1、设计值等 于材料 强度标 准值除 以抗力分项 系 数，冷弯薄壁 型钢结构的抗力分项 系数介 一 1.1 6 5。 4.1.5 按正常使用极 限状态设计冷弯薄壁型钢结构，应考虑荷载 效应的标准组合，采用荷载标准值和变形 限值进行计算。 4.1.6 计算结构构件和连接时，荷载、荷载分项 系数、荷载效应组 合和荷载组合值系数的取值，应符合现行国家标准建筑结构荷载 规范 G B 50 0 0 9的规定。 注：对支承轻屋面的构件或结构（屋架、框架 等），当仅承受 一 个 可变荷 载，其水平 投影面积超过6 0 m “时 ，屋面均布活荷载标准值宜取0.3 kN/m ” 。 4.1.7设计 刚架、屋架、模条
2、和墙梁 时，应 考虑 由于风 吸力作用引 9 起构件内力变化 的不 利影 响，此 时永 久荷载的荷载分 项 系数 应取 1.0 0 4.1.8 结构构件的受拉强度应 按净截面计算；受压强度应按有效 净截面计算；稳定性应按有效截面计算。 4.1.9 构件的变形和各种稳定系数可按毛截面计算。 4.1.1 0 当采用不能滑动的连接件连接压 型钢板及其支承构件形 成屋 面和墙面等围护体系 时，可在单层房屋 的设计中考虑受力蒙 皮作用，但应同时满足下列要求： 1 应 由试 验或可靠的分析 方 法获得蒙皮组合体的强度 和 刚 度参数，对结构进行 整体分析 和设计； 2 屋脊、檐口和 山墙等关键部位的凛条、
3、墙梁、立柱及其连接 等，除了考虑直接作用 的荷载产生的内力外，还必须考虑由整体分 析算得的附加内力进行承载力验算； 3必须在建成的建筑物 的显 眼位置设立永久性标牌，标明在 使用 和维护过 程中，不得随意拆卸压 型钢板，只有设置 了临时支撑 后方 可拆换压 型钢板，并在设计文件中加 以规定。 4.2 设计指标 4。2。1 钢 材 的强度设计值 应按表4 .2.1采用。 表4.2.1钢材的强度设计值 【N/mmZ) 钢材牌 号 抗拉、抗压和抗弯 f 抗剪 fv 端面承压 （磨平顶紧 ） fce Q 2 3 5钢 2 0 51 2 03 1 0 Q 3 4 5 钢3 0 01 7 54 0 0 4
4、.2.2 计算全截面有效的受拉、受压或受弯构件的强度，可采用 按本规范附录C确定的考虑冷弯效应 的强度设计值。 4.2.3经退火 、焊接和热镀锌等热处理 的冷弯薄壁型钢构件不得 采用考虑冷弯效 应的强度设计值。 4.2.4 焊缝 的强度设计值 应按表4.2.4采用。 l0 构件钢材 牌号 对接焊缝角焊缝 抗压 君 抗拉 介 抗剪 介 抗压、抗拉和抗剪 厂 Q 2 3 5钢 2 0 51 7 51 2 01 4 0 Q 3 4 5钢 3 0 02 5 51 7 51 9 5 注：1当 Q 2 3 5钢与 Q 3 4 5钢对接焊接时，焊缝 的强度设 计值 应按 表4.2.4中 Q 2 3 钢栏的数
5、值采用； 2经X射线检查符合 一 、二级焊缝质量标准的对接焊缝的抗拉 强度设计值采用 抗压强度设计值。 表4.2.4焊缝的强度设计值 N /mmZ) 类别 性能等级构件钢材的牌号 4.6级、4.8级 Q 2 3 5钢Q 3 4 5钢 抗拉 了 卜 1 6 5 抗剪君 1 2 5 承压介 2 9 03 7 0 4.2.S C 级普通 螺栓连接 的强度设计值应按表4.2.5采用。 表4.2.S C级普通螺栓连接的强度设计值 【N/mmZ) 4.2.6 电阻点焊每个焊点的抗剪承载力设计值应按表4 .2.6采 用。 表4.2.6电阻点焊的抗剪承载力设计值 相焊板件中外层 较薄板件 的厚度 t(mm)
6、每个焊点的抗剪 承载力设计值 N之（ kN) 相焊板件 中夕 卜 层 ！ 较薄板件的厚度 (mm) 每个焊点的抗剪 承载力设计值 N之（ kN) 0.40.60. O 山5.9 0.61.1 产 勺 . 9 自 对 口口 月口 口百 口吸 甘口 口 口口 口 8.0 0。81.70.31 0.2 1.02.3 亡 J.nj1 2.6 1。54,0 - 4.2。7 计算下 列情况的 结 构 构 件 和 连 接 时，本 规范 4.2.1至 1 l 4.2.6条规定 的强度设计值，应乘 以下列相应 的折减系数。 1 平面格构 式檀条的端部主要 受压腹杆：0.85; 2 单面 连接 的单角钢杆件： 1
7、 ）按轴心受力计算强度和连接：0.85; 2 ）按轴心受压计算稳定性：0.6+ 0.0 0 1 4 从 注：对中间无联 系的单角钢压杆，孟为按最小 回转半径计算的杆件长细 比。 3无垫板 的单面对接焊缝：0.85 ; 4 施工条件较差 的高空安装焊缝：0.9 0; 5 两构 件 的连接采用搭接 或 其 间填有 垫板 的连接 以及 单盖 板 的不对 称连接：0.9 0。 上述几种情况 同时存在 时，其折减 系数应连乘。 4.2.8 钢材的物理性能应符合表4 .2.8的规定。 表4.2.8钢材的物理性能 弹性模量E (N /mmZ) 剪变模量G (N /mmZ ) 线膨胀系数a （以每计） 质量密
8、度P (kg/m3) 2 0 6 X 1 0 37 9X 1 0 31 2X1 0 一 6 7 85 0 4.3 构造 的 一 般 规定 4.3.1 冷弯薄壁型钢结构构件的壁厚不 宜大于6 mm，也不 宜小 于1.smm（压 型钢板除外），主要 承重结构构件的壁厚 不宜小于 Z mm。 4。3。2 构件受压部分的壁 厚 尚应符合下列要求： 构件中受压板件的最大宽厚 比应符合表4.3.2的规定。 表4。3。2受压板件的宽厚 比限值 毓霖 一 巡 笠 Q Z3 5钢Q 34 5钢 非加劲板件 4 53 5 部分加劲板件 6 05 0 加劲板件 2 5 02 0 0 2 圆管截面构件的外 径 与壁厚
9、 之 比，对 于 Q 2 3 5 钢，不 宜大 于1 0 0；对 于 Q 3 4 5 钢，不宜大于6 8。 4.3.3 1 构件的长细 比应符合下列要求： 受压构件的长细比不宜超过表4 .3.3中所列数值； 表4.3.3受压构件的容许长细比 项次构件类别容许长细 比 1 主要构件（如主要承重柱 、刚架柱、析 架和格构式刚架的弦杆及支座压杆等） 1 5 0 2 其他构件及支撑 2 0 0 2 受拉构件的长细 比不宜超过3 5 0，但张紧的圆钢拉条的长 细比不受此 限。当受拉构件在永久荷载和风荷载组合作用下受压 时，长细比不宜超过2 5 0；在吊车荷载作用 下受压时，长细比不 宜 超过2 0 0。
10、 4.3.4 用缀板或缀条连接的格构式柱宜设 置横隔，其间距不宜大 于2 一 3 m，在每个运输单元 的两端均应 设 置横隔。实腹式受弯及 压弯构件的两端和较大集 中荷载作用 处应 设 置横向加劲肋，当构 件腹板高厚比较大时，构造上宜设置横向加劲肋。 5 构件的计算 5.1 轴心受拉构件 5.1.1 轴心受拉构件的强度应按下式计算： N一， 叮 一 下 盏女J 广in (5.1.1 一 1) 式中 。正应力； N 轴心力； A n净截面面积； 了 一一 钢材的抗拉、抗压 和抗弯强度设计值。 高强度螺栓摩擦型连接处的强度应按下列公式计算： 一， 一 05 令 ） 会 钉 (5.1.1 一 2)
11、N一， 叮 一 不厂乓之J 才i (5.1.1 一 3) 式中nl所计算截面（最外列螺栓）处 的高强度螺栓数； n 在节点或拼接处，构件 一 端连接的高强度螺栓数； A 毛截面面积。 5.1.2 计算开口截面 的轴心受拉构件的强度时，若轴心力不通过 截面弯心 （或不通过Z形截面 的扇性 零点），则应考虑 双力矩 的影 日向。 注：本条规定也适用于轴心受压、拉弯、压弯构件。 5.2 轴心受压构 件 5.2.1 轴心受压构件的强度应按下式计算： N一， J 一 下 一 气；I Z 飞en (5.2.1) 式 中 5.2.2 A en有效净截面面积。 轴心受压构件的稳定性应按下式计算： N一， 丁万
12、 一 飞I 甲 八 e 式中 甲 轴心受压构件的稳定系数，应按本规范表 或表A .1.1 一 2采用； A e有效截面面积。 (5.2.2) A .1.1 一 1 5.2.3 计算闭口截面、双轴对称的开口截面和截面全部有效的不 卷边 的等边单角钢轴心受压构件的稳定系数时 ，其长细比应 取按 下列公式算得的较大值： I n, 几x 一 万二 1 x 又 一丛 , . y: 乙， J (5.2.3 一 1) (5.2.3 一 2) 式中 久x、沁 构件对截面主轴x轴和y轴的长细比； 1 0 x 、1 0 y构件在垂直于截面 主轴x轴和y轴的平 面 内的 计算长度 ; ix 、心构件毛截面对其主轴x
13、轴和y轴的回转半径。 5.2.4 计算单轴对称开口截面（如图5.2. 4所 示）轴心受压构件 的稳定系数时，其长细 比应取按公式5.2.3 一 2和 下式算得的较大 值： 几田 一 几x _2 一 含 一 丁 一 、互吐 丝、 2 一全卫遨 八 11 0_2 1_2 V 万 jJ (5.2.4 一 1) 0.039I t 端 一 嘴十蹂讨 式中弋弯扭屈曲的换算长细 比； , I。 毛截面扇性惯性矩； I, 毛截面抗扭惯性矩； e。 毛截面 的弯心在对称轴上 的坐标； (5.2.4 一 2) (5.2.4 一 3) + 几 一 疏 ， 一 X 一 、 i Q ， . S 一 一 勺 口 一 一
14、弓 自 S z 。扭转屈曲的计算长度，z。 一 月 八 Z 无缀板 时，为构件的几何长度；有缀板 时，取 两相邻 缀板中心线的最大间距； 。，尹约第三章 场效应晶体管及其电路分析题1.3.1 绝缘栅场效应管漏极特性曲线如图题1.3.1（a）（d）所示。（1） 说明图（a）（d）曲线对应何种类型的场效应管。（2） 根据图中曲线粗略地估计：开启电压VT、夹断电压VP和饱和漏极电流IDSS或IDO的数值。 图题1.3.1解： (1)(a)增强型N沟道MOS管，VGS(th)3V,IDO3mA；(b)增强型P沟道MOS管，VGS(th)2V,IDO2mA；(c)耗尽型型P沟道MOS管，VGS(off)
15、2V,IDSS2mA；(d)耗尽型型N沟道MOS管，VGS(off)2V,IDSS3mA。题1.3.2 场效应管漏极特性曲线同图题1.3.1（a）（d）所示。分别画出各种管子对应的转移特性曲线iD=f（vGS）。解： 在漏极特性上某一VDS下作一直线，该直线与每条输出特性的交点决定了VGS和ID的大小，逐点作出，连接成曲线，就是管子的转移特性了。 图题1.3.3题1.3.3 图题1.3.3所示为场效应管的转移特性曲线。试问：（1） IDSS、VP值为多大？（2） 根据给定曲线，估算当iD=1.5mA和iD=3.9mA时，gm约为多少？（3） 根据gm的定义：，计算vGS= -1V和vGS= -
16、3V时相对应的gm值。解： (1) IDSS=5.5mA,VGS(off)=-5V;(2) ID=1.5mA时，gm0.88ms,ID=3.9mA时，gm1.76ms;(3) VGS=-1V时，gm0.88ms,VGS=-3V时，gm1.76ms题1.3.4 由晶体管特性图示仪测得场效应管T1和T2各具有图题1.3.4的（a）和（b）所示的输出 特性曲线，试判断它们的类型，并粗略地估计VP或VT值，以及vDS=5V时的IDSS或 IDO值。 图题1.3.4解： 图(a)耗尽型PMOS管，VGS(off)=3V;当VDS=5V时，IDSS=2mA;图(b)增强型PMOS管，VGS(th)=-4V
17、;当VDS=5V时，IDO1.8mA。题1.3.5 某MOS场效应的漏极特性如图题1.3.5所示。试画出vDS=9V时的转移特性曲线，并定性分析跨导gm与ID的关系。 图题1.3.5 图题1.3.6解： 在VDS=9V处作一垂直线，交各VGS下的输出特性，各交点决定了VGS和ID，从而逐点描绘转移特性曲线。从转移特性曲线的某一点作切线，可得gm的大小。题1.3.6 由MOS管组成的共源电路如图题1.3.6所示，其漏极特性曲线同图题1.3.5。（1） 试分析当vI=2V、4V、8V、10V、12V时，该MOS管分别处于什么工作区。（2） 若vI=8+6sint（V），试画出iD和vO（vDS）的
18、波形。解： (1)VI=2V,4V时，MOS管工作在截止区；VI=6V,8V时，MOS管工作在恒流区(放大区)；VI=10V,12V时，MOS管工作在可变电阻区；(2)图略。题1.3.7 由N沟道增强型MOSFET构成的共源电路如图题1.3.7（a）所示，MOS管漏极特性曲线如图（b）所示，试求解该电路的静态工作点Q（注意图中VGS=VDS）。 图题1.3.7解： 解题思路为：由VGS=VDS作出场效应管的I-V特性，将VDS=VDD-IDRd=15-1.5Id负载线方程作在I-V特性上并交于一点，就可决定I，DS,VGS参数。题1.3.8 在图题1.3.8所示的电路中，设N沟道JFET的ID
19、SS =2mA，VP= -4V。试求ID和VDS。 解：由 图题1.3.8 求得：题1.3.9 总结各种类型FET的偏置条件：（1） 说明场效应管处于可变电阻区，恒流区（放大区）和截止区的主要特征（指vDS、vGS 和iD）。（2） 为保证工作于放大区，vDS和vGS的极性应如何设置？在题表1.3.9（a）和题表1.3.9（b）中打“ ”。解： (1)可变电阻区：场效应管的沟道尚未预夹断，VDSVGS-VGS(th),ID随VDS增加而较快增加。恒流区：场效应管的导电沟道被预夹断，VDSVGS-VGS(th),VGSVGS(th),ID基本不随VDS增加而增大。截止区：场效应管的沟道被完全夹断
20、，VGSVGS(th),ID=0,VDS=VDD(注：指增强型NMOS管，其它类型只要注意电源极性，同样可以给出)(2)表题1.3.9-1 表题1.3.9-2VDS极性N沟道+P沟道-VGS与VDS极性异同耗尽型结 型相 反MOS可同 可反增强型MOS相 同题1.3.10 图题1.3.10（a）所示为N沟道场效应管在可变电阻区的输出特性。当要求将其作为压控电阻时，可接成图（b）所示的电路形式。若要求该电路得到1/3的分压比（VO/VI=1/3），应选择多大的VGG？ 图题1.3.10解： 因,所以V0=VDS=0.5V,ID=(1.5V-0.5V)/6K0.167mA,由VDS、ID可从特性曲
21、线上求得VGG1.0V。题1.3.11 图题1.3.11所示电路中，已知FET的IDSS=2mA，VP= -2V。（1） 求ID=2mA时RS的取值范围；（2） 求RS=20k时的ID值。解： (1)当考虑VDS=1V时，Rs=09.5k(2)ID1mA题1.3.12 在图题1.3.12（a）所示的放大电路中，设输入信号vS的波形和幅值如图中所示，JET的特性如图题1.3.12（b）所示，试用图解法分析：（1） 静态工作点：VGSQ、IDQ、VDSQ；（2） 在同一个坐标下，画出vS、iD和vDS的波形，并在波形图上标明它们的幅值。（3） 若VGG改为-0.5V，其它条件不变，重画iD、vDS
22、波形；（4） 为使VGG= -0.5V时，iD、vDS波形不失真，重新选择Rd的数值和静态时的VDSQ。解： (1) 图解过程：写出输出回路负载方程VDS=VDD-IDRd=20-1.2ID,将该方程作在题1.3.12(b)图的特性曲线上与VGG=-1V的输出特性相交于Q点，从而求得VGSQ=VGG,VDSQ,IDQ等；(2) 在静态点的基础上，画出s,iD和DS的相应波形。 图题1.3.12题1.3.13 由P沟道结型场效应管组成的电路和它的漏极特性曲线示于图题1.3.13（a）、（b）中。在VI= -10V，R=10k，Rd=5k，VGG分别为0 V，1V，2V，3V时，求电路输出VO值各
23、为多大？ 图题1.3.13解： 在特性曲线上作出输出负载线VDS=VI-15ID分别与VGS=0V,1V,2V,3V的输出特性交于一点，决定了此时的ID，再用VO=VI-IDR求得。题1.3.14 试用三只电容量足够大的电容器C1、C2、C3，将图题1.3.14所示放大电路分别组成CS、CD和CG组态，并在图中标明各偏置电源和电解电容上的极性，以及信号的输入、输出端子。（在电源前加正、负号，在电解电容正极性端加正号。） 图题1.3.15 图题1.3.14解：该题的解法与题1.2.13类同，请参照1.2.13题。题1.3.15 设图题1.3.15所示电路中FET的IDSS =2mA，VP= -
24、4V，试计算标明在各电路中的电压或电流的大小。解： 图(a)ID1mA图(b)VD11.16V。题1.3.16 在图题1.3.16所示的FET基本放大电路中，设耗尽型FET的IDSS =2mA，VP= - 4V；增强型FET的VT=2V，IDO=2mA。（1） 计算各电路的静态工作点；（2） 画出交流通路并说明各放大电路的组态。 图题1.3.16解： (1)图(a):IDQ0.5mA，VGSQ=-2V,VDSQ3.8V;图(b):IDQ0.76mA，VGSQ-1.5V,VDSQ8.5V;图(c):IDQ0.25mA，VGSQ=2.8V,VDSQ13V;(2) 在画交流通路时，将电路图中的电容器
25、，电源画成短路即可图(a)为共源极放大电路(CS)；第三章 场效应晶体管及其电路分析题1.3.1 绝缘栅场效应管漏极特性曲线如图题1.3.1（a）（d）所示。（3） 说明图（a）（d）曲线对应何种类型的场效应管。（4） 根据图中曲线粗略地估计：开启电压VT、夹断电压VP和饱和漏极电流IDSS或IDO的数值。 图题1.3.1解： (1)(a)增强型N沟道MOS管，VGS(th)3V,IDO3mA；(b)增强型P沟道MOS管，VGS(th)2V,IDO2mA；(c)耗尽型型P沟道MOS管，VGS(off)2V,IDSS2mA；(d)耗尽型型N沟道MOS管，VGS(off)2V,IDSS3mA。题1
26、.3.2 场效应管漏极特性曲线同图题1.3.1（a）（d）所示。分别画出各种管子对应的转移特性曲线iD=f（vGS）。解： 在漏极特性上某一VDS下作一直线，该直线与每条输出特性的交点决定了VGS和ID的大小，逐点作出，连接成曲线，就是管子的转移特性了。 图题1.3.3题1.3.3 图题1.3.3所示为场效应管的转移特性曲线。试问：（4） IDSS、VP值为多大？（5） 根据给定曲线，估算当iD=1.5mA和iD=3.9mA时，gm约为多少？（6） 根据gm的定义：，计算vGS= -1V和vGS= -3V时相对应的gm值。解： (1) IDSS=5.5mA,VGS(off)=-5V;(2) I
27、D=1.5mA时，gm0.88ms,ID=3.9mA时，gm1.76ms;(3) VGS=-1V时，gm0.88ms,VGS=-3V时，gm1.76ms题1.3.4 由晶体管特性图示仪测得场效应管T1和T2各具有图题1.3.4的（a）和（b）所示的输出 特性曲线，试判断它们的类型，并粗略地估计VP或VT值，以及vDS=5V时的IDSS或 IDO值。 图题1.3.4解： 图(a)耗尽型PMOS管，VGS(off)=3V;当VDS=5V时，IDSS=2mA;图(b)增强型PMOS管，VGS(th)=-4V;当VDS=5V时，IDO1.8mA。题1.3.5 某MOS场效应的漏极特性如图题1.3.5所
28、示。试画出vDS=9V时的转移特性曲线，并定性分析跨导gm与ID的关系。 图题1.3.5 图题1.3.6解： 在VDS=9V处作一垂直线，交各VGS下的输出特性，各交点决定了VGS和ID，从而逐点描绘转移特性曲线。从转移特性曲线的某一点作切线，可得gm的大小。题1.3.6 由MOS管组成的共源电路如图题1.3.6所示，其漏极特性曲线同图题1.3.5。（3） 试分析当vI=2V、4V、8V、10V、12V时，该MOS管分别处于什么工作区。（4） 若vI=8+6sint（V），试画出iD和vO（vDS）的波形。解： (1)VI=2V,4V时，MOS管工作在截止区；VI=6V,8V时，MOS管工作在
29、恒流区(放大区)；VI=10V,12V时，MOS管工作在可变电阻区；(2)图略。题1.3.7 由N沟道增强型MOSFET构成的共源电路如图题1.3.7（a）所示，MOS管漏极特性曲线如图（b）所示，试求解该电路的静态工作点Q（注意图中VGS=VDS）。 图题1.3.7解： 解题思路为：由VGS=VDS作出场效应管的I-V特性，将VDS=VDD-IDRd=15-1.5Id负载线方程作在I-V特性上并交于一点，就可决定I，DS,VGS参数。题1.3.8 在图题1.3.8所示的电路中，设N沟道JFET的IDSS =2mA，VP= -4V。试求ID和VDS。 解：由 图题1.3.8 求得：题1.3.9
30、 总结各种类型FET的偏置条件：（3） 说明场效应管处于可变电阻区，恒流区（放大区）和截止区的主要特征（指vDS、vGS 和iD）。（4） 为保证工作于放大区，vDS和vGS的极性应如何设置？在题表1.3.9（a）和题表1.3.9（b）中打“ ”。解： (1)可变电阻区：场效应管的沟道尚未预夹断，VDSVGS-VGS(th),ID随VDS增加而较快增加。恒流区：场效应管的导电沟道被预夹断，VDSVGS-VGS(th),VGSVGS(th),ID基本不随VDS增加而增大。截止区：场效应管的沟道被完全夹断，VGSVGS(th),ID=0,VDS=VDD(注：指增强型NMOS管，其它类型只要注意电源
31、极性，同样可以给出)(2)表题1.3.9-1 表题1.3.9-2VDS极性N沟道+P沟道-VGS与VDS极性异同耗尽型结 型相 反MOS可同 可反增强型MOS相 同题1.3.10 图题1.3.10（a）所示为N沟道场效应管在可变电阻区的输出特性。当要求将其作为压控电阻时，可接成图（b）所示的电路形式。若要求该电路得到1/3的分压比（VO/VI=1/3），应选择多大的VGG？ 图题1.3.10解： 因,所以V0=VDS=0.5V,ID=(1.5V-0.5V)/6K0.167mA,由VDS、ID可从特性曲线上求得VGG1.0V。题1.3.11 图题1.3.11所示电路中，已知FET的IDSS=2m
32、A，VP= -2V。（3） 求ID=2mA时RS的取值范围；（4） 求RS=20k时的ID值。解： (1)当考虑VDS=1V时，Rs=09.5k(2)ID1mA题1.3.12 在图题1.3.12（a）所示的放大电路中，设输入信号vS的波形和幅值如图中所示，JET的特性如图题1.3.12（b）所示，试用图解法分析：（5） 静态工作点：VGSQ、IDQ、VDSQ；（6） 在同一个坐标下，画出vS、iD和vDS的波形，并在波形图上标明它们的幅值。（7） 若VGG改为-0.5V，其它条件不变，重画iD、vDS波形；（8） 为使VGG= -0.5V时，iD、vDS波形不失真，重新选择Rd的数值和静态时的
33、VDSQ。解： (1) 图解过程：写出输出回路负载方程VDS=VDD-IDRd=20-1.2ID,将该方程作在题1.3.12(b)图的特性曲线上与VGG=-1V的输出特性相交于Q点，从而求得VGSQ=VGG,VDSQ,IDQ等；(2) 在静态点的基础上，画出s,iD和DS的相应波形。 图题1.3.12题1.3.13 由P沟道结型场效应管组成的电路和它的漏极特性曲线示于图题1.3.13（a）、（b）中。在VI= -10V，R=10k，Rd=5k，VGG分别为0 V，1V，2V，3V时，求电路输出VO值各为多大？ UDC 中华人民共和国国家标准GB p GB 50053 - 2013 20kV及以
34、下变电所设计规范 Code for design of 20k V and below substation 2013 -12 -19发布2014-07-01实施 中华人民共和国住房和城乡建设部 联合发布 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 引用于20k V及以下变电所设计规范 GB50053-2013 2014年6月第一版 中国计划出版社 w w w .w e b o o s .co m 本资料限内部使用，严禁用于商业。 中华人民共和国国家标准 20kV及以下变电所设计规范 Code for design of 20k V and below substation GB 50053-20
35、13 主编部门：中国机械工业联合会 批准部门：中华人民共和国住房和城乡建设部 施行日期：20 1 4 年7 月1 日 中国计划出版社 2013北京 引用于20k V及以下变电所设计规范 GB50053-2013 2014年6月第一版 中国计划出版社 w w w .w e b o o s .co m 本资料限内部使用，严禁用于商业。 中华人民共和国住房和城乡建设部公告 第268号 住房城乡建设部关于发布国家标准 20kV及以下变电所设计规范的公告 现批准20kV及以下变电所设计规范为国家标准，编号为 GB 50053 2013，自2014年7月1日起实施。其中，第2.0.2、 4. 1. 3、4
36、.2. 3、6.1. 1、6.1. 2、6.1. 3、6.1. 5、6.1. 6、6.1. 7、 6. 1. 9条为强制性条文，必须严格执行。原lOkV及以下变电所 设计规范GB50053-94同时废止。 本规范由我部标准定额研究所组织中国计划出版社出版 发行。 中华人民共和国住房和城乡建设部 2013年12月19日 引用于20k V及以下变电所设计规范 GB50053-2013 2014年6月第一版 中国计划出版社 w w w .w e b o o s .co m 本资料限内部使用，严禁用于商业。 前言 本规范是根据原中华人民共和国建设部关于印发二00一 二00二年度工程建设国家标准制订、修
37、订计划的通知（建标 2002 85号）的要求，由中机中电设计研究院有限公司会同有关单 位在原国家标准lOkV及以下变电所设计规范GB50053 94的 基础上修订而成的。 在修订过程中，编制组经广泛的调查研究，认真总结实践经 验，参考有关国际标准和国外先进标准，并在广泛征求意见的基础 上，修改、完善规范，最后经审查定稿。 本规范共分6章，主要内容包括：总则，所址选择，电气部分， 配变电装置的布置，并联电容器装置和对有关专业的要求。 本规范修订的主要技术内容是： 1.将规范名称由lOkV及以下变电所设计规范改为20kV 及以下变电所设计规范； 2.将规范的适用植围从“lOkV及以下变电所设计”扩
38、大为 “20kV及以下变电所设计”； 3.增加了20kV变电所设计的各方面的技术要求； 4.增加了高层民用建筑物内变电所的设计要求和防火要求； 5.增加了“预装式变电站”一节的内容； 6.增加了变电所新型操作电源设计条款； 7.补充了并联电容器装置工程设计条款； 8.补充、完善和修改了变电所的防火、建筑等方面的设计条款； 9.补充、完善和修订了原规范的其他条款。 本规范中以黑体字标志的条文为强制性条文，必须严格执行。 本规范由住房和城乡建设部负责管理和对强制性条文的解 1 引用于20k V及以下变电所设计规范 GB50053-2013 2014年6月第一版 中国计划出版社 w w w .w e
39、 b o o s .co m 本资料限内部使用，严禁用于商业。 释，由中国机械工业联合会负责日常管理，由中机中电设计研究院 有限公司负责具体技术内容的解释。执行过程中如发现需要修改 或补充的地方，请将意见和建议寄送至中机中电设计研究院有限 公司（地址：北京市海淀区首体南路9号中国电工大厦，邮政编码： 100048）。 本规范主编单位、参编单位、主要起草人和主要审查人： 主编单位：中机中电设计研究院有限公司 参编单位：中国电力工程有限公司 中国航空规划建设发展有限公司 中国核电工程有限公司 北京市建筑设计研究院有限公司 国际铜专业协会北京代表处 主要起草人：黄宝生姚大林袁颖杨维迅崔育忠 姚家讳苏
40、碧萍马建忠王增尧徐辉 丁杰王大刚柴冰 主要审查人：王素英李道本林岚岚毛文中黄妙庆 许小满范景昌高小平胡剑辉韩敬军 余小军张青孙美君马静波徐华 陈济良周岸平 2 引用于20k V及以下变电所设计规范 GB50053-2013 2014年6月第一版 中国计划出版社 w w w .w e b o o s .co m 本资料限内部使用，严禁用于商业。 l总则 2 所址选择 3 电气部分 目次 ( 1 ) ( 2 ) ( 4 ) 3. 1 般规定( 4 ) 3. 2 主接线（4 ) 3. 3 变压器（6 ) 3. 4 所用电源( 7 ) 3. 5 操作电源( 7 ) 3. 6 预装式变电站（8 ) 4
41、配变电装置的布置( 9 ) 4. 1 型式与布置( 9 ) 4. 2 通道与周栏( 10 ) 5 并联电容器装置( 14 ) 5. 1 般规定( 14 ) 5. 2 电气接线及附属装置（15 ) 5. 3 布置（16 ) 6 对有关专业的要求( 17 ) 6. 1 防火（17 ) 6. 2 建筑.( 1们 6. 3 采暖与通风( 20 ) 6. 4 其他（20 ) 本规范用词说明（21 ) 引用标准名录（22 ) 附：条文说明( 23 ) 引用于20k V及以下变电所设计规范 GB50053-2013 2014年6月第一版 中国计划出版社 w w w .w e b o o s .co m 本资料限内部使用，严禁用于商业。 Contents 1 General provisi
