1、.83Sr，Sr 为重复性标准差。 8.2 允许差 实验室之间分析结果的差值应不大于表 5 所列允许差。 表 5 氧化钍质量分数 / %允许差/ % 0.00200.0500.00050 0.0500.1000.0010 0.1000.2000.025 0.2000.3000.035 9 质量保证和控制质量保证和控制 每周用自制的控制标样（如有国家级或行业级标样时，应首先使用）校核一次本标准 分析方法的有效性。当过程失控时，应找出原因，纠正错误，重新进行校核。 GB/T 18114.2-200x 5 方法 2 电感耦合等离子体发射光谱法 10 范围范围 本部分规定了稀土精矿中氧化钍量的测定方法
2、。 本部分适用于稀土精矿中氧化钍含量的测定。测定范围：0.30%8.00%。 1111 方法原理方法原理 试样氢氧化钠-过氧化钠混合熔剂熔融分解，水浸出。过滤除去硅、铝、钠盐，用硝酸 和高氯酸破坏滤纸和溶解沉淀，在稀酸介质中，以氩等离子体为离子化源，直接进行电感 耦合等离子体发射光谱测定。 12 试剂和材料试剂和材料 12.1 氢氧化钠。 12.2 过氧化钠。 12.3 硝酸（：1.42g/ mL）。 12.4 高氯酸（：1.67g/ mL）。 12.5 盐酸（1+1）。 12.6 氢氧化钠洗液（20g/L）。 12.7 硝酸稀释液（1+199）。 12.8 氧化钍标准贮存溶液：准确称取 0.
3、1000g 二氧化钍w(ThO2)99.95%，在 110烘干 过于 250mL 烧杯中，加入 10mL 盐酸（：1.19g/ mL）和 0.5mL 氢氟酸（：1.14g/ mL）， 加热溶解，加入 2mL 高氯酸（12.4）蒸发至冒白烟直至湿盐状，冷却，用盐酸（1+2）溶 解并用盐酸（1+2）定容于 100mL 容量瓶中，混匀，此溶液 1mL 含 1mg 二氧化钍。 12.9 氩气w(Ar)99.99% 1313 仪器仪器 等离子发射光谱仪：倒数线色散率不大于 0.26nm/mm(一级光谱)。 1414 试样试样 14.1 试样粒度小于 0.074mm。 14.2 试样预先在 105110烘
4、 2h，置于干燥器中冷却至室温。 1515 分析步骤分析步骤 15.1 试料 称取 0.25g 试样（14），精确至 0.0001g。 15.2 测定数量 GB/T 18114.2-200X 6 称取两份试料（15.1）进行平行测定，取其平均值。 15.3 空白试验 随同试料做空白试验。 15.4 分析试液的制备 15.4.1 将试料置于 30 mL 镍坩埚【盛有 3g 氢氧化钠（12.1），预先烘去水分】中，再覆盖 1.5g 过氧化钠（12.2），加盖继续烘烤至熔化。于 750马弗炉中熔融约 5min10min（中 间取出摇动一次），取出冷却。 15.4.2 将坩埚置于 400mL 烧杯中，
5、加 120mL 热水浸取。待剧烈作用停止后，取出坩埚，先 用水冲洗坩埚外壁，再用滴管吸取约 2mL 盐酸（12.5）冲洗坩埚，然后再用水洗净坩埚， 体积约为 180mL，将溶液煮沸 2 min，取下，稍冷，用中速滤纸过滤，以氢氧化钠溶液 （12.6）洗涤烧杯 23 次，洗涤沉淀 56 次。 15.4.3 将沉淀连同滤纸放入原烧杯，加 30mL 硝酸（12.3）和 5mL 高氯酸（12.4），盖上表 面皿，加热破坏滤纸和溶解沉淀，待剧烈作用停止后继续冒烟并蒸至体积约 2 mL 3mL， 取下，冷却至室温。加入 5mL 盐酸（12.5），加热溶解清亮，取下，冷却至室温。 15.4.4 将试液移入
6、100mL 容量瓶中，用水稀释至刻度，混匀。 15.4.5 按表 6 分取试液于 50mL 容量瓶中，加入 5mL 盐酸（12.5），用水稀释至刻度，混 匀。待测。 表 6 ThO2质量分数/%分取体积/mL 0.302.005.00 2.008.001.00 15.5 标准系列溶液配制：分别移取 0.00mL，1.00mL，2.00mL，3.00mL，4.00mL 标准贮存 溶液（12.8）于 5 个不同的 200mL 容量瓶中，分别加入 20mL HCl（12.5），用水稀释至刻 度，混匀。各标准含量见表 7。 表 7 标准系列12345 ThO2浓度/g/mL0.005.0010.001
7、5.0020.00 15.6 测定 15.6.1 将空白试验溶液 (15.3)、分析试液（15.4.5）与标准系列溶液（15.5）于 283.730 或 283.232nm 处同时进行氩等离子体光谱测定。 1616 分析结果的计算分析结果的计算 将标准系列溶液（15.5）的浓度直接输入计算机，由计算机计算并输出空白溶液(15.3)、 分析试液（15.4.5）中待测元素的浓度。 按公式（2）计算试样中氧化钍的质量分数（%） GB/T 18114.2-200x 7 .（2）100 10)( 41 6 5334 2 Vm VV ThOw ）（ 式中：4计算机输出的分析试液（15.4.5）中待测元素的
8、浓度，单位为微克每毫升 （g/mL）； 3计算机输出的空白试验溶液(15.3)中待测元素的浓度，单位为微克每毫升 （g/mL）； V5分析试液（15.4.5）的体积，单位为毫升（mL）； V3试液总体积，单位为毫升（mL）； m1试料的质量，单位为克（g）； V4分取试液的体积，单位为毫升（mL）； 1717 精密度精密度 17.1 重复性 在重复性条件下获得的两次独立测试结果的测定值，在以下给出的平均值范围内，这两个 测试结果的绝对差值不超过重复性限（r），超过重复性限（r）的情况不超过 5%，重复性 限（r）按表 8 数据采用线性内插法求得。 表 8 氧化钍质量分数 / %重复性限（r）/
9、 % 0.620.04 2.800.10 5.160.20 注：重复性限（r）为 2.83Sr，Sr 为重复性标准差。 17.2 允许差 实验室之间分析结果的差值应不大于表 9 所列允许差。 表 9 氧化钍质量分数 / %允许差/ % 0.301.000.060 1.003.000.20 3.005.000.30 5.008.000.40 18 质量保证和控制质量保证和控制 每周用自制的控制标样（如有国家级或行业级标样时，应首先使用）校核一次本标准 分析方法的有效性。当过程失控时，应找出原因，纠正错误，重新进行校核。 嬀窡耀0帀斟0愀褏耀0最耀0最耀0栀瘇耀0氀匧耀楲0氀匯耀驛0渀涶耀楲0爀卩
10、耀0砀耀0礀宻耀z0稀嬳耀0笀,0簀耀0縀耀0舀耀枃襼0蠀乌耀0謀更耀?耀0贀耀規0退、耀?耀0退耀0鄀耀0鄀峑耀蚔0鐀耀閔0鐀耀0鐀0销耀嶕0销耀枕0销耀熕0销耀皗0頀耀蒘0.36.3 2 片 （指由 1 根晶锭头和尾部所切 的另外各 1 整片晶片） 0 7.4.1.2 若采用非破坏性的方块电阻测试仪和迁移率、载流子浓度测试仪来进行电学性能参数检验时， 检验规则及合格判据见表 5。 表 5 检验项目、规则及判据 表 5 检验项目、规则及判据 序号检验项目要求条款号检验方法检验规则允许不合格数 1 电阻率5.1 的表 1 中第 1 项 6.1.1.2 2 迁移率5.1 的表 1 中第 2 项
11、6.1.2.2 3 载流子浓度5.1 的表 1 中第 3 项 6.1.3.2 2 片 （指由 1 根晶锭头和尾部所切 的各 1 整片晶片） 0 4 晶向及 晶向偏差 5.26.2 2 块 （指由 1 根晶锭头部所切的、 ； 进行电性能测试后晶片上所取 的 2 块测试样块） 0 5 位错密度 5.36.3 2 片 （指由 1 根晶锭头和尾部所切 的另外各 1 整片晶片） 0 7.4.2 每个检验批衬底片的表面质量、参考面取向和参考面尺寸及外形几何尺寸检验项目的检验规则 及合格判据见表 6。抽样方案按 GB/T 2828 一次正常抽样方法进行；IL=II，AQL=6.5。 表 6 检验项目、规则及
12、判据 GB/T 2828 序号检验项目要求条款号检验方法 IL AQL 1 表面质量 5.46.4 2 参考面取向和参考面长度 5.56.5 3 直径和偏差 5.6-16.6.1 4 厚度及偏差和总厚度变化 5.6-26.6.2 II6.5 GB/T XXXXXXXXX 6 5 平整度 5.6-36.6.3 6 翘曲度 5.6-46.6.4 7.5 不合格判定 若表5或表6中的5项检验中有任何一项检验不合格，则判定该根磷化镓单晶锭子检验批检不合格， 该单晶锭所切的衬底片不得进入该产品检验批继续进行的后续检验和交付。 若表7中的6项检验中有任何一项检验不合格，则判定该检验批产品批检不合格。 7.
13、6 不合格处置 如果一个检验批被拒收，生产方应将该批产品取回进行分析。；若产品不合格是因衬底片表面质 量、参考面取向和长度及外形几何尺寸等可通过返工重新使之合格的问题所造成，。则产品可经返工 并经加严检验合格后，；再标明“重新检验批”予以重新交付；。如果是因衬底片的电学性能、位错 及晶向达不到产品标准或合同协议的要求，则该批产品将被拒收，且不能重新交付，。应由生产方重 新提供另外批次检验合格的衬底片。 8 标志、包装、运输及贮存 8.1 标志、包装和质量证明书 8.1.1 产品标志 晶片要做成器件，因而其表面不能做任何标志。 8.1.2 包装盒标志 a)生产年份； b)晶片型号； c)晶体编号
14、；。 8.1.3 包装箱标志 a)产品名称、型号、数量； b)生产方名称、地址、电话； c)防潮、防撞、防腐蚀等包装储运图示标志，应符合 GB/T191 的规定。； 8.1.4 包装 经过清洗干净的衬底片放入特制的聚乙烯圆形包装盒里，每盒一片，主面朝下，放上压环，用塑 料袋充氮气密封，然后连同合格证、质量保证书一起装入塑料盒里（每盒里的数量根据衬底片直径而 定），再将塑料盒放入包装箱内，周围用塑料泡沫填充，以防止移动相互挤碰，最后用胶带封好。 8.1.5 质量证明书 每批衬底片应具备质量证明书，需注明： a)供方名称； b)合同号； c)产品名称、型号； GB/T XXXXXXXXXGB/T
15、XXXXXXXXX 7 d)产品批号、所有晶体编号； e)产品标准号； f)各项参数检验结果和检验员印章及检验日期； g)检验部门印章。； 8.2 运输及贮存 8.2.1 产品在运输过程中应防止挤压、碰撞并采取防震、防潮等措施。 8.2.2 产品应存放在清洁、干燥、无化学腐蚀的环境中。 GB/T XXXXXXXXX 8 A A 附 录 A （规范性附录） 使用方块电阻测量仪对衬底片电阻率进行测量的方法 A.1 适用范围 本方法主要参考GB/T6616方法，适用于用方块电阻测量仪对0.02/3000/的低阻 磷化镓单晶衬底片电阻率进行测量。 A.2 测试仪器 非接触式方块电阻测量仪。 A.3 测
16、试原理 测量仪中的振荡器一方面驱动线圈产生垂直穿过被测样品的磁场，另一方面提供一个直流电压给 监控电路。当磁场因样品的被测区域方块电阻而发生改变时，将在样品中产生涡流并损耗一定的磁场 能量，使振荡器的功率降低，输出直流电压改变，监控电路分别在有样品和无样品的情况检测输出的 直流电压，这两个电压的差值正比于被测样品被测区域的方块电阻。 A.4 测试条件 除另有规定外，应在下列条件下进行检验： a)温度： 235； b)相对湿度：20%-70%； c)大气压力：86kKPa-106KkPa； d)洁净度： ：10000 级。； A.5 测点选择 根据衬底片的尺寸；，为以衬底片中心点为圆心，半径为4
17、/5衬底片半径的圆形区域作为有效测试 区域。；测试点数为17个33个，其分布以衬底片中心为圆心，呈径向均匀放射形状。 A.6 衬底片方块电阻测量和电阻率的计算 A.6.1 方块电阻测试程序 a)将衬底片样片带入万级超净环境后打开包装盒； b)用干净的塑料镊子取出外延片样片，置于测试导轨上，并使待测样片的定位边与标记边平行； c)打开仪器及真空泵，；打开测试软件；，选择测试程序；，设定测试参数； GB/T XXXXXXXXXGB/T XXXXXXXXX 9 d)启动测试程序，确定测量范围，开始进行测量； e)测量结束后，取下测试样品，重新包装。 A.6.2 衬底片电阻率的计算 衬底片每个测试点的
18、电阻率为： tR 式中： 每个测试点的电阻率（.cm） t 衬底片的厚度（cm） R 每个测试点的方块电阻（/） A.7 合格判据 每片衬底片的每个测试点的电阻率均满足要求，则判定该衬底片电阻率检验合格。 A.8 测试报告 a)测试项目； b)被测产品检验批号和序号； c)测试设备编号； d)测试条件； e)测试人员； f)测试审核人员； g)测试结果和测试日期。 GB/T XXXXXXXXX 10 B B 附 录 B （规范性附录） 衬底片室温载流子浓度与迁移率测量方法 B.1 适用范围 本方法适用于磷化镓单晶衬底片的室温载流子浓度与迁移率的测量。 B.2 测试仪器 非接触式迁移率及载流子浓
19、度测试仪（推荐Lehighton1600）。 B.3 测试原理 测试仪中使用一个10GHz的微波源和波导管，将能量垂直入射到被测样片的表面，入射波引出两种 反射波：一种是霍尔效应引起的，偏振方向与入射波垂直；另一种是普通反射波，偏振方向与入射波 相同。；被测样片置于垂直磁场中时，探测到霍尔功率，霍尔功率垂直于反射功率使得测试仪可分别 测得正向功率、反射功率和霍尔功率。各测试量转化为电导率张量系数导入分析软件，即可获得迁移 率和载流子浓度测试量值。 B.4 测试条件 除另有规定外，应在下列条件下进行检验： a)温度： 235； b)相对湿度：20%-70%； c)大气压力：86kKPa-106K
20、kPa； d)洁净度： ：10000 级。； B.5 测点选择 衬底片均以穿过定位边中点和衬底片圆心线为Y轴，；以穿过衬底片圆心并与Y轴垂直线为X轴。衬 底片测试点数量为5点，测试点分布如图B.1所示，5点坐标分别为（0 ，0）、（0 ，2R/3）、（0 ，- 2R/3）、（2R/3 ，0）、（-2R/3 ，0）。图中R为有效测试区域半径，根据衬底片的尺寸，；半径为 4/5衬底片半径的圆形区域作为有效测试区域。 GB/T XXXXXXXXXGB/T XXXXXXXXX 11 图 B.1 测试点分布（R 为有效测试区域半径） B.6 测试程序 a)将衬底片样片带入万级超净环境后打开包装盒； b)
21、用干净的塑料镊子取出衬底片样片，置于测试导轨上，将导轨送入测试设备； c)按测试设备规定设定调节测试的条件参数，；打开测试软件；，选择测试程序； d)启动测试程序，确定测量范围，开始进行测量； e)测量结束后，取下测试样品，重新包装。 B.7 合格判据 每片衬底片5个测试点的迁移率（ ，cm2/Vv.s）和室温载流子浓度（ns ，cm-3）均满足要求， 则判定该衬底片迁移率和载流子浓度检验合格。 B.8 测试报告 a)测试项目； b)被测产品检验批号和序号； c)测试设备编号； d)测试条件； e)测试人员； f)测试审核人员； g)测试结果和测试日期。 _ ICS 29.045 H 83 中
22、中华华人人民民共共和和国国国国家家标标准准 GB/T XXXXXXXX LED 外延芯片用磷化镓衬底规范 Specification of GaP Substrates for LED Epitaxial Chips （征求意见稿） （本稿完成日期：2011.12.21） 201X - XX - XX 发布201X - XX - XX 实施 GB/T XXXXXXXXX I 前 言 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC2）归口。 本标准由中国科学院半导体研究所、南京国盛电子有限公司负责起草。 本标准主要起草人：赵有文、提刘旺、赵坚强、马林宝。 GB/T
23、 XXXXXXXXX 1 LED 外延芯片用磷化镓衬底规范 1 范围 本标准规定了LED外延芯片用磷化镓衬底（以下简称衬底）的分类、技术要求、检验方法和规则以 及标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于制造LED外延芯片的磷化镓衬底。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本 文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 191 包装储运图示标志 GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 2828 逐批检查计数抽样程序及抽样表(适用于连续批的检查) GB/T 4326 非本征半导体
24、单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜层电阻测定 非接触涡流法 GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测量方法 GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测量方法 GB/T 6621 硅抛光片表面平整度测试方法 GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T 8760 砷化镓单晶位错密度的测量方法 GB/T 13387 电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T 14140.2 硅片直径测试方法 千分尺法 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 14844 半导体材料牌号表示方法 3 术语 GB/T 14264 规定的术语和定义适用于本标
25、准。 4 产品分类 4.1 分类 衬底按导电类型分为N型和P型两种类型。 4.2 牌号 衬底牌号表示按 GB/T14844 的规定。 GB/T XXXXXXXXX 2 4.3 规格 衬底按直径分为50.8mm、76.2mm两种规格，或由供需双方商定。 5 技术要求 5.1 电学性能 衬底的电学性能应符合表1规定。 表 1 电学性能参数 要求 序号项目 NP 1 电阻率 .cm0.1110-30.31510-2 2 迁移率 cm2/V.S 10050 3 载流子浓度 cm-351017210185101741019 5.2 衬底片表面晶向 衬底的表面取向为：111或100，晶向偏离不大于0.5（
26、当客户对晶向参数有特殊要求时 由供需双方在合同中确定）。 5.3 位错密度 衬底的位错密度要求应符合表2的规定。 表 2 位错密度 要求 序号项目 50.876.2 1 位错密度（个/cm2） 21054105 注：当客户对晶体位错密度参数和位错类型及分布有特殊要求时由供需双方在合同中确定。 5.4 表面质量 在衬底表面边缘2 mm范围内无划痕、崩边、桔皮和裂缝。在整个表面无沾污、溶剂残留物、蜡残 留物或按合同规定。 5.5 参考面的取向、形状和尺寸 2、3衬底参考面的取向和长度应符合表3的规定。 GB/T XXXXXXXXX 3 表 3 参考面的取向和长度 参数项目要求 主参考面取向 111
27、 (1-10)2 110 (011)2 副参考面取向 (-1,10)5(1-10)5 主参考面长度 (2) 16 mm 1 mm(3) 22 mm 1 mm 副参考面长度 (2) 8 mm 1 mm(3) 11 mm 1 mm 5.6 外形几何尺寸 衬底的外形几何尺寸应符合表4的规定。 表 4 外形几何尺寸 晶片直径 序号外形几何尺寸要求项目 23 1 晶片直径及偏差，mm 50.80.276.20.2 晶片厚度及偏差，m（200500）15（400600）20 TTV，m P/p 10152 TTV，m P/L、E 1520 TIR，m P/p 56 TIR，m P/L、E 683 LTV，
28、15 mm15 mm P/p 22.5 Warp，m P/p 1015 4 Warp，m P/L、E 1520 注：如客户对外形尺寸有其它特殊要求时，双方商议后在合同中签订。 6 检验方法 6.1 电学性能检测 6.1.1 衬底片电阻率检测 6.1.1.1 衬底片电阻率检测按 GB/T4326 规定的测量方法进行。 6.1.1.2 衬底片电阻率检测也可按本规范规范性附录 A 规定的测量方法进行。 GB/T XXXXXXXXX 4 6.1.2 衬底片迁移率检测 6.1.2.1 衬底片迁移率检测按 GB/T4326 规定的测量方法进行。 6.1.2.2 衬底片迁移率检测也可按本规范规范性附录 B
29、规定的测量方法进行。 6.1.3 衬底片载流子浓度检测 6.1.3.1 衬底片载流子浓度检测按 GB/T4326 规定的测量方法进行。 6.1.3.2 衬底片载流子浓度检测也可按本规范规范性附录 B 规定的测量方法进行。 6.2 衬底片表面晶向及晶向偏差检测 衬底片表面晶向及晶向偏差检测按GB/T 1555规定的测定方法进行。 6.3 衬底的位错密度检测 衬底的位错密度按GB/T 8760规定的测量方法进行。 6.4 衬底片表面质量检测 衬底片表面质量检测按GB/T 6624规定的测量方法进行。 6.5 衬底的参考面尺寸长度检测 衬底的参考面尺寸长度按GB/T 13387 规定的测量方法进行。
30、 6.6 外形几何尺寸检测 6.6.1 衬底片直径及偏差按 GB/T 14140.2 规定的测量方法进行。 6.6.2 衬底片厚度及偏差和总厚度变化按 GB/T 6618 规定的测量方法进行。 6.6.3 衬底片表面平整度按 GB/T 6621 规定的测量方法进行。 6.6.4 衬底片翘曲度按 GB/T 6620 规定的测量方法进行。 7 检验规则 7.1 检验条件 除另有规定外，应在下列条件下进行所有检验： a)温度：23 3； b)相对湿度：60%。 7.2 检验和验收 7.2.1 产品应由供方技术质量监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准的规定，并填写产品质量 证明书。 7.2.2 需
31、方可对收到的产品按本标准的规定进行检验。若发现产品质量不符合本标准或合同要求时， 应在收到产品之日起 1 个月内向供方提出，由供需双方协商解决。 7.3 检验批 7.3.1 在相同的设计、工艺及原材料批和生产设备无更换且正常运行的条件下；于 6 周内生产的衬 底片，构成一个检验批； GB/T XXXXXXXXX 5 7.3.2 对于衬底片的电学性能参数、晶向及晶向偏差、位错密度检验，必须由每根磷化镓单晶碇所切 割的全部衬底片构成电学性能参数、晶向及晶向偏差和位错密度检验项目的一个子检验批单位。 7.4 检验项目、规则及判据 7.4.1 首先在每根表滚圆后的磷化镓单晶碇头和碇尾各切一片衬底片，然
32、后按照表 1 和表 2 的规定进 行的电学性能参数、晶向及晶向偏差和位错密度的检验； 7.4.1.1 采用传统的霍尔测量方法进行的电学性能参数检验时；检验规则及合格判据见表 5。 表 5 检验项目、规则及判据 序号检验项目要求条款号检验方法检验规则允许不合格数 1 电阻率5.1 的表 1 中第 1 项 6.1.1.1 2 迁移率5.1 的表 1 中第 2 项 6.1.2.1 3 载流子浓度5.1 的表 1 中第 3 项 6.1.3.1 3 块 （指由 1 根晶棒头部所切晶片 的圆心点、1/2 半径点和 1/3 半径点上所取的 3 个测试样块） 0 4 晶向及 晶向偏差 5.26.2 1 块 （
33、指由进行电性能测试晶片剩 余的部分所取的测试样块） 0 5 位错密度 5.36.3 1 片 （指由 1 根晶棒尾部所切的 1 整片晶片） 0 7.4.1.2 若采用非破坏性的方块电阻测试仪和迁移率、载流子浓度测试仪来进行电学性能参数检验时， 检验规则及合格判据见表 6。 表 6 检验项目、规则及判据 序号检验项目要求条款号检验方法检验规则允许不合格数 1 电阻率5.1 的表 1 中第 1 项 6.1.1.2 2 迁移率5.1 的表 1 中第 2 项 6.1.2.2 3 载流子浓度5.1 的表 1 中第 3 项 6.1.3.2 4 晶向及晶向偏差 5.26.2 5 位错密度 5.36.3 2 片 0 7.4.2 衬底片表面质量、参考面尺寸和外形几何尺寸检验项目的检验规则及合格判据见表 7。抽样方 案按 GB/T 2828-1987 一次正常抽样方法进行；IL=II，AQL=6.5。 GB/T XXXXXXXXX 6 表 7 检验项目、规则及判据 GB/T 2828 序号检验项目要求条款号检验方法 IL AQL 1 表面质量 5.46.4 2 参考面长度 5.56.5 3 直径和偏差 5.6-16.6.1 4 厚度和偏差和总厚度变化 5.6-26.6.2 5猀佑刀匀栀輀倀攀氀愀吀椀猀佑
