1、 证券研究报告 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明 公司深度报告公司深度报告 Table_IndustryName 半导体半导体 Table_ReportDate 2022 年年 06 月月 16 日日 Table_Title 国内中高压功率器件破局者，国内中高压功率器件破局者，看好看好公公司工业领域及车规级产品司工业领域及车规级产品持续渗透持续渗透 东微半导东微半导(688261.SH) 推荐推荐( (首次首次评级评级) ) 核心观点核心观点： Table_SummaryTable_Summary 国内功率半导体器件龙头企业，产品技术领先，品类齐全。国内功率半导体器件龙头企业，
2、产品技术领先，品类齐全。东微半导是一家以高性能功率器件研发与销售为主的企业，核心产品包括： 高压超级结 MOSFET， 中低压屏蔽栅 MOSFET， Tri-gate IGBT，应用下游行业主要为工业及汽车相关等中大功率应用领域。根据Omdia 数据，国内功率 MOSFET 市场约 30 亿美元，市场份额前 10的公司国内厂商份额占比仅为 12%，而海外龙头企业英飞凌及安森美市占率合计约 45%， 国产厂商具备较大替代市场空间。 公司主要产品已具备国内或海外领先技术水平，是少数在中高压超级结MOSFET 领域突破海外技术垄断的本土企业之一。 新能源产业链带动功率半导体需求旺盛，行业供需持续紧张
3、新能源产业链带动功率半导体需求旺盛，行业供需持续紧张。根据 Yole 数据， 全球功率半导体市场规模将保持 6.9%增长， 国内消耗占比超过 36.68%。其中需求增长最快的领域为新能源车、充电桩和 5G 基站。尽管缺芯持续，2021 年全球新能源车销售 681 万辆，同比增长 108%,国内市场销售 352 万辆，同比增长 157.6%，新能源汽车的功率半导体单车价值量同样显著提升；充电桩领域快充技术的不断完善，高压功率器件随着充电的功率提升，价值量也在飞速增长，例如单 350kW 充电桩功率器件所含价值量约为3500 美元； 未来两年同样是 5G 基站建设加速时期， 相较 4G 基站，5G
4、 基站所需功率半导体的价值量约为 4 倍。 从供应链到技术，持续突破高性能产品从供应链到技术，持续突破高性能产品。公司与行业上游晶圆制造厂商、封测厂等供应商建立了较为稳定的长期合作关系与高效联动机制。从具体技术参数来看，高压超级结 MOSFET 产品具备全球一流水平，同时在研项目聚焦第三代半导体功率器件，多核心技术为自主研发。从客户结构来看，与各行业龙头建立长期合作关系，推动公司技术进步和国产替代。 投资建议投资建议 我们认为， 公司短期受益于新能源车、 新能源直流充电桩、光伏和其他工业领域的快速放量，叠加功率器件紧缺带来的业绩增长， 长期看好公司在在中高压 MOSFET 和 IGBT 产品领
5、域底层器件结构创新能力以及细分领域的持续渗透，带动公司业绩高速成长。我们预计公司 2022-2024 年收入分别为 11.78 亿元、16.54 亿元、21.78 亿元，对应 EPS 分别为 3.52、4.81、6.44，对应当年 PE 为 67.39X、49.29X、36.82X。首次覆盖，给与“推荐推荐”评级。 风险提示风险提示 市场竞争风险；供应商集中度较高的风险；新产品研发不及预期的风险。 Table_Authors 分析师分析师 高峰 ：010-80927671 ：gaofeng_ 分析师登记编码：S0130522040001 联系人联系人 王子路 ：010-80927632 ：wa
6、ngzilu_ 分析师登记编码：S0130522050001 市场数据市场数据 2022-06-16 A 股收盘价(元) 237.07 股票代码 688261.SH A 股一年内最高价(元) 273.10 A 股一年内最低价(元) 121.10 上证指数 3285.38 市盈率 81.47 总股本（万股） 6737.64 实际流通 A 股（万股） 1424.92 流通 A 股市值(亿元) 33.78 Table_Chart Table_QuotePic相对沪深相对沪深 300300 表现图表现图 Table_Chart 资料来源：Wind，中国银河证券研究院 -40%-20%0%20%40%6
7、0%80%100%120%22/2/1122/2/2622/3/1322/3/2822/4/1222/4/2722/5/1222/5/2722/6/11沪深300东微半导更多投研资料 公众号：mtachn 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 2 主要财务指标主要财务指标 2021 2022E 2023E 2024E 营业收入(亿元) 7.82 11.77 16.53 21.77 收入增长率% 153.28% 50.49% 40.44% 31.70% 归母净利润（亿元） 1.47 2.34 3.20 4.28 归
8、母净利润增速 430.66% 59.32% 36.72% 33.86% 毛利率 28.72% 29.08% 29.11% 29.26% 摊薄 EPS(元) 2.91 3.52 4.81 6.44 PE 81.47 67.39 49.29 36.82 PB 21.17 19.72 14.09 10.19 资料来源：Wind，中国银河证券研究院 更多投研资料 公众号：mtachn 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 3 目目 录录 一、国内高压一、国内高压 MOSFET 龙头，财务指标持续向好龙头，财务指标持续向好
9、 . 4 （一）国内高压 MOSFET 龙头，专注工业及汽车相关领域 . 4 （二）技术领先，四大核心产品逐步实现国产化替代 . 6 （三）研发驱动公司毛利率抬升，在研项目提升产品竞争力 . 8 二、新能源产业链带动功率半导体需求旺盛，行业供需持续紧张二、新能源产业链带动功率半导体需求旺盛，行业供需持续紧张 . 12 （一）需求端扩大，功率器件结构和材料持续迭代 . 12 （二）根据 MOSFET 和 IGBT 产品特性，具有不同应用场景 . 14 （三）需求保持快速增长，新能源产业链为最大催化剂 . 16 （四）供给国产化率逐步抬升，供需紧张局面延续 . 20 三、从供应链到技术，持续突破高
10、性能产品三、从供应链到技术，持续突破高性能产品. 22 （一）与晶圆厂商保持合作，产能供给稳定增长 . 22 （二）着力底层技术创新，发力工业及车规高端市场 . 22 （三）销售模式多元化，客户多优质工业企业 . 24 四、盈利预测与投资建议四、盈利预测与投资建议 . 26 （一）盈利预测 . 26 （二）估值分析与投资建议 . 27 五、风险提示五、风险提示 . 28 更多投研资料 公众号：mtachn 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 4 一、一、国内高压国内高压超级结超级结 M MOSOSFETFET
11、龙头龙头，财务指标持续向好，财务指标持续向好 （一）国内高压超级结 MOSFET 龙头，专注工业及汽车相关领域 公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。 公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力， 集中优势资源聚焦新型功率器件的开发，是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一，并在应用于工业级领域的高压超级结 MOSFET 和中低压功率器件产品领域实现了国产化替代，公司从 2008 年创立以来便聚焦于高端功率器件的研发与销售。 图图 1：公司产品和发展阶段公司产品和发展阶段 资料来源：招股说明书，中国银河证券
12、研究院 从产品分类来看，从产品分类来看， 公司的主要产品包括公司的主要产品包括 GreenMOS 系列高压超级结系列高压超级结 MOSFET、 SFGMOS系列及系列及 FSMOS 系列中低压屏蔽栅系列中低压屏蔽栅 MOSFET。 公司核心产品高压超级结 MOSFET 产品全部采用超级结技术原理，技术较为先进，具有开关速度快、动态损耗低、可靠性强等优势，公司GreenMOS 系列具备高效率低阻抗特点，广泛应用于新能源车直流充电桩、5G 通讯等领域；另一核心产品中低压屏蔽栅 MOSFET，兼具平面结构和屏蔽栅结构优势，具备稳定工艺水平和高可靠性， 同时公司在中低压领域积累了多项技术包括优化电荷平
13、衡、 自对准加工等核心技术，产品的关键技术达到了国内领先水平。 在应用领域层面，公司产品的终端应用范围包括以新能源汽车直流充电桩、5G 基站电源及通信电源，同时还包括以 PC 电源、适配器、TV 电源板、手机快速充电器为代表的消费电子应用领域。 更多投研资料 公众号：mtachn 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 5 图图 2：公司产品在汽车电子和工业领域应用情况公司产品在汽车电子和工业领域应用情况 资料来源：Wind，中国银河证券研究院 公司实控人为王鹏飞和龚轶公司实控人为王鹏飞和龚轶，哈勃投资、元禾控股，
14、哈勃投资、元禾控股参投。参投。公司股权结构较为分散，根据招股说明书显示， 公司并无控股股东， 公司实际控制人为王鹏飞和龚轶， 其中截至 2022 年 4 月，王鹏飞直接持股 12.07%，同时公司近些年受到市场上多家产业资本青睐，元禾控股通过原点创投持有公司 11.39%股权，2017 年聚源聚芯产业基金向公司进行投资，其持有公司公司股权7.49%；2020 年华为哈勃投资入股公司，持有公司股权 4.94%，并且公司为哈勃投资旗下唯一功率器件设计公司。 图图 3：公司股权结构公司股权结构 资料来源：Wind，中国银河证券研究院 关注核心员工激励，多次激励提升公司稳定性。根据招股说明书披露，公司
15、在 2018 年、2019 年共实施 3 次股权激励政策，股权授予对象为核心研发员工和核心管理人员，员工主要更多投研资料 公众号：mtachn 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 6 通过持股平台苏州高维和得数聚才间接持有公司股权。 公司 IPO 拟募资 9.39 亿元，最终实际募集资金净额为 20.07 亿元，募集资金用途分别用于超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化项目、 新结构功率器件研发及产业化项目、 研发工程中心建设项目、科技与发展储备资金，各项目资金需求分别为 2.04 亿元、1.08 亿元、1.7
16、0亿元、4.57 亿元，占拟募集资金比例为 21.75%、11.47%、18.90%、48.68%。科技与发展储备资金的主要是随着公司业务扩展， 公司未来考虑通过投资并购方式整合行业优质标的， 谋求产业资源的有效协同，公司拟以实际经营情况为基础，结合未来战略发展目标，补充科技与发展储备资金。 表表 1：公司公司募集资金投资方向及使用安排募集资金投资方向及使用安排 序号序号 募集资金投资方向募集资金投资方向 拟投入募集资金金额拟投入募集资金金额 ( (万元万元) ) 拟投入资金比例拟投入资金比例 项目建设周期项目建设周期 1 超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化项目 20414.58 21.7
17、5 3 年 2 新结构功率器件研发及产业化项目 10770.32 11.47 3 年 3 研发工程中心建设项目 16984.2 18.09 3 年 4 科技与发展储备资金 45700 48.68 - 合计 93869.1 100% - 资料来源：招股说明书，中国银河证券研究院 （二）技术领先，核心产品逐步实现国产化替代 公司主要核心产品包括：高压超级结 MOSFET，中低压屏蔽栅 MOSFET，Tri-gate IGBT。 高压超级结高压超级结 MOSFET：低导通电阻、动态损耗低。：低导通电阻、动态损耗低。公司的高压超级结 MOSFET 产品（包括超级硅 MOSFET）主要为 GreenMO
18、S 产品系列，并拥有逾 1100 种的产品型号规格，该领域规格最完整国内厂商。高压高级结 MOSFET 产品具有开关速度快、动态损耗低、可靠性高的特点及优势。从应用场景来看，产品多用于直流大功率新能源汽车充电桩、5G 通信电源、数据中心服务器电源、PC 电源、适配器、TV 电源板、手机快速充电器等应用领域。 表表 2：高压超级结高压超级结 MOSFET 产品系类及特点产品系类及特点 系列系列 特点特点 基本介绍基本介绍 标准通用系列 高性能通用型 标准通用 Generic 系列产品包含 500V-950V 全系列，具有低导通电阻、低栅极电荷、静态和动态损耗低的特点，可广泛应用于各种开关电源系统
19、的高性能功率转换领域 S 系列 EMI 优化 S 系列产品在 Generic 系列产品的基础上进一步优化了开关速度，以较低的开关速度达到更好的 EMI 兼容性，特别适用于对 EMI 要求较高的电源系统如 LED 照明、充电器、适配器以及大电流的电源系统中 E 系列 EMI 性能平衡 E 系列产品综合了标准通用系列产品和 S 系列产品的特性，实现了开关速度和 EMI之间较好的平衡，适用于 TV 电源、工业电源等领域，开关速度介于标准通用系列和 S 系列之间 更多投研资料 公众号：mtachn 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份
20、公司免责声明。 7 Z 系列 集成快恢复体二极管（FRD） Z 系列产品中集成了快速反向恢复二极管 FRD，具有快速的反向恢复速度以及极低的开关损耗，特别适用于各种半桥拓扑电路、全桥拓扑电路、马达驱动、充电桩等领域 资料来源：招股说明书，中国银河证券研究院 中低压屏蔽栅中低压屏蔽栅 MOSFET：覆盖工作电压：覆盖工作电压 25V-150V，应用场景为低压环境。，应用场景为低压环境。公司的中低压MOSFET 产品均采用屏蔽栅结构，主要包括 SFGMOS 产品系列以及 FSMOS 产品系列，工作电压覆盖 25V-150V，合计超过 500 种型号。其中，公司的 SFGMOS 产品系列具有更高的工
21、艺稳定性、可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点，公司中低压功率器件产品涵盖 25V-150V 工作电压，可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域。 表表 3：中低压屏蔽栅中低压屏蔽栅 MOSFET 产品系列和特点介绍产品系列和特点介绍 系列系列 特点特点 介绍介绍 SFGMOS系 列 低 Vth系列 Vth 较低，可以用 5V 栅极驱动。高开关速度、低开关损耗、高可靠性和一致性 主要应用于驱动电压较低的同步整流类电源系统，如5V-20V 输出快速充电器、大功率 LED 显示屏电源、服务器电源 DC-DC 模块等领域 高 Vth系列 Vth 较高，抗干扰能力强。低导通电阻、高开
22、关速度、低开关损耗、高可靠性和一致性 主要应用于驱动电压在 10V 以上的电源系统，如电源同步整流、电机驱动、锂电保护、逆变器等领域 FSMOS系列 高电流密度、低功耗、高可靠性 主要应用于对功率密度有更高要求的快速充电器、电机驱动、DC-DC 模块、开关电源等领域 资料来源：招股说明书，中国银河证券研究院整理 超级硅超级硅 MOSFET：性能对标氮化镓功率器件，已有：性能对标氮化镓功率器件，已有 18 种型号进入量产。种型号进入量产。公司的超级硅MOSFET 产品是公司自主研发产品，通过调整器件结构、优化制造工艺，公司产品突破了硅基功率器件响应速度瓶颈，在电源管理 PMS 领域接近了第三代半
23、导体功率器件开关速度，应用场景包括高密度电源系统，如新能源汽车充电桩、通信电源、工业照明电源、快速充电器、模块转换器、快充超薄类 PC 适配器等领域。 Tri-gate IGBT：提升功率密度，优化导通损耗与开关损耗。：提升功率密度，优化导通损耗与开关损耗。公司 TGBT 产品具有独立知识产权，区别于国际主流 IGBT 的创新型器件结构，实现了关键技术参数的大幅优化，截至2021 年 12 月 31 日， 达到可量产水平的产品规格共有 52 种， 工作电压范围覆盖 600V-1350V，工作电流覆盖 15A-120A。应用场景包括新能源汽车充电桩、变频器、逆变器、电机驱动、电焊机、太阳能等领域
24、。 更多投研资料 公众号：mtachn 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 8 图图 4：公司主要产品信息公司主要产品信息 资料来源：公司官网，中国银河证券研究院 （三）研发驱动公司毛利率抬升，在研项目提升产品竞争力 公司自 18 年以来，营收复合增速超过 50%，净利润复合增速超过 77%，公司的快速增长得益于半导体功率器件行业景气度的持续向好，下游需求旺盛。同时，公司通过不断深化与上下游优秀合作伙伴的合作，持续扩大产能，并不断研发出更为优秀的产品与技术，需求增长、产能持续扩大、新产品不断推出及产品组合结构进
25、一步优化带动公司业绩高增长。 公司 2021 年取得良好经营业绩，实现营收 7.82 亿元，同比增长 153.28%；实现归属于母公司所有者的净利润 1.46 亿元，同比增长 429.12%；实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润 1.40 亿元， 同比增长 586.58%。 公司 2022 年第一季度同样表现出良好成长性，实现营收 2.05 亿元，同比增长 45.5%，实现归母净利润 0.47 亿元，同比增长 130%。 图图 5：公司公司 2018-2021 营业收入（亿元）营业收入（亿元）及增长及增长 图图 6：公司公司 2018-2021 归母净利润归母净利润（亿元）（亿元）
26、及增长及增长 资料来源：Wind，中国银河证券研究院 资料来源：Wind，中国银河证券研究院 MOSFET 产品为公司核心收入产品为公司核心收入来源来源，专注专注工业工业和汽车相关领域和汽车相关领域。从 2021 年公司营收产0%20%40%60%80%100%120%140%160%180%01234567892018201920202021营业收入（亿元）yoy-100%0%100%200%300%400%500%00.20.40.60.811.21.41.62018201920202021归母净利润（亿元）yoy更多投研资料 公众号：mtachn 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微
27、半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 9 品构成来看，高压超级结 MOSFET 占比 72.7%，中低压屏蔽栅 MOSFET 占比 26.3%，超级硅MOSFET 占比 0.26%，TGBT 占比 0.77%。从下游行业收入占比来看，公司产品主要应用领域主要针对工业级设备客户，工业类领域客户收入占比超过 50%，根据 21H1 数据来看，工业级通信电源营收占比接近 20%，新能源汽车充电桩领域收入占比达到 16%，消费电子设备领域营收占比下滑 4pct，我们认为长期来看，工业和汽车领域的技术门槛高，更能为公司产品带来竞争壁垒， 减少终端市场结构性波动带
28、来的价格影响， 同时与工业及车规级厂商稳定的合作关系能够持续保障公司订单量及利润率的稳定。 图图 7：公司：公司 2021 年营业收入产品构成年营业收入产品构成 图图 8：公司：公司 21H1 收入在各领域构成情况收入在各领域构成情况 资料来源：Wind，中国银河证券研究院 资料来源：Wind，中国银河证券研究院 公司毛公司毛/净利率稳中有升，费用端表现向好。净利率稳中有升，费用端表现向好。公司毛利率自 2019 年探底后稳步回升，2019年公司销售毛利率 14.93%，2021 年整体毛利率已回升至 28.72%。我们认为，公司毛利率提升原因为：公司对产品结构进行战略调整，专注车规和工业领域
29、，逐步更新和提升公司产品竞争力， 持续保持对下游厂商的溢价能力， 随着未来公司功率器件在车规级产品和工控领域的逐步放量，未来公司的毛利率有继续抬升的趋势。随着公司收入逐步走高，公司各项费用率稳定优化，保持公司整体净利率上升的趋势。 图图 9：公司：公司 2019-2021 年毛利率和净利率年毛利率和净利率 图图 10：公司：公司 2018-2021 年费用率情况年费用率情况 资料来源：Wind，中国银河证券研究院 资料来源：Wind，中国银河证券研究院 26.30%0.26%72.70%0.77%中低压屏蔽栅MOSFET超级硅MOSFET高压超级结MOSFETTGBT0%20%40%60%80
30、%100%2018201920202021H1各类工业及通信电源新能源汽车充电桩大功率照明电源逆变器电池保护消费电子设备显示器电源其他主营业务0%5%10%15%20%25%30%201920202021销售毛利率EBIT margin销售净利率EBITDA margin-1%-1%0%1%1%2%2%3%3%4%201920202021销售费用率管理费用率财务费用率更多投研资料 公众号：mtachn 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 10 研发人员占比较高，持续投入构建公司产品护城河。研发人员占比较高，持续
31、投入构建公司产品护城河。公司产品商业模式采用 Fabless，因此设计能力为公司核心竞争力。公司在最近年度持续加大研发投入，从研发人员数量来看，公司 2021 年末研发人员占比高达 44%，研发人员占比高于行业平均水平。从研发投入来看，公司 2019-2021 年，研发投入逐步增长，分别为 1203 万元、1599 万元、4143 万元，并且 2021年研发支出同比增长 159.07%，研发费用占收入比 2021 年为 5.30%，产品不断的推陈出新背后是强大研发能力的付出。 图图 11：公司研发费用（亿元）及同比增长：公司研发费用（亿元）及同比增长 图图 12：公司研发人员占比（：公司研发人
32、员占比（2021） 资料来源：Wind，中国银河证券研究院 资料来源：Wind，中国银河证券研究院 在研项目聚焦第三代半导体功率器件， 多核心技术为自主研发。在研项目聚焦第三代半导体功率器件， 多核心技术为自主研发。 半导体行业公司核心竞争力为不断创新的能力，根据公司年报在研项目来看，公司布局第三代功率半导体器件如 SiC MOSFET， 研发进展顺利， 申请多项相关专利。 公司主要产品已具备国内或国外领先技术水平，是少数在中高压超级结 MOSFET 领域突破海外技术垄断的本土企业之一，打破了海外厂商在新能源车充电桩的垄断地位。同时，公司基于自主研发的 Tri-IGBT 器件结构的创新型功率器
33、件已实现量产，未来有望突破海外在高压 IGBT 市场的绝对地位。 表表 4：截至截至 2021 年末公司的在研项目情况年末公司的在研项目情况 序号序号 项目名称项目名称 累累计计投入投入 拟达到目标拟达到目标 技术水平技术水平 具体应用前景具体应用前景 1 第三代超级结器件研发 1421.00 进一步降低高压超级结 MOSFET 产品的原胞尺寸，进一步降低高压超级结 MOSFET特征导通电阻 国际先进 应用于新能源车 OBC、5G 通信电源、数据中心服务器电源、PC 电源、适配器、TV 电源、手机快充电器等应用。 2 超低 FOM 及高性能的 150V SGT功率器件研发 922.33 优化中
34、低压屏蔽栅 MOSFET 的沟槽形貌，保证多晶硅和氧化层的填充，通过优化中低压屏蔽栅 MOSFET 的外延浓度和结构，优化电容参数，提升优值，优化中低压屏蔽栅 MOSFET 的特征导通电阻，降低开关过程中的过冲电压和电流 国内领先 应用于 5G 基站、汽车转向助力、光伏逆变器、服务器、TV 电源、手机快充电器、机器人、扫地机、电钻、电动自行车等应用领域 3 12 英寸大晶圆60V-100V SGT研发 662.74 实现在 12 英寸大晶圆平台上量产更优性能的屏蔽栅 MOSFET 产品，优化中低压屏蔽栅 MOSFET 的器件设计，提升可靠性，提高良率 国内领先 应用于汽车转向助力、快速充电器、
35、电机驱动、DC-DC 模块、通信电源等应用领域 -50%0%50%100%150%200%00.10.20.30.40.5201920202021研发费用同比增长研发费用率44%56%研发人员其他更多投研资料 公众号：mtachn 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 11 4 超级硅功率器件 350.32 完成超级硅技术平台搭建，提升高压超级结 MOSFET 的频率特性，应用拓展到超高频率的电路场合，实现接近 GaN、SiC功率器件的效率 国际先进 应用于高密度电源系统，如新能源汽车充电桩、通信电源、工业照明电
36、源、快速充电器、模块转换器、快充超薄类PC 适配器等领域。 5 8 英寸线 700V及以上GreenMOS 高压的超级结芯片 544.23 进一步提高超级结器件的额定耐压值，将耐压规格扩展到超高压领域 国际先进 应用于 LED 照明、5G 通信电源、数据中心服务器电源、PC 电源、适配器、TV 电源、手机快速充电器等应用领域。 6 12 英寸先进工艺 GreenMOS 超级结 MOSFET 599.17 实现在 12 英寸产线上生产超级结工艺，同时提升产品一致性。 国际先进 应用于直流大功率新能源汽车充电桩、新能源汽车车载 OBC、5G 通信电源、数据中心服务器电源、PC 电源、适配器、TV
37、电源板、手机快速充电器等应用领域。 7 900V 以下三栅IGBT （Tri-gate IGBT） 387.04 优化 900V 以下新型 IGBT 器件的关断损耗与导通压降特性 国际领先 应用于新能源汽车电驱系统、直流大功率新能源汽车充电桩、车载充电机、光伏逆变器、储能逆变、电焊机等应用领域 8 900V 及以上三栅 IGBT（Tri-gate IGBT） 324.87 优化 900V 以上新型 IGBT 器件的关断损耗与导通压降特性 国际领先 应用于新能源汽车电驱系统、直流大功率新能源汽车充电桩、车载充电机、光伏逆变器、储能逆变、电焊机等应用领域 9 第三代半导体SiC 功率器件研发 18
38、2.43 完成 SiC 产品平台的设计与制造能力搭建。 国际先进 应用于新能源汽车电驱系统、直流大功率新能源汽车充电桩、车载充电机、光伏逆变器、储能逆变、UPS 电源等应用领域 资料来源：Wind，中国银河证券研究院 更多投研资料 公众号：mtachn 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 12 二、二、新能源新能源产业链产业链带动功率半导体需求旺盛，行业供需持带动功率半导体需求旺盛，行业供需持续紧张续紧张 （一）需求端扩大，功率器件结构和材料持续迭代 功率半导体核心作用：控制电子装置中电能转换与电路控制。功率半
39、导体核心作用：控制电子装置中电能转换与电路控制。功率半导体发展始于 20 世纪 50 年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统，之后晶闸管、平面型功率 MOSFET、沟槽型 MOSFET 和 IGBT 面世，随着 20 世纪 90 年代超级结 MOSFET 出现，打破传统“硅限”以满足大功率和高频化的应用需求， 功率半导体性能能进一步提升。 从用途来看，功率半导体主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换，随着国民经济的快速发展，功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场。 图图 13：功率半导体技术演进功率半导体技术演进
40、资料来源：CRRC，中国银河证券研究院 功率功率 IC 和功率和功率分立分立器件是功率半导体的两大分支器件是功率半导体的两大分支。功率 IC 市值功率类集成电路设计，类似模拟 IC，分为 AC/DC、DC/DC、电源管理 IC 和驱动 IC 等。功率分立器件主要包括功率二极管、晶闸管、高压晶体管、MOSFET、IGBT 等产品，产品可以根据外界条件控制器件的开通和关断的分类标准可分为不可控型、半控型和全控型功率器件，其中，二极管单向导通，可以实现整流，属于不可控型；晶闸管只能触发导通，不能触发关断，属于半控型；晶体管包括 IGBT 和 MOSFET 等，可以触发导通，也可以触发关断，属于全控型
41、器件。 对国内市场而言， 功率二极管、 功率三极管、 晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，功率 MOSFET 特别是超级结 MOSFET、IGBT 等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨大。 更多投研资料 公众号：mtachn 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 13 图图 14：功率半导体分类市场功率半导体分类市场 资料来源：华润微招股说明书，中国银河证券研究院 从市场空间来看，中国功率半导体市场增速高于全球增速。根据 Omida 数据显示，全球2021 年功
42、率半导体市场规模约为 435.62 亿元，预计 2024 年市场规模将达到 532.19 亿元，未来三年复合增速为 6.9%；中国市场为功率半导体消费大国，市场规模不断发展，2021 年中国功率半导体市场规模约为 157 亿元， 预计 2024 年市场规模将达到 195.22 亿元， 未来三年 CAGR为 7.53%，占全球市场约为 36.68%。随着国内市场工业企业不断壮大，加速制造业、硬科技行业成长，新能源车、新能源充电桩、工业智造不断发力，长期国内功率半导体市场有望实现高速增长。 图图 15：全球功率半导体市场规模及增速：全球功率半导体市场规模及增速 图图 16：中国：中国功率半导体市场
43、规模及增速功率半导体市场规模及增速 资料来源：Omdia，中国银河证券研究院 资料来源：Omdia，中国银河证券研究院 新能源车、储能、光伏、工控领域为其需求增长最快领域新能源车、储能、光伏、工控领域为其需求增长最快领域。针对不同应用场景所对应的功率、电压和频率不同，各细分行业所选用的功率器件不同，MOSFET 凭借其高开滚频率、低损耗特点，主要用于手机、PC、LED 等消费电子领域。IGBT 因耐高压的特点，主要应用于智能0%2%4%6%8%10%12%010020030040050060020172018201920202021E 2024E市场规模（亿美元）同比增长0%2%4%6%8%1
44、0%12%14%05010015020025020172018201920202021E2024E市场规模（亿美元）同比增长更多投研资料 公众号：mtachn 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 14 家电、新能源车和工控领域。根据行业发展来看，新能源车相关产业链为功率半导体下游中最具发展潜力的需求市场，同时低碳概念包括光伏、储能等也同样会加速成长，这些领域的功率半导体市场需求增长较快。 图图 17：功率半导体：功率半导体应用趋势应用趋势 图图 18：功率半导体需求增速较快领域功率半导体需求增速较快领域 资料来
45、源：Yole，中国银河证券研究院 资料来源：中国银河证券研究院 （二）根据 MOSFET 和 IGBT 产品特性，具有不同应用场景 功率器件经过多年发展， 各领域对功率器件的电压和频率要求越来越严格， 不同的功率器件，都有自己的高效区间。根据 MOSFET 产品特点来看，其本质是一个电路开关，开关速度和高频工作特性比较好，工作频率可以达几十 kHz 到上千 kHz，能够在高电流状态下工作，但耐电压特性差，主要是因为 MOSFET 随着电压上升电阻变大，传导损耗很高，只适用于功率不超过 10kW 的电力电子装置，因此应用领域多为消费电子、小家电等低功率、高频率领域。 对比 IGBT 可以算是 M
46、OSFET 的副产品，IGBT 能够很好地结合 BJT（双极型三极管）处理高电流的能力和功率 MOSFET 的易用性，相比起 MOSFET，IGBT 还能阻隔极高电压，同时以极低损耗来通过高电流。 图图 19：MOSFET 和和 IGBT 区别区别 图图 20：各类型功率半导体应用各类型功率半导体应用 资料来源：中国银河证券研究院 资料来源：英飞凌，Yole，中国银河证券研究院 功率半导体竞争集中度较高，海外企业市占率高。功率半导体竞争集中度较高，海外企业市占率高。从竞争格局上来看，功率半导体企业海更多投研资料 公众号：mtachn 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.
47、SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 15 外企业凭借先发优势，借助自由市场收购整合等多模式抢占市场份额，海外 IDM 厂商是功率半导体领先企业。根据 Omdia 数据，2020 年全球功率器件 CR5 约为 44%，英飞凌市场占比高达 20%，安森美占比 8%，意法半导体占比 6%；功率 IC 市场 CR5 约为 43%，德州仪器占比接近 16%。 图图 21：全球功率器件与模块市场全球功率器件与模块市场格局及占比格局及占比 图图 22：功率功率 IC 市场格局市场格局及占比及占比 资料来源：Omdia，中国银河证券研究院 资料来源：Omdia，中国银河证券研究院 MO
48、SFET：全球市场规模约：全球市场规模约 80 亿美元，国产替代空间巨大。亿美元，国产替代空间巨大。根据 Omdia 数据显示，功率MOSFET 全球市场规模在近几年保持比较稳定，约为 80 亿美元，约占功率器件市场 54%。国内市场约 30 亿美元，约占全球市场 39.9%，未来 3 年市场保持稳定增长。从国内市场景竞争来看，2019 年市场份额前 8 位的公司里仅有华润微和新洁能，两家合计占比接近 12%，而海外龙头企业英飞凌及安森美市占率合计约为 45%， 占据近一半市场， 国产厂商具备较大替代市场空间。 图图 23：国内和全球市场规模情况（亿美元）：国内和全球市场规模情况（亿美元） 图
49、图 24：2019 国内国内 MOSFET 市场竞争格局市场竞争格局 资料来源：Omdia，中国银河证券研究院 资料来源：IHS market，中国银河证券研究院 IGBT： 全球市场空间约： 全球市场空间约 57 亿美元， 国内消费占亿美元， 国内消费占 40%， 新能源领域为其核心增长催化剂。， 新能源领域为其核心增长催化剂。从 IGBT 市场空间来看，2021 年全球 IGBT（分立+模块）市场规模约 57 亿元，国内 IGBT 市场约为 22.43，国内市场规模占全球比约为 40%，国内市场规模增长与海外基本同步。新能源汽车、新能源发电这些领域都是行业发展最大的催化剂。 InfineonOn SemiSTMicroMitsubishToshibaVishayRenesasFujiRohmSemikronOthers德州仪器英飞凌亚德诺半导体高通意法半导体安森美联发科MaximDialog瑞萨其他0%10%20%30%40%50%01020304050607080902017201820192020 2021E 2022E国内市场规模全球市场规模国内市场占比英飞凌安森美华润微瑞萨东芝意法新洁能其他企业更多投研资料 公众号：mtachn 公司深度报告公司深度报告/东微半导（东微半导（688261.SH） 请务必阅读正文最后的中国银河证券股份公司免责声明。 16 图图 25：全
