1、集成电子技术基础教程 L D C 期中试题分析 集成电子技术基础教程 集成电子技术基础教程 L D C 期中考试的总体情况 参考人数 最高分9080897079606960 10194621172433 %5.9420.79 16.83 23.76 32.67 集成电子技术基础教程 L D C 评分说明 一、选择题（59 = 45 ） 二、（36） 1 6（2+2+2 ） 2 5 3 5（2+2+1 ） 4 4（2+2） 5 4 6 6（3+3） 7 6（3+3） 三、（19 ） 1 9（3+3+3） 2 10（3+3+4 ） 集成电子技术基础教程 L D C 1. 图1电路中，稳压管的稳定电
2、压为8V， 稳压管电流小于2mA时不能稳压。 为 了使稳压管能起稳压作用，则负载电 阻RL应大于【 】 A. 4K B. 1K C. 800 D. 667 一、选择题： C 集成电子技术基础教程 L D C 2. 当温度升高时，双极型晶体管的输出特性曲线将【 】 A. 整簇输出特性曲线上移，曲线间距增大 B. 整簇输出特性曲线上移，曲线间距减小 C. 整簇输出特性曲线下移，曲线间距增大 D. 整簇输出特性曲线下移，曲线间距减小 A 3. 某场效应管的转移特性如图2所示，该管是 A. N沟道增强型MOS管 【 】 B. N沟道耗尽型MOS管 C. P沟道增强型MOS管 D. P沟道结型场效应管
3、图 2 B 集成电子技术基础教程 L D C 4. 在图3所示的电路中，如空载时（即RL开路）调 节Rb，使VCE = VCC/2，若ICEO，VCES均忽略不计 。问接上负载RL后，逐渐加大输入信号VS，输出 电压VO首先出现什么失真？【 】 （A）截止失真 （B）饱和失真 （C）同时出现上述两种失真 （D）交越失真 A 5. 图3电路在正常工作时，若负载不慎发生短路（即 RL=0），则通过晶体管的集电极电流iC将【 】 （A）增大 （B）过流而烧毁管子 （C）不变 （D）减小 C 集成电子技术基础教程 L D C 6. 在图3所示电路中，Ri为其输入电阻，Rs为常数， 为使下限频率fL降低
4、，应【 】 A. 减小C，减小Ri B. 减小C，增大Ri C. 增大C，减小Ri D. 增大C，增大Ri D 集成电子技术基础教程 L D C 7. 图4为一场效应管电路和它的输出特性。已知VDS = 6 V 。从图中可知： （1）静态电流ID应为 【 】 A 0.5mA；B 1mA； C 2mA；D 1.5mA。 （2）FET的互导gm应为【 】 A 2mA/V；B 0.5mA/V；C 1mA/V；D 1.5mA/V。 D B 集成电子技术基础教程 L D C 8. 为了使高输出电阻的放大电路与低电阻负载很好地配合， 可以在放大电路与负载之间接入【 】 A. 共射电路 B. 共集电路 C.
5、 共基电路 D. 共射共集串接电路 B 集成电子技术基础教程 L D C 二、两级放大电路的参数如图5（A）所示，设晶体管T1、T2的1=2=50， VBE1=VBE2=0.7V，晶体管T1的rbe1=1K, 晶体管T2的rbb=114,试求： 1. 第二级电路的静态工作点（IB2Q，IC2Q，VCE2Q）； 2. 画出整个放大电路简化的微变等效电路(注意标出电压、电流的参考方向 ); 3. 放大电路的电压放大倍数和以及总的电压放大倍数； 4. 该放大电路的输入电阻Ri和输出电阻Ro ； 5. 放大电路的最大不失真输出电压； 6.设vi=10sint(mV)，在图（B）上画出vO1，vO2的波
6、形，并注明直流分量 和交流分量的幅值大小； 7. 设两级放大器的频率特性分别为： 画出整个放大电路总的对数幅频和相频特性。 集成电子技术基础教程 L D C 解 1. 第二级电路的静态工作点（IB2Q，IC2Q，VCE2Q）； 精确计算 集成电子技术基础教程 L D C 近似计算 集成电子技术基础教程 L D C 2. 画出整个放大电路简化的微变等效电路(注意标出电压、电流的参考方向); 集成电子技术基础教程 L D C 3. 放大电路的电压放大倍数和以及总的电压放大倍数； 集成电子技术基础教程 L D C 4. 该放大电路的输入电阻Ri和输出电阻Ro ； 集成电子技术基础教程 L D C 5
7、. 放大电路的最大不失真输出电压； 考虑截止 考虑饱和 集成电子技术基础教程 L D C 6. 设vi=10sint(mV)，在图（B）上画出vO1，vO2的波形，并注明直流分量和 交流分量的幅值大小； 6.5 V 9.8 mV 8.7 V 1.11 V 集成电子技术基础教程 L D C 7. 设两级放大器的频率特性分别为： 画出整个放大电路总的对数幅频和相频特性。 -20dB/十 -40dB/十 - 45 0 / 十 - 45 0 / 十 - 90 0 / 十 集成电子技术基础教程 L D C 三、在图6所示电路中，已知电容C1、C2和Ce的容量足够大。晶体管 的=100，VBE=0.7V，rbe=2.7K。 (1)估算电路的静态工作点（IBQ、ICQ和VCEQ）； (2)计算电路的输入电阻Ri、输出电阻Ro和中频电压放大倍数 集成电子技术基础教程 L D C 解 (1) 估算电路的静态工作点（IBQ、ICQ和VCEQ） 集成电子技术基础教程 L D C (2) 计算电路的输入电阻Ri、输出电阻Ro和中频电压放大倍数
