1、(舀%砀讀缁缀節貔%頀h椀企挍挍挍挍挍挍挍挍挍挍挍挍挍挍挍挍挍挍攍坪潏聠瑺瀀瀀琀瀀椀挀最椀昀坪潏聠瑺瀀瀀琀尀尀搀挀搀愀攀搀愀瘀一礀瀀嘀漀礀砀椀猀甀圀搀刀栀嘀氀欀樀甀稀堀攀樀搀娀最坪潏聠琀愀搀挀搀愀戀攀挀愀昀挀搀攀挀坪潏聠瑺葾潏聠瑺葔艶潏奎晥楥潏聠奓晥楥潏聠葧啓奾蚀敞虧楎綗0扥替恛奎睞獧葻潏葠替恛蹑奎暉虹蕗葑v號奎蒀S扥豎葛奕楓蒗卶盿N潏聠葧魶潏聠瑺摖潏聠瑺奎晥楥魣鹏貋癸鹺潏聠瑺徎奦晥楥蒗v潏聠奣晥楥潏聠奣楥蒗膑蒐奦潏妀潏奦葓潏聠暋恛譎妎魣萀蒐萀晶恛萀晶恛踀夀蒀鹶豥萀潏聠彧奎葞奶晥魣虏萀谀夀晥蘀N萀鈀虳潏聠捧甀爀爀攀渀挀礀夀晥楥蒗潏聠瑺萀潏聠瑺晦椀昀氀奺晥潏聠潏潏魎谠蕺谀奺晥萠v譥著奶晥潏聠瑺奓
2、晥谀奔晥昀萠鸀鬀潏聠瑺葔艶潏聠瑺葔怀昀萠潏怀昀眠暎恛葎谂鬀怀昀潏葎晶恛怀昀鸂萂鬀豒鬀潏聠瑺葔艶萂瑺怀萂瑺葔怀萂瑺葔潏聠瑺葔萂瑺怀萂瑺葔怀萂瑺葔潏聠瑺葔葏瑺怀夀薀萠楥怀夀晥萀楥怀夀晥萀楥潏聠瑺葔潏聠瑺葔晶恛昀恛萠潏聠瑺葔晶恛潏聠奎晥瘰潏聠奔夀刀夰晥昂恛潏聠瑺葔鹶潏聠瑺葔晶恛邍昀恛萠謀怀夀晥怀怀昀恛罢耀 8.1.3信息技术与课程整合的层次 3. 方位的课程整合1教育内的改革2教学 的改革3教学 的改革8.1.3信息技术与课程整合的层次8.2.1信息技术与课程整合的学习 1.学习的 本“一 为，信息技术与课程整合的学习 大 信息技术与教学 ， 地为 与 。其中，信息技术 合教 教 等。教学 试 课
3、课程 学习。8.2信息技术与课程整合的实施8.2.1信息技术与课程整合的学习资源 2.学习的 型1教学 2支持 3学习瓦拉西瓦0000100009技术总结20190820214347274184M0紁1(舀%讀缁缀節貔%頀h梭緯$模块一 信息化教学基础 .pptpic1.gif模块一信息化教学基础.ppt2019-820d2f19ade-6c0f-479c-af80-74727bb24220QysQpGTzDEhhT3kYLCDBPQfs7mdGXFd8Z5VCt8B5brY6G4deQ07+Ug=模块,信息化,教学,基础05c19efb71583fa07637fb2233febc6c模块一
4、信息化教学基础 教学目标 了解教育技术定义、研究内容； 理解行为主义、认知主义、建构主义和人本主义学习理论的主要观点； 理解“经验之塔”理论的内容和基本观点； 理解传播的主要模式和教育传播的基本要素； 了解现代教育技术对教育的影响及发展趋势。本章主要内容1.1 教育技术的概念1.2 教育技术的理论基础1.3 现代教育技术及对教育的影响1.4 现代教育技术的发展趋势1.5 练习与实践教育技术的概念教育技术的AECT94定义1教育技术的AECT05定义2我国教育技术的研究内容3教育技术的概念AECT94定义1994年AECT对教育技术所下的定义是（简称AECT94定义）：教学（教育）技术是对学习过
5、程和学习资源进行设计、开发、利用、管理和评价的理论与实践。 英文原文表述：Instructional Technology is the theory and practice of design, development, utilization, management, and evaluation of processes and resources for learning.教育技术的概念AECT94定义AECT94定义明确地指出了教育技术的研究对象是与学习有关的过程和资源（两个研究对象）；教育技术的研究内容是对与学习有关的过程和资源的设计、开发、应用、管理和评价（五个研究领域）；教育
6、技术是一种理论和实践；教育技术以促进学习为目的，如图1-1所示。 教育技术的概念AECT94定义1.关于学习过程和资源的设计“设计”范畴目前包 以下 ：教学 设计、教学 息 化的设计 。教学 设计包 的 、内容 、学习 、目标 述以及教学 与评价设计。教学 息设计指 用有关 理学原理 设计教学内容的 表现 。如 开 、 和 的 设计、影 的、解currency1及“与 的、fifl 的用和文 的 。设计的 表现为“教学开发的图”，如教学 、 ” 要 、本 。教育技术的概念AECT94定义2.关学习过程和资源的开发“开发”是“图” 化为 的学习资源。开发的对象包 传 、 和 与资源的 。“ 是本
7、、 教程、计 、式 、学习包 学习资源学习 。 教育技术的概念AECT94定义3.关于学习过程和资源的利用“利用”是 开发的“学习资源和学习 ” 教学实过程， 用。我国有 地 开发计 教学资源， 有 及 用，“ 的 。究“原 ， 是有关构及 建 ，以 的用。教育技术的概念AECT94定义4.关学习过程和资源的管理“管理”是指对教学 、教育信息、教育资源和教育研究 计 与 目的 和 ；管理的目的是 fl述设计、开发、利用和 的评价的 有地开展。包 目管理、资源管理、传 管理、信息管理。瓦拉西瓦0000100009技术总结20190820214349683158M漀(匀讀缁節貔%頀h氀椀甃甃甃甃甃
8、甃甃甃甃甃甃甃甃甃甃甃甃甃眃考腒瀀搀昀瀀椀挀最椀昀耀腒瀀搀昀尀尀搀挀愀搀愀搀昀攀挀爀愀儀娀刀瘀洀搀搀洀戀昀眀眀愀欀眀圀栀甀砀椀栀戀最嘀嘀砀耀脀愀挀挀搀戀搀攀愀鐀+栀爀&罢耀一杰J蘋果對顯示器產業意義龐大訂單牽動面板業版圖產帶動投射電容觸控市場起飛擴大超薄、廣視角、高精細度面板需求蘋果對顯示面板 業產意義資料來源：DIGITIMES整理，2011/10推升投射電容觸控及IPS廣視角技術陣營的佔有率。投資日本面板廠東芝及夏普，降低與三星訴訟戰面板供應風險LG Display 蘋果最為主要面板供應商，獲利率居面板廠之冠。2顯示器產業的Apple Impact (1)Apple帶動投射電容觸控面板市場
9、百倍成長 3投射電容式觸控面板全球出貨量變化及預測單位：百萬片2007年6月iPhone上市2010年4月iPad上市資料來源：DIGITIMES ， 2011/10顯示器產業的Apple Impact (2)手機螢幕精細度向200ppi以上邁進資料來源：DIGITIMES ， 2011/104單位：pixel per inch顯示器產業的Apple Impact (3)終端業者及零組件廠商加強合作關係5零組件業者終端業者挹注資金以擴充 能產技術協助 供應 零組件蘋果對顯示器相關產業的影響6200ppi以上 面板 主 高 板 面板 析度 1080p 及 板 普 廣視角技術面板廠與 組廠 產IT
10、 顯示薄 化終端業者資助零組件業者市場currency1 式，“ 風。為帶動顯示技術帶動 技術終端業者與強零組件廠商 端業者零組 商 資助面板廠fifl 能產 面板廠fifl 蘋果以預零組件”式，協助零組件業者 能， fl 高精細度產 為面板 零組件的 。終端業者對零組件廠fl 度 強瓦拉西瓦0000100009技术总结201908202143510116080紃漀(匀讀缁節貔%頀h氀栀$茨技术标准与服务要求 .pdfpic1.gif技术标准与服务要求.pdf2019-82044d84044-2c3a-47d4-8316-ad913f187e33Mc9rK4aQZKDRv8Bmd1dm3MJb
11、L66fwwaLkw3Whux+ihDAb3gVVCMxKA=技术标准,服务,要求48a3cc2353172db6960372d52e27a676舀瓦拉西瓦0000100009技术总结20190820222513303167J0約$(舀%。讀缁缀怀節貔%頀h梭緯$模拟电子技术基础 .pptpic1.gif模拟电子技术基础.ppt2019-820b15f8103-5817-46f3-92d5-c3a29d68816bUBzoC+RIIU2mvHcI6UiymDneNn/qAExVo2B/fumHXidDlzHtrZ4rbQ=模拟,电子技术,基础ad0824dfcc41654492b398b382
12、cd35ac 模 子技 基拟电 术 础安徽理工大学电气工程系主 ： 友讲 黄 锐第三讲半导体三极管有两大类型，一是双极型半导体三极管二是场效应半导体三极管2.1 双极型半导体三极管2.2 场效应半导体三极管双极型半导体三极管是由两种载流子参与导电的半导体器件，它由两个 PN 结组合而成，是一种CCCS器件。场效应型半导体三极管仅由一种载流子参与导电，是一种VCCS器件。第二章 晶体三极管2.1.1 双极型半导体三极管的结构2.1.2 双极型半导体三极管电流的分配与控制2.1.3 双极型半导体三极管的电流关系2.1.4 双极型半导体三极管的特性曲线2.1.5 半导体三极管的参数2.1.6 半导体
13、三极管的型号2.1 双极型半导体三极管2.1.1双极型半导体三极管的结构双极型半导体三极管的结构示意图如图02.01所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。图 02.01 两种极性的双极型三极管e-b间的PN结称为发射结(Je) c-b间的PN结称为集电结(Jc)中间部分称为基区，连上电极称为基极，用B或b表示（Base）；一侧称为发射区，电极称为发射极，用E或e表示（Emitter）；另一侧称为集电区和集电极，用C或c表示（Collector）。双极型三极管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区
14、掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米 几 个微米。2.1.2 双极型三极管的电流分配与控制双极型半导体三极管在 一 要上 的 流 电 。在 大 发射结外 向电 ，集电结外 向电 。NPN型三极管的 大 为， 三极管 部的电流关系， 图02.02。( 2 1)图 02.02 双极型三极管的电流 关系发射结 ，从发射区有大电子向基区，成发射极电流，与PN结中的currency1。从基区向发射区“有的 ，fi其数fl， 是为发射区的掺杂浓度大基区的掺杂浓度。 基区的电子流基区的浓度低，合的”。基区很薄，在集电结 电 的 用下，电子在基区 的 间很，很 集电结的上， 集电结的结电场区，集电极所集，成集电极电流。在基区合的电子成基极电流。另外集电结 ，集电结区的子成 电流ICBO。是得如下电流关系:IE =IC+IB三极管放大的实质发射结 向电 大fl控制基区子浓度 集电极电流大fl即由 Vbe 控制 Ic ，由于 Ib 正比于Vbe ，所以有 Ib 正比于 Ic 。上关系在图0
