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2、d90aeb625d1fc13fde150a2e5a6e22嘶L71d93b7eabfd057b98781cc04b6411dcL71d95e2e5a38acf6bb5191ede89ee8e6崶L71d9dc254a6493075984ba1f963e1825栶L71dae00e2e3c3df856f9eecfe3ec0824L71daea1e4cf0f231d380eca546777025L71daff6d4ef487c90b0fee35c53c64f2耶L71db03f2c72f306f090d53593e8c4ae3搶L71dbcdd6462683432349e4ede07ff5b3父
3、L71dc764759b4d965ed8e5498f855a81aL71dcdc72c9f8883ecca164be81d6e625L71dd2d9fd4f802670280ee81f083fba9L71dd3498984d4955aebb1b74d10dc8fe蠶iL71ddaff0ece72d1378a9af3fbdf3b52dL71ddcc6a1afd2b36625e065c5b90e5b7L71deabebed703422a988a041a0c6c7eb娶L71daf20d03770675d9b3e0c6e5f5838c贶L71d83ece540a8316a43bcb1c81574a0
4、8笶L71d99817be93a944b8b33614684db859L71d8dbf6c81e1735d9345eec8567e618萶L71d9638cc817baff2bc7f973456e13a3L71d74c67a35cc319f24887e07206b711尶L71d7f42baff29dfc328e1b2317e07c12L71dd05ee62263b4bd0d1a083b41a0193L71d96c7d0c9b259ba70309c863caed13L71d88dadfb63422d3aebc6ce3d778872L71db58b58c923a0a30de4b9688e14fd
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6、6L71d80f774d05223ae0961e90a54383bdL71dc08f246f67e09066bf5bc448c8748礶L71dcca836218945354a95a74b072009bL71ddce7c0a485288e43c0fabc0543094L71de45a2acb4a0c9f777960e913678baL71da3946164d1c5a15583e260a482b6c鴶L71ddce3cac635988e4dc60a3aa7ed7ebL71d879fb5a53c40ea1c94b130bbb894bL71de02d1a76516eb0d38d83380300fc0
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10、eec434410c826ea40c54c5886e1e3茶L71dcc629efa3e185680526529cafab6f訶L71e00e5752453320971f7a3c27226488鈶L71df7b5eac0c9a70746d9b58f3458f36L71de6091bde068bc603d70269da6b775L71d9b369c9a2566e6fb4db2ab6c63b3fL71e0f82d590c1e5a87a58d525d525970砶L71e720ba8911a94f95794b5bf97e27d8L71d7dc530ee8bc6c41584b135f9321a5L71
11、dbf22de890ae47ed3f3c5202a8b79dL71e56219ac8918c61d611cb25548fff4L71e3739f845aec34add404877a6ded70圶L71e41e42d4832f6d498968f6a8bed3e9鴶L71ddd974d2dc2aec4ff98825a3f47ab66L71d80f774d05223ae0961e90a54383bdL71dc08f246f67e09066bf5bc448c8748L71e299326a56dbe5f7963b9ca9616e30礶L71dcca836218945354a95a74b072009bL7
12、1ddce7c0a485288e43c0fabc0543094L71e63493a2a6f95328d6b7c2d6271992L71de45a2acb4a0c9f777960e913678baL71e0bc95645695a40c1114ea814fc417L71da3946164d1c5a15583e260a482b6c鴶L71ddce3cac635988e4dc6纵向电场垂直电场 横向电场 表面场效应器件 体内场效应器件 d g B s 。 。 。 。 Si P衬底 N+ : 。 N+ : 。 s g d B VGG UGS : : : VDD UDS ID IG= 0 RGS= Rd
13、1.3 场效应晶体三极管(“FET”) P45 1.3.1 绝缘栅场效应管(“IGFET”) 一、 NMOS 1. 结构 2. 工作机理(定性分析) 栅极电压的控制作用(UGS,UDS=0) 开启电压UGS(th)(或UT) 反型层(N型) 漏源电压UDS对导电沟道的影响 UDS=0时 UDS0时 预夹断 纵向电场垂直电场 横向电场 表面场效应器件 体内场效应器件 。 。 。 。 Si P衬底 N+ : 。 N+ : 。 s g d B VGG UGS : : : VDD UDS ID IG= 0 RGS= Rd 输出特性曲线 ID = f(UDS) | UGS=C. 转移特性曲线 ID =
14、f(UGS) | UDS=C. 1.3 场效应晶体三极管(“FET”) P45 1.3.1 绝缘栅场效应管(“IGFET”) d g B s 3. 伏安特性曲线(定量分析) 一、 NMOS 1. 结构 2. 工作机理(定性分析) 纵向电场垂直电场 横向电场 表面场效应器件 体内场效应器件 ( “漏极特性曲线” ) ID(mA) UDS=UGSUGS(th) 4 6V 3 可变电阻区 恒流区 5V 2 UGS = 4V 1 3V UGS(th) = 2V 0 4 10 截止区 20 UDS(V) 。 。 。 。 Si P衬底 N+ : 。 N+ : 。 s g d B VGG UGS : : :
15、 VDD UDS ID IG= 0 RGS= Rd d g B s 3. 伏安特性曲线(定量分析) 一、 NMOS 1. 结构 2. 工作机理(定性分析) 输出特性曲线 ID = f(UDS) | UGS=C. 转移特性曲线 ID = f(UGS) | UDS=C. （非饱和区 ） ID(mA) UDS=UGSUGS(th) 4 6V 3 可变电阻区 恒流区 5V 2 UGS = 4V 1 3V UGS(th) = 2V 0 4 10 截止区 20 UDS(V) 。 。 。 。 Si P衬底 N+ : 。 N+ : 。 s g d B VGG UGS : : : VDD UDS ID IG=
16、0 RGS= Rd d g B s 3. 伏安特性曲线(定量分析) 一、 NMOS 1. 结构 2. 工作机理(定性分析) 输出特性曲线 ID = f(UDS) | UGS=C. 转移特性曲线 ID = f(UGS) | UDS=C. ID(mA) UDS=UGSUGS(th) 4 6V 3 可变电阻区 恒流区 5V 2 UGS = 4V 1 3V UGS(th) = 2V 0 4 10 截止区 20 UDS(V) 。 。 。 。 Si P衬底 N+ : 。 N+ : 。 s g d B VGG UGS : : : VDD UDS ID IG= 0 RGS= Rd d g B s 3. 伏安特性曲线(定量分析) 一、 NMOS 1. 结构 2. 工作机理(定性分析) 输出特性曲线 ID = f(UDS) | UGS=C. 转移特性曲线 ID = f(UGS) | UDS=C. ( 放大区、饱和区) ID(mA) UDS=UGSUGS(th) 4 6V 3 可变电阻区 恒流区
