B、饱和失真C、截顶失真D、交越失真正确答案:【饱和失真】2、问题：当给如图所示的共射基本放大电路输入正弦波时，测得集射间电压 uCE波形如图所示。下方（ ）操作能消除失真。选项：A、增大 Rb
22、 B、增大 RcC、减小 RbD、C2 开路正确答案:【减小 Rb】3、问题：晶体三极管的温度特性比较差。当温度升高时，发射结电压 UBE（ ）、电流放大系数 （ ）、反向饱和电流 ICBO（ ）。选项：A、增大、减小、减小B、增大、增大、增大C、减小、减小、减小D、减小、增大、增大正确答案:【减小、增大、增大】4、问题：当温度升高时，共射基本放大电路的集电极电流 iC 将（ ），静态工作点沿着直流负载线往（ ）偏移，更容易出现（ ）失真。选项：A、减小，下，截止B、增大，上，饱和C、增大，下，截止D、减小，上，饱和正确答案:【增大，上，饱和】5、问题：共射分压式放大电路如图所示。以下是其直流
23、通路的是（ ）。选项：A、 B、C、D、正确答案:【】6、问题：共射分压式放大电路的直流通路如图所示。当满足一定条件下，晶体管B 极的电位 UB 可用式子（ ）计算，而与晶体管基极电流 IB 无关。 选项：A、B、C、D、正确答案:【】7、问题：共射分压式放大电路的直流通路如图所示。当温度上升导致集电极电流IC 增大时，发射极电位 UE（ ）。由于基极电位 UB 几乎不随温度变化，因此发射结电压 UBE（ ），基极电流 IB 减小，从而导致集电极电流 IC（ ），因而静态工作点几乎不变。选项：A、升高，增大，增大B、升高，减小，减小C、降低，增大，增大D、降低，减小，减小正确答案:【升高，减小
24、，减小】8、问题：共射分压式放大电路如图所示。当更换电路中不同电流放大系数 的晶体管 V 时，输出特性曲线上的静态工作点将（ ）。 选项：A、沿着直流负载线向上移动B、沿着直流负载线向下移动C、几乎不变D、随机移动正确答案:【几乎不变】9、问题：共射分压式放大电路如图所示，假设晶体管工作在放大状态，使用工程估算法分析其静态工作点时，以下（ ）、（ ）、（ ）式子成立。选项：A、B、C、D、正确答案:【#】 10、问题：共射分压式放大电路的直流通路如图所示。若将图中发射极电阻 Re 短路，电路仍能稳定静态工作点。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】测验 2-5 共射放大电路的动态分析1、问题
25、：表征放大电路对电压信号放大能力的指标是（ ）。选项：A、电压放大倍数 AuB、电流放大倍数 AiC、输入电阻 RiD、输出电阻 Ro正确答案:【电压放大倍数 Au】2、问题：输入电阻 Ri 是从放大电路输入端看进去的交流等效电阻。电压放大电路中，Ri 越（ ）代表信号源的电压更多地传输到放大电路的输入端。选项：A、小B、大正确答案:【大】3、问题：表征电压放大电路带负载能力的指标是（ ）。选项：A、电压放大倍数 AuB、电流放大倍数 AiC、输入电阻 RiD、输出电阻 Ro正确答案:【输出电阻 Ro】4、问题：输出电阻 Ro 是从放大电路输出端看进去的交流等效电阻，其大小决定了放大电路带负载
26、能力的大小。电压放大电路中，Ro 越（ ）代表电路的带负载能力越强。 选项：A、小B、大正确答案:【小】5、问题：晶体管的微变等效模型中，晶体管的基极与发射极之间等效为（ ）。选项：A、直流电阻 rbeB、交流电阻 rbeC、受控电压源 ibD、受控电流源 ib正确答案:【交流电阻 rbe】6、问题：在晶体管的微变等效模型中，晶体管的集电极与发射极之间等效为（ ）。选项：A、直流电阻 rbeB、交流电阻 rbeC、受控电压源 ibD、受控电流源 ib正确答案:【受控电流源 ib】7、问题：共射分压式放大电路如图所示。其交流通路中，发射极电阻 Re（ ）。选项：A、保持不变B、被短路C、被开路正
27、确答案:【被短路】8、问题：共射放大电路的电压放大倍数选项：。以下说法错误的是（ ）。A、“-”号说明输出电压 uo 与输入电压 ui 的相位相反。B、晶体管的电流放大系数 越大，则电压放大倍数 Au 越大。 C、电压放大倍数 Au 与负载无关。D、发射结交流等效电阻 rbe 越大，则电压放大倍数 Au 越小。正确答案:【电压放大倍数 Au 与负载无关。】9、问题：以下对共射放大电路的性能描述，不正确的是（ ）。选项：A、交流信号从晶体管的基极输入、从集电极输出。B、电路的输出电压与输入电压相位相反。C、电路输出电压的幅度比输入电压大，电路具有电压放大作用。D、电路的输入电阻与输出电阻都很理想
28、。正确答案:【电路的输入电阻与输出电阻都很理想。】10、问题：对于低频小功率管，rbe 一般按公式【】进行估算，说明 rbe 与静态工作点无关。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】测验 2-3 共射基本放大电路的放大作用1、问题：交流负载线是动态工作点移动的轨迹。动态工作时的电压和电流是（ ）量。选项：A、直流B、交流C、交直流叠加正确答案:【交直流叠加】2、问题：放大电路只考虑交流信号作用时的电流通路称为交流通路，交流通路的画法是视（ ）。选项：A、电容短路，电感短路，直流电压源短路B、电容短路，电感开路，直流电压源不变C、电容开路，电感短路，直流电压源不变D、大电容短路（小电容不变），
29、电感开路，直流电压源短路正确答案:【大电容短路（小电容不变），电感开路，直流电压源短路】 3、问题：共射基本放大电路及各点波形如图所示。由图可知，共射放大电路具有电压（ ）放大作用。选项：A、同相B、反相正确答案:【反相】4、问题：“反相”是指输出信号与输入信号的相位相反，即二者相位相差（ ）度。选项：A、0B、90C、180D、360正确答案:【180】5、问题：当共射基本放大电路的静态工作点位设置不合适时，容易造成截止失真或饱和失真，当输入信号幅度太大时容易引起（ ）。选项：A、线性失真B、截顶失真C、频率失真D、交越失真正确答案:【截顶失真】6、问题：放大电路的分析包括（ ）和（ ）。选
30、项：A、静态分析B、不失真分析C、失真分析 D、动态分析正确答案:【静态分析#动态分析】7、问题：放大电路静态主要分析的是（ ），用来确定放大电路的（ ）。选项：A、直流量B、静态工作点C、交流量D、性能指标正确答案:【直流量#静态工作点】8、问题：放大电路动态主要分析的是（ ），用来分析放大电路的（ ）。选项：A、直流量B、静态工作点C、交流量D、性能指标正确答案:【交流量#性能指标】实验 3 测验 单管低频放大器的动态测试1、问题：使用（ ）仪器可产生 1kHz 的正弦波信号。选项：A、万用表B、示波器C、直流稳压电源D、信号发生器正确答案:【信号发生器】2、问题：使用（ ）仪器可以观测信
31、号的波形。选项：A、万用表B、示波器C、直流稳压电源D、信号发生器正确答案:【示波器】3、问题：将信号发生器上的 AMPL 旋钮拔出代表-40dB，其作用是（ ）。选项：A、将信号放大 40 倍B、将信号放大 100 倍C、将信号衰减到原来的四十分之一 D、将信号衰减到原来的一百分之一正确答案:【将信号衰减到原来的一百分之一】4、问题：使用示波器测试信号时，若要测试信号的有效值，应读参数（ ）。若要测试信号的频率，应读参数（ ）。选项：A、Vrms，VppB、Vrms，frequencyC、Vpp，frequencyD、Vrms，period正确答案:【Vrms，frequency】5、问题：
32、若只要观察信号中的交流成分波形，可将示波器设置为（ ）耦合。选项：A、交流B、直流C、地正确答案:【交流】6、问题：在使用示波器的 CH1 观测信号时，为了确保看到的电压数据与实测数据一致，应按下 CH1 键后确认电压为（ ）档位。选项：A、0.2XB、0.5XC、1XD、10X正确答案:【1X】7、问题：在测试单管共射放大电路的电压放大倍数 Au 时，使用双踪示波器同时观测输入电压 ui 与输出电压 uo，看到的正常现象是二者相位（ ），说明电路具有（ ）放大的作用。选项：A、相同，同相B、相差 90 度，同相C、相差 180 度，反相D、相差 270 度，反相正确答案:【相差 180 度，
33、反相】 8、问题：在测试单管共射放大电路的输出电压 uo 时观测到了如下失真，以下能快速消除失真的正确做法是（ ）。选项：A、按下示波器上的【AUTORUN】键B、拔出信号发生器上的【AMPL】旋钮C、将信号发生器上的【AMPL】旋钮顺时针微调，使输入电压 ui 增大D、将信号发生器上的【AMPL】旋钮逆时针微调，使输入电压 ui 减小正确答案:【将信号发生器上的【AMPL】旋钮逆时针微调，使输入电压 ui 减小】第 2 章测验1、问题：晶体管电路中，其三个电极上的电流关系满足 IE=IB+IC，此时说明 IB与 IC 的方向（ ），而 IE 的方向与 IB 和 IC（ ）。选项：A、相同，相
34、同B、相反，相反C、相同，相反D、相反，相同正确答案:【相同，相反】2、问题：当发射结正偏、集电结正偏时，晶体管工作在（ ）区，此时硅晶体管的发射结压降约为（ ）伏，集电极和发射极之间相当于开关处于（ ）状态。选项：A、截止区，0，断开B、饱和区，0.7V，闭合C、饱和区，0.2V，闭合D、放大区，0.7V，断开正确答案:【饱和区，0.7V，闭合】 3、问题：测得放大电路中晶体管三个电极的电位如下图所示，可知晶体管的类型为（ ），材料为（ ），三个电极的极性分别是（ ）。选项：A、NPN，硅，C E BB、PNP，硅，ECBC、NPN，硅，CBED、NPN，锗，BEC正确答案:【NPN，硅，C
35、 E B】4、问题：在某放大电路中晶体管三个电极的电流如下图所示，可知晶体管的类型为（ ），三个电极的极性分别是（ ）， 为（ ）。选项：A、NPN，C E B，50B、PNP，ECB，20C、NPN，CBE，100D、PNP，BEC，50正确答案:【PNP，BEC，50】5、问题：要使晶体管放大电路完成预定的放大功能，以下要求不合理的是（ ）。选项：A、应具备为放大电路提供能量的直流电源。B、应使晶体管的发射结正偏，集电结也正偏。C、输入信号必须能作用于放大管的输入回路中。D、输出信号能输送到负载。正确答案:【应使晶体管的发射结正偏，集电结也正偏。】6、问题：共射基本放大电路的直流通路如下图
36、所示，当增大基极电阻 Rb 时，基极电流 IB 将（ ），集电极电流 IC 将（ ），集射极间电压 UCE 将（ ），静态工 作点沿着直流负载线向（ ）移动。选项：A、增大，减小，不变，不变B、减小，减小，增大，下C、减小，减小，减小，上D、增大，增大，减小，上正确答案:【减小，减小，增大，下】7、问题：共射分压式放大电路直流通路及参数如图所示，静态时晶体管工作在（）区。选项：A、放大B、截止C、饱和正确答案:【饱和】8、问题：在晶体管的微变等效模型中，基极与发射极之间等效为（ ）, 集电极与发射极之间等效为（ ）。选项：A、直流电阻 rbe，受控电压源 ibB、直流电阻 rbe，受控电流源
37、ibC、交流电阻 rbe，受控电压源 ibD、交流电阻 rbe，受控电流源 ib正确答案:【交流电阻 rbe，受控电流源 ib】 9、问题：以下关于共射放大电路的性能描述，错误的是（ ）。选项：A、信号从晶体管的基极输入、从集电极输出，发射极是输入与输出回路的公共端。B、电路具有电压反相放大作用。C、电路的输出电压与输入电压的相位相同。D、电路的输入电阻和输出电阻都不够理想。正确答案:【电路的输出电压与输入电压的相位相同。】10、问题：共集放大电路的主要特点是（ ）。选项：A、输入电阻低、输出电阻低，电压放大倍数大B、输入电阻高、输出电阻高，电压放大倍数小C、输入电阻低、输出电阻高，电压放大倍
38、数大于且接近于 1D、输入电阻高、输出电阻低，电压放大倍数小于且接近于 1正确答案:【输入电阻高、输出电阻低，电压放大倍数小于且接近于 1】测验 3-1 集成运放的内部电路1、问题：集成电路中常用的耦合方式是（ ）。选项：A、阻容耦合B、直接耦合C、变压器耦合D、光电耦合正确答案:【直接耦合】2、问题：多级放大电路的电压放大倍数为各级电压放大倍数之（ ），输入电阻为（ ）级电路的输入电阻，输出电阻为（ ）级电路的输出电阻。选项：A、和，第一，最末B、差，第一，第一C、积，第一，最末D、商，最末，最末正确答案:【积，第一，最末】3、问题：放大电路的零点漂移是指当电路的输入电压为 0 时，输出电压
39、（ ）。选项：A、不为 0B、保持不变C、偏离原来的起始点而上下移动正确答案:【偏离原来的起始点而上下移动】 4、问题：抑制零点漂移应该从多级放大电路的（ ）级开始。选项：A、第一级（输入级）B、第二级（中间级）C、第 n 级（输出级）D、无要求正确答案:【第一级（输入级）】5、问题：共模信号是指一对大小（ ）、极性（ ）的两个信号。选项：A、相等、相同B、相等、相反C、不相等，相同D、不相等，相反正确答案:【相等、相同】6、问题：对差分放大电路左、右两个放大电路而言，零点漂移是一对（ ）。选项：A、差模信号B、共模信号正确答案:【共模信号】7、问题：以下能抑制零点漂移漂移的电路是（ ）。选项
40、：A、共射放大电路B、共集放大电路C、共基放大电路D、差分放大电路正确答案:【差分放大电路】8、问题：差分放大电路如图所示，若给电路输入一对共模信号，双端输出时电路的输出电压 uo（ ）。 选项：A、等于输入电压B、等于 0C、等于输入电压之和D、等于输入电压之差正确答案:【等于 0】9、问题：差分放大电路能（ ）共模信号，（ ）差模信号，所以需要被放大的信号应当作为（ ）信号输入电路。选项：A、放大，抑制，共模B、抑制，放大，差模C、放大，放大，任意D、抑制，抑制，差模正确答案:【抑制，放大，差模】10、问题：直接耦合多级放大电路可放大直流和缓慢变化的信号，便于集成，但存在（ ）和（ ）两个
41、特殊问题。选项：A、电压放大B、前后级的静态工作点相互影响C、零点漂移D、阻抗匹配正确答案:【前后级的静态工作点相互影响#零点漂移】 测验 3-2 集成运放的工作特性1、问题：集成运放是一种（ ）增益、（ ）输入电阻、（ ）输出电阻的（ ）耦合多级放大电路。选项：A、高，高，低，直接B、高，低，高，阻容C、低，高，低，直接D、低，低，高，阻容正确答案:【高，高，低，直接】2、问题：为了减小零点漂移和抑制共模干扰信号，集成运放的输入级一般采用（）。选项：A、共射放大电路B、共集放大电路C、共基放大电路D、差分放大电路正确答案:【差分放大电路】3、问题：为了给负载提供一定的输出功率，集成运放的输出
42、级一般采用（ ）。选项：A、共射放大电路B、共集放大电路C、共基放大电路D、具有恒流源的差分放大电路正确答案:【共集放大电路】4、问题：集成运放的图形符号如图所示。其 uo 与 u+和 u-满足关系式（ ）。选项：A、uo=Aod（ u- ? u+）B、uo=?Aod（u-+u+）C、uo=?Aod（u+?u-） D、uo=Aod（u+?u-）正确答案:【uo=Aod（u+?u-）】5、问题：在( )应用时，实际运放可以理想化。选项：A、任意B、低频C、高频正确答案:【低频】6、问题：对于理想运放的性能参数，以下说法错误的是（ ）。选项：A、开环电压放大倍数无穷大，即 AodB、差模输入电阻无穷大，即 RidC、输出电阻无穷大，即 RodD、共模抑制比无穷大，即 KCMR正确答案:【输出电阻无穷大，即 Rod】7、问题：理想运放的“虚短”特性可用（ ）表达式表示。选项：A、i+=i-B、i+=i-=0C、u+=u-D、u+=u-=0正确答案:【u+=u-】8、问题：i+=i-=0 是理想运放的虚断特性，是根据以下性
