1、.312.1 引言 .312.2 晶体生长方法 .312.2.1 多晶样品的制备 .312.2.2 气相输运法单晶生长 .322.3 材料表征方法 .322.3.1 X 射线衍射（XRD） .322.3.2 扫描电子显微镜（SEM） .332.3.3 差热分析法（DTA） .342.3.4 综合物性测量系统（PPMS） .342.4 本章小结 .35第三章 ZrTe5-晶体及 ZrTe5+陶瓷的制备与输运研究 .373.1 引言 .373.2 ZrTe5-晶体的制备与输运研究 .37目录VIII3.2.1 XRD 和 EDS 结果与分析 .373.2.2 ZrTe5-晶体的电输运结果与分析 .
2、393.3 ZrTe5+陶瓷的制备与输运研究 .403.3.1 EDS 和 DTA 结果与分析 .403.3.2 ZrTe5+陶瓷的电输运结果与分析 .413.3.3 ZrTe5+陶瓷的热电性能 .433.4 本章小结 .45第四章 BiCuXO(X=S,Se,Te)材料的制备与电输运、电磁输运性质研究 .474.1 引言 .474.2 BiCuSO 晶体制备与输运研究 .474.2.1 EDS 和 XRD 结果与分析 .474.2.2 电输运结果与分析 .484.3 BiCuSeO 晶体制备与输运研究 .504.3.1 EDS 和 XRD 结果与分析 .504.3.2 电输运结果与分析 .514.4 BiCuTeO 多晶陶瓷制备与输运研究 .534.4.1 EDS 和 XRD 结果与分析 .534.4.2 电输运结果与分析 .544.5 BiCuXO (X=S,Se,Te)材料的对比与讨论 .564.6 本章小结 .59第五章 总结与展望 .615.1 总结 .615.2 展望 .62参考文献 .63攻读硕士期间学术成果 .
