1、苏州东微半导体股份有限公司 招股意向书 苏州东微半导体股份有限公司苏州东微半导体股份有限公司 Suzhou Oriental Semiconductor Company Limited （住所：苏州工业园区金鸡湖大道 99 号苏州纳米城西北区 20幢 515室） 首次公开发行股票并在科创板上市首次公开发行股票并在科创板上市 招股招股意向意向书书 保荐机构（主承销商）保荐机构（主承销商） （住所：北京市朝阳区建国门外大街1号国贸大厦2座27层及28层）本次股票发行后拟在科创板市场上市，该市场具有较高的投资风险。科创板公司具有研发投入大、经营风险高、业绩不稳定、退市风险高等特点，投资者面临较大的市
2、场风险。投资者应充分了解科创板市场的投资风险及本公司所披露的风险因素，审慎作出投资决定。 苏州东微半导体股份有限公司 招股意向书 1-1-1 发行人声明 中国证监会、上海证券交易所对本次发行所作的任何决定或意见均不表明其对注册申请文件及所披露信息的真实性、准确性、完整性作出保证，也不表明其对发行人的盈利能力、投资价值或者对投资者的收益作出实质性判断或保证。任何与之相反的声明均属虚假不实陈述。 根据证券法的规定，股票依法发行后，发行人经营与收益的变化，由发行人自行负责；投资者自主判断发行人的投资价值，自主作出投资决策，自行承担股票依法发行后因发行人经营与收益变化或者股票价格变动引致的投资风险。
3、发行人及全体董事、监事、高级管理人员承诺招股意向书及其他信息披露资料不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并对其真实性、准确性、完整性承担个别和连带的法律责任。 发行人实际控制人承诺本招股意向书不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并对其真实性、准确性、完整性承担个别和连带的法律责任。 公司负责人和主管会计工作的负责人、会计机构负责人保证招股意向书中财务会计资料真实、完整。 发行人及全体董事、监事、高级管理人员、发行人实际控制人以及保荐人、承销的证券公司承诺因发行人招股意向书及其他信息披露资料有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，致使投资者在证券发行和交易中遭受损失的，将依法赔偿投资者损失。 保
4、荐人及证券服务机构承诺因其为发行人本次公开发行制作、出具的文件有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，给投资者造成损失的，将依法赔偿投资者损失。 苏州东微半导体股份有限公司 招股意向书 1-1-2 本次发行概况 发行股票类型 人民币普通股（A股） 发行股数 本次公开发行股数为 1,684.4092 万股，公司股东不公开发售股份，公开发行的新股占本次发行后总股本的 25%。 每股面值 人民币 1.00元 每股发行价格 人民币【】元 预计发行日期 2022 年 1 月 24 日 拟上市的证券交易所和板块 上海证券交易所科创板 发行后总股本 6,737.6367 万股 保荐机构（主承销商） 中国国际金融
5、股份有限公司 招股意向书签署日期 2022 年 1 月 14 日 苏州东微半导体股份有限公司 招股意向书 1-1-3 重大事项提示 发行人提醒投资者特别关注本公司本次发行的以下事项和风险，并认真阅读发行人提醒投资者特别关注本公司本次发行的以下事项和风险，并认真阅读招股招股意向书意向书正文内容：正文内容： 一、特别风险提示 本公司提醒投资者特别关注“风险因素”中的下列风险，并认真阅读本招股意向书“第四节 风险因素”中的全部内容。 （一）市场竞争风险 目前，我国的功率半导体行业正经历快速发展阶段。随着我国消费电子、汽车电子、工业电子等多个行业的蓬勃发展以及智能装备制造、物联网、新能源等新兴领域的兴
6、起，国内对功率半导体产品的需求迅速扩大，推动了行业的快速发展。良好的前景吸引了诸多国内企业进入这一领域，行业内厂商则在巩固自身优势基础上积极进行市场拓展，市场竞争正在加剧。在日趋激烈的市场竞争环境下，若公司不能正确把握市场动态和行业发展趋势，不能根据客户需求及时进行技术升级、提高产品性能与服务质量，则公司的行业地位、市场份额、经营业绩等可能受到不利影响。 在高性能工业及汽车相关应用的功率器件领域，公司目前在全球和国内市场占有率相对较低，市场主要份额仍然被国外大型厂商占据。根据 Omdia 数据测算，2020 年全球高压超级结 MOSFET 的市场规模预计为 9.4 亿美元，公司市场份额为 3.
7、8%；2020年中国高压超级结 MOSFET 市场规模经估算约为 4.2 亿美元，公司市场份额为 8.6%。中低压 MOSFET 市场方面，2020 年度全球中低压 MOSFET 产品的市场规模为 52.4 亿美元，公司市场份额为 0.2%；2020 年度中国中低压 MOSFET 产品的市场规模为 24.1亿美元，公司市场份额为 0.4%。整体上看，公司的市场份额仍处于较低水平。 相较于消费级客户，工业及汽车相关领域的客户对产品的性能和品质要求较高、验证周期普遍较长。如公司产品设计、工艺升级或客户资源开拓进度未达预期，将在与国外大型厂商的竞争中处于不利地位。例如，汽车领域对功率器件的性能、稳定
8、性等具有很高的要求，产品验证周期较长，因此公司在进入该等新的应用领域时可能会苏州东微半导体股份有限公司 招股意向书 1-1-4 面临产品性能验证失败或者产品性能不及竞争对手而无法获得订单的风险。若上述情况发生，将对发行人拓展新应用领域、提高市场竞争力产生不利影响，进一步影响发行人的业绩表现。 （二）供应商集中度较高的风险 公司不直接从事晶圆制造和封装测试等生产和加工环节。报告期内，公司向前五名供应商采购内容主要为晶圆及封装测试服务等，合计采购金额占当期采购总额的比例分别为 99.56%、99.29%、99.01%及 97.73%，其中向第一大供应商采购金额占当期采购总额比例分别为 83.59%
9、、81.70%、80.19%及 72.85%。 报告期内，随着下游需求持续扩张以及新冠疫情对全球晶圆代工行业产能带来的负面影响，晶圆代工行业普遍出现产能紧张的情况，进一步导致了晶圆价格的增长。由于公司的晶圆供应商集中度较高，若晶圆代工行业产能紧张的情况进一步加剧，则晶圆代工厂的产能与供货量可能无法满足发行人的需求，从而对公司的产品出货量以及未来的收入增长造成一定不利影响。另一方面，公司营业成本主要由材料成本和封测费用构成，其中材料成本以晶圆成本为主，若晶圆价格未来持续提高，可能会对公司的主营业务成本以及毛利率水平造成不利影响。 （三）下游需求波动的风险 报告期内，公司主营业务收入分别为 15,
10、283.52 万元、19,604.66 万元、30,878.74万元以及 32,082.43 万元，保持了持续快速增长；公司归属于母公司所有者的净利润分别为 1,297.43 万元、911.01 万元、2,768.32 万元以及 5,180.53万元，亦保持了快速增长的趋势。公司主要产品包括高压超级结以及中低压屏蔽栅 MOSFET 产品，广泛应用于充电桩、快速充电器、电机驱动、光伏逆变器等下游行业。报告期内公司业绩的持续增长主要系受前述下游终端需求增长、进口替代等因素影响。为增强公司的技术优势及保持产品的竞争力，公司不断增加研发投入，扩充人员规模。但是，半导体行业具有较强的周期性特征，与宏观经
11、济整体发展亦密切相关。如果宏观经济波动较大或长期处于低谷，半导体行业的市场需求也将随之受到影响。因此，若新能源汽车、5G 通信、光伏等驱动公司收入实现增长的下游行业发展不达预期，行业规模增速放缓或出现下滑，中国半导体功率器件行业进口替代趋势放缓，公司的研发进展与成果不达预苏州东微半导体股份有限公司 招股意向书 1-1-5 期，或宏观经济发展出现较大波动，则公司将面临业绩无法继续保持报告期内所实现的快速增长的风险。 此外，从产业链角度来看，由于下游终端产品结构相对复杂，产业链分工高度专业化，终端产品的推出往往需要整个产业链密切的合作才能完成，若未来产业链某个环节出现缺货的情形，终端厂商的生产计划
12、可能会出现阶段性停滞，或需要被迫推迟新产品的发布，以上可能会影响整体的采购需求，进而对包括公司在内的产业链公司造成不利影响。 （四）毛利率波动的风险 报告期内，公司的综合毛利率分别为 26.38%、14.93%、17.85%和 26.75%，波动较大。公司综合毛利率受产品售价、产品成本以及产品结构等因素影响。随着行业技术的发展和市场竞争的加剧，公司需要根据市场需求不断进行技术的迭代升级和创新，若公司未能正确判断下游需求变化、或公司技术实力停滞不前、或公司未能有效控制产品成本、或公司产品市场竞争格局发生变化等都将导致公司发生产品售价和成本预期外波动等不利情形。在该等不利情况下，公司综合毛利率水平
13、未来可能会持续波动甚至出现下降的可能性，从而对公司的经营带来一定风险。此外，公司的产品规格数量较多，不同规格的产品销售结构的变化亦会对公司的毛利率造成影响。 具体来看，发行人 Fabless 的经营模式将生产制造环节进行外包，毛利率水平受到晶圆代工成本的影响，因此行业景气度、晶圆代工行业产能的充沛情况导致的晶圆代工价格的波动会影响发行人毛利率水平。同时，晶圆代工行业具有重资产、资本投入大以及产能释放周期长的特点，其晶圆的销售价格受行业景气度影响呈现周期性波动。其中，晶圆代工厂作为发行人的上游供应商，行业集中度相较发行人下游行业更高，在晶圆代工产能较为紧张的情况下，晶圆代工厂商的议价能力较强且传
14、导能力亦会更强。 相较于可比公司，发行人经营规模较小，与上游供应商以及下游客户的议价能力相对较弱。此外，发行人的主要工业级客户具有粘性高、议价频率低的特点。因此，若上游如晶圆代工、封装测试的产能紧张导致公司采购成本持续上升，在公司向下游客户传导上游晶圆价格变动影响的及时性较低的情况下将对公司的毛利率水平产生不苏州东微半导体股份有限公司 招股意向书 1-1-6 利影响。在上述因素的影响下，公司综合毛利率水平未来可能会持续波动甚至出现下降，从而对公司的经营带来一定风险。 （五）产品结构较为单一的风险 报告期内，公司实现大规模销售的主要产品为 MOSFET 产品，包括高压超级结MOSFET 及中低压
15、屏蔽栅 MOSFET 等。报告期内，MOSFET 产品的销售收入占主营业务收入的比例均超过 99%，其中高压超级结 MOSFET 产品占比分别为 81.48%、80.28%、80.66%和 74.55%，单一产品类别收入的占比较高。公司研发新产品并最终实现大规模销售需要一定的时间周期，如果下游市场短期内对 MOSFET 产品的需求增速放缓，将会对公司的营收和盈利能力带来不利影响。 同时，考虑到第三代半导体材料功率器件可能是未来高性能功率器件的组成部分之一，若公司未来不能实现现有功率器件产品的进一步技术突破，或者研发出具有市场竞争力的第三代半导体材料功率器件，则公司的销售收入增长可能有所放缓，对
16、公司的经营业绩造成不利影响。 （六）新产品研发不及预期的风险 半导体行业的研发存在周期较长、工艺复杂等特点，产品技术更新迭代需要持续的资源投入。未来的几年内，公司将继续投入新型 MOSFET、IGBT 等功率器件的技术开发。由于半导体行业研发项目的周期较长，相关研发项目存在一定的不确定性，若研发项目启动后的进度及效果未达预期，或者研发的新技术或产品尚不具备商业价值，则大量的研发投入将影响公司的经营业绩；若公司未来研发资金投入不足，则可能致使公司现有技术被赶超或被替代，进而导致公司已有产品的市场竞争力下降，给公司未来业务拓展带来不利影响。 截至 2021 年 6月 30 日，发行人研发人员合计
17、31人，占员工比例为 46%。发行人研发部下设产品研发工程部以及应用技术部，分别专注新型器件的研发以及研发过程中的执行和辅助工作。报告期末，发行人研发人员数量相比可比公司较少，可能存在研发资源受限、研发进度不达预期的风险，进一步影响发行人新产品的推出、技术储备等方面，进而对公司未来业务发展带来不利影响。 苏州东微半导体股份有限公司 招股意向书 1-1-7 （七）人员规模相对较小的风险 发行人作为以 Fabless模式运营的企业，将涉及人员用工较多的生产制造环节进行外包，因此人员规模相对较小。报告期各期末，公司员工总人数分别为 18 人、37 人、53 人和 68 人，相较 A股已上市的同行业可
18、比公司人数较少。随着未来发行人的经营规模不断扩大，发行人需要设立完善的人力资源管控、内部晋升制度以及具有市场竞争力的薪酬水平，以一方面不断吸引人才加入，另一方面保证现有员工的稳定性。由于公司的员工规模较小，若未来发生大规模人员流失的情况，将对发行人开展日常经营活动以及持续拓展业务规模带来不利影响。 二、本次发行相关责任主体作出的重要承诺 本公司提示投资者认真阅读本公司、实际控制人、董事、监事、高级管理人员以及本次发行的保荐人及证券服务机构等作出的重要承诺、未能履行承诺的约束措施以及已触发履行条件的承诺事项的履行情况，请参见本招股意向书“第十节 投资者保护 / 七、发行人、实际控制人、董事、监事
19、、高级管理人员、核心技术人员及本次发行的保荐人及证券服务机构作出的重要承诺”。 三、财务报告审计基准日后的主要财务信息和经营情况 （一）财务报告审计基准日后主要经营状况 公司财务报告审计截止日为 2021 年 6 月 30 日。财务报告审计截止日至本招股意向书签署之日，公司各项业务正常开展，采购及销售情况未发生重大变化，经营情况良好，公司的经营模式、业务情况、销售规模、供应商情况以及其他可能影响投资者判断的重大事项等方面均未发生重大变化。 （二）财务报告审计基准日后主要财务信息 天健对公司 2021 年 9 月 30 日的合并及母公司资产负债表、2021 年 1-9 月的合并及母公司利润表、2
20、021 年 1-9 月的合并及母公司现金流量表以及财务报表附注进行了审阅，并出具了审阅报告（天健审20219975号）。 根据经审阅的财务数据，公司主要财务情况如下： 苏州东微半导体股份有限公司 招股意向书 1-1-8 1、主要财务数据主要财务数据 单位：万元 项目项目 2021 年年 9 月月 30 日日 2020年年12月月31日日 变动比例变动比例 资产总额 56,364.37 43,764.02 28.79% 负债总额 5,197.92 1,874.23 177.34% 所有者权益 51,166.45 41,889.80 22.15% 归属于母公司所有者权益 51,166.45 41,
21、889.80 22.15% 项目项目 2021 年年 1-9 月月 2020年年1-9月月 变动比例变动比例 营业收入 55,919.47 19,752.06 183.11% 营业利润 11,762.26 1,822.59 545.36% 利润总额 11,762.26 1,799.94 553.48% 净利润 9,276.86 1,535.03 504.34% 归属于母公司所有者的净利润 9,276.86 1,535.03 504.34% 扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润 8,877.24 1,046.67 748.14% 经营活动产生的现金流量净额 5,913.94 -1,517
22、.05 不适用 项目项目 2021 年年 7-9 月月 2020年年7-9月月 变动比例变动比例 营业收入 23,837.04 8,931.26 166.89% 营业利润 5,225.19 982.14 432.02% 利润总额 5,225.19 982.14 432.02% 净利润 4,096.33 736.90 455.89% 归属于母公司所有者的净利润 4,096.33 736.90 455.89% 扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润 4,076.95 636.13 540.90% 经营活动产生的现金流量净额 2,648.80 148.97 1,678.07% 2021 年 9
23、 月末，公司资产总额较 2020 年末增长 28.79%，主要系随着公司业务的开展，货币资金、应收账款、存货等科目增长所致。2021 年 9 月末，公司负债总额较2020 年末增长 177.34%，主要系随着公司业务的开展，应付票据、应付账款、应交税费等科目增长所致。 2021 年 1-9 月和 2021 年 7-9 月，公司营业收入分别为 55,919.47 万元和 23,837.04万元，同比增长分别为 183.11%和 166.89%，增长较快主要系受益于新能源汽车充电桩、通信电源、光伏逆变器等终端市场需求快速提升，客户对公司的采购规模增长所致。2021 年 1-9 月和 2021 年
24、7-9 月，公司营业利润、利润总额、净利润、归属于母公苏州东微半导体股份有限公司 招股意向书 1-1-9 司所有者的净利润和扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润同比大幅增长，且增幅均高于同期营业收入增幅，主要系 2021 年 1-9月和 2021 年 7-9月毛利率较去年同期大幅上涨所致。公司毛利率 2021 年 1-9 月较去年同期上涨 12.84 个百分点，2021年 7-9 月较去年同期上涨 14.67 个百分点，主要系来自 5G 基站电源、通信电源、新能源汽车直流充电桩等高毛利应用领域的收入占比提升；MOSFET 行业供需关系变动导致的产品单价上涨，变动原因与 2021 年 1
25、-6 月毛利率上涨原因相同，具体详见本招股意向书“第八节 财务会计信息与管理层分析/十一、经营成果分析/（三）毛利及毛利率构成分析”。 2021 年 1-9 月，公司经营活动产生的现金流量净额相比去年同期由负转正，以及2021 年 7-9 月，公司经营活动产生的现金流量净额同比大幅增长，均主要系公司收入规模快速增长，毛利率上升较多，销售商品收到的现金大幅上升所致。 2、非经常性损益明细、非经常性损益明细表表 单位：万元 项目项目 2021 年年 1-9 月月 2020 年年 1-9 月月 非流动性资产处置损益 9.98 0.89 计入当期损益的政府补助 511.78 439.10 除同公司正常
26、经营业务相关的有效套期保值业务外，持有交易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金融负债产生的公允价值变动损益，以及处置交易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金融负债和其他债权投资取得的投资收益 10.16 140.39 根据税收、会计等法律、法规的要求对当期损益进行一次性调整对当期损益的影响 - 75.56 除上述各项之外的其他营业外收入和支出 0.00 -22.65 其他符合非经常性损益定义的损益项目 0.92 0.33 小计 532.83 633.63 减：企业所得税影响数 133.21 145.27 归属于母公司所有者的非经常性损益净额 399.62 488.36
27、2021 年 1-9 月和 2020 年 1-9 月，公司归属于母公司所有者的非经常性损益净额分别为 399.62 万元和 488.36 万元，均主要系当期收到的直接计入当期损益的政府补助构成。 苏州东微半导体股份有限公司 招股意向书 1-1-10 （三）2021 年度业绩预计情况 公司预计 2021 年度营业收入为 77,200 万元至 80,300 万元，同比增长 150%至160%；预计 2021 年度归属于母公司所有者的净利润为 13,200 万元至 15,300 万元，同比增长 377%至 453%；预计 2021 年度扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润为 12,700 万
28、元至 14,700 万元，同比增长 522%至 620%。 公司在 2021 年 1-9 月收入快速增长的情况下，受益于新能源汽车充电桩、通信电源、光伏逆变器等终端市场需求的持续提升，预计在 2021 年第四季度销售收入也将同比增加，因此 2021 年度的营业收入将同比增加。同时，受益于产品终端应用结构的变动、产品单价上涨等因素，预计 2021 年度公司毛利率将同比上升，因此预计 2021 年度的利润水平将同比增加。 前述 2021 年度业绩情况系公司初步预计数据，不构成公司的盈利预测或业绩承诺。 苏州东微半导体股份有限公司 招股意向书 1-1-11 目 录 发行人声明发行人声明 . 1 本次
29、发行概况本次发行概况 . 2 重大事项提示重大事项提示 . 3 一、特别风险提示. 3 二、本次发行相关责任主体作出的重要承诺. 7 三、财务报告审计基准日后的主要财务信息和经营情况. 7 目目 录录 . 11 第一节第一节 释义释义 . 15 第二节第二节 概览概览 . 20 一、发行人及中介机构情况. 20 二、本次发行概况. 20 三、发行人主要财务数据及财务指标. 22 四、发行人主营业务经营情况. 22 五、发行人技术先进性、研发技术产业化情况以及未来发展战略. 24 六、具体上市标准、符合科创属性要求的情况. 26 七、发行人公司治理特殊安排及其他重要事项. 28 八、发行人募集资
30、金用途. 28 第三节第三节 本次发行概况本次发行概况 . 30 一、本次发行的基本情况. 30 二、本次发行的相关当事人. 31 三、发行人与有关中介机构的股权关系和其他权益关系. 32 四、预计本次发行上市的重要日期. 33 五、本次发行的战略配售安排. 33 六、保荐机构相关子公司拟参与战略配售情况. 33 七、发行人高管、员工拟参与战略配售情况. 34 第四节第四节 风险因素风险因素 . 36 一、技术风险. 36 二、经营风险. 37 苏州东微半导体股份有限公司 招股意向书 1-1-12 三、管理风险. 41 四、财务风险. 42 五、法律风险. 44 六、本次发行失败的风险. 45
31、 七、与募集资金运用相关的风险. 45 第五节第五节 发行人基本情况发行人基本情况 . 46 一、发行人的基本信息. 46 二、发行人设立及股本和股东变化情况. 46 三、发行人股权结构. 57 四、发行人控股、参股公司、分公司情况. 59 五、主要股东及实际控制人的基本情况. 61 六、发行人股本有关情况. 69 七、董事、监事、高级管理人员与核心技术人员. 78 八、发行人已经制定或实施的股权激励及相关安排. 91 九、发行人员工及其社保情况. 95 第六节第六节 业务与技术业务与技术 . 98 一、公司主营业务及主要产品和服务情况. 98 二、发行人所处行业基本情况. 114 三、发行人
32、的行业地位及竞争情况. 140 四、公司销售情况和主要客户. 154 五、公司主要采购和主要供应商情况. 158 六、与公司业务相关的主要资产情况. 160 七、发行人的特许经营情况. 165 八、发行人取得的资质认证和许可情况. 165 九、公司核心技术及研发情况. 165 十、公司境外经营情况. 183 第七节第七节 公司治理与独立性公司治理与独立性 . 184 一、股东大会、董事会、监事会、独立董事、董事会秘书制度的运行及相关人员履职情况. 184 二、公司的特别表决权股份或类似安排. 187 苏州东微半导体股份有限公司 招股意向书 1-1-13 三、公司内部控制制度的情况. 187 四
33、、公司最近三年违法违规及处罚情况. 188 五、公司资金的占用与担保情况. 188 六、公司独立性. 188 七、同业竞争. 189 八、关联方、关联关系及关联交易. 190 第八节第八节 财务会计信息与管理层分析财务会计信息与管理层分析 . 198 一、影响公司盈利能力或财务状况的主要因素概述. 198 二、财务报表. 200 三、财务报表的编制基础、合并报表范围及变化情况. 208 四、审计意见. 209 五、关键审计事项及与财务信息相关的重大事项或重要性水平的判断标准. 210 六、重要会计政策和会计估计. 211 七、非经常性损益. 228 八、税项. 229 九、报告期内的主要财务指
34、标. 230 十、分部报告. 231 十一、经营成果分析. 232 十二、资产质量分析. 268 十三、偿债能力、流动性与持续经营能力分析. 289 十四、公司重大资本性支出与重大资产业务重组事项. 302 十五、期后事项、或有事项及其他重要事项. 302 十六、2021年 1-6月主要财务数据同比分析 . 302 十七、财务报告审计基准日后的主要财务信息和经营情况. 304 第九节第九节 募集资金运用及未来发展规划募集资金运用及未来发展规划 . 308 一、募集资金投资项目概况. 308 二、募集资金运用情况. 309 三、未来发展规划. 317 第十节第十节 投资者保护投资者保护 . 32
35、0 一、投资者关系主要安排. 320 苏州东微半导体股份有限公司 招股意向书 1-1-14 二、公司本次发行后的股利分配政策和决策程序. 321 三、公司本次发行前后的股利分配政策差异情况. 322 四、本次发行前滚存利润分配安排. 322 五、股东投票机制建立情况. 323 六、特别表决权股份、协议控制的特殊安排. 323 七、发行人、实际控制人、董事、监事、高级管理人员、核心技术人员及本次发行的保荐人及证券服务机构作出的重要承诺. 324 第十一节第十一节 其他重要事项其他重要事项 . 354 一、重大合同. 354 二、对外担保. 356 三、重大诉讼或仲裁事项. 356 四、董事、监事
36、、高级管理人员和核心技术人员最近 3年涉及行政处罚、被司法机关立案侦查、被中国证监会立案调查情况. 356 五、实际控制人重大违法行为. 356 第十二节第十二节 声明声明 . 357 一、发行人全体董事、监事、高级管理人员声明. 357 二、发行人实际控制人声明. 370 三、保荐机构（主承销商）声明. 371 四、发行人律师声明. 374 五、会计师事务所声明. 375 六、资产评估机构声明. 376 七、验资机构声明. 377 第十三节第十三节 附件附件 . 378 一、备查文件. 378 二、查阅时间及地点. 378 三、查阅网址. 378 苏州东微半导体股份有限公司 招股意向书 1-
37、1-15 第一节 释义 本招股意向书中，除非文义另有所指，下列词语或简称具有如下含义： 一、一般词汇一、一般词汇 发行人、公司、本公司、股份公司、东微半导体、东微 指 苏州东微半导体股份有限公司，根据上下文，还包括其子和/或分公司 东微有限 指 东微半导体前身“苏州东微半导体有限公司” 本次发行上市 指 发行人本次在中国境内（不含香港、澳门和台湾地区）发行以人民币认购和交易的普通股（A 股）并在科创板上市的行为 A股 指 获准在境内证券交易所上市、以人民币标明面值、以人民币认购和交易的普通股股票 招股意向书、本招股意向书 指 苏州东微半导体股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市招股意向书
38、苏州高维 指 苏州工业园区高维企业管理合伙企业（有限合伙） 得数聚才 指 苏州工业园区得数聚才企业管理合伙企业（有限合伙） 原点创投 指 苏州工业园区原点创业投资有限公司 中新创投 指 中新苏州工业园区创业投资有限公司 聚源聚芯 指 上海聚源聚芯集成电路产业股权投资基金中心（有限合伙） 哈勃投资 指 哈勃科技创业投资有限公司，曾用名“哈勃科技投资有限公司” 中小企业发展基金 指 中小企业发展基金（深圳有限合伙） 智禹博信 指 苏州工业园区智禹博信投资合伙企业（有限合伙） 智禹淼森 指 苏州智禹淼森半导体产业投资合伙企业（有限合伙） 智禹博弘 指 苏州工业园区智禹博弘投资合伙企业（有限合伙） 智
39、禹东微 指 苏州工业园区智禹东微创业投资合伙企业（有限合伙） 智禹嘉通 指 苏州智禹嘉通创业投资合伙企业（有限合伙） 天蝉投资 指 苏州天蝉智造股权投资合伙企业（有限合伙） 丰熠投资 指 上海丰熠投资管理有限公司 丰辉投资 指 宁波丰辉投资管理合伙企业（有限合伙） 融风投资 指 苏州工业园区融风投资管理有限公司 引导基金 指 苏州工业园区创业投资引导基金管理中心 苏州中和 指 苏州中和春生三号投资中心（有限合伙） 国策投资 指 上海国策科技制造股权投资基金合伙企业（有限合伙） ，曾用名“上海国和人工智能股权投资基金合伙企业（有限合伙）” 上海烨旻 指 上海烨旻企业管理中心（有限合伙） 苏州东微
40、半导体股份有限公司 招股意向书 1-1-16 亚美斯通 指 深圳市亚美斯通电子有限公司 华为 指 华为投资控股有限公司及其子公司 华润微电子 指 华润微电子有限公司（688396.SH） 吉林华微电子 指 吉林华微电子股份有限公司（600360.SH） 新洁能 指 无锡新洁能股份有限公司（605111.SH） 士兰微 指 杭州士兰微电子股份有限公司（600460.SH） 扬杰科技 指 扬州扬杰电子科技股份有限公司（300373.SZ） 英飞凌、英飞凌科技 指 Infineon Technologies AG 安森美 指 ON Semiconductor Corporation 意法半导体 指
41、STMicroelectronics N.V. 瑞萨电子 指 Renesas Electronics Corporation 日本东芝 指 Toshiba Corporation 苏州工业园区工商局 指 江苏省苏州工业园区工商行政管理局 财政部 指 中华人民共和国财政部 发改委 指 中华人民共和国国家发展和改革委员会 中国证监会 指 中国证券监督管理委员会 上交所 指 上海证券交易所 基金业协会 指 中国证券投资基金业协会 公司法 指 中华人民共和国公司法 证券法 指 中华人民共和国证券法 企业会计准则 指 财政部于 2006 年 2 月 15 日颁布的企业会计准则及其应用指南和其他相关规定，
42、以及相关规定、指南的不时之修订 上市规则 指 上海证券交易所科创板股票上市规则 注册管理办法 指 科创板首次公开发行股票注册管理办法（试行） 报告期、最近三年及一期 指 2018 年、2019 年、2020 年及 2021 年 1-6月 报告期末 指 2021年 6月 30日 报告期各期末、各期末 指 2018 年 12 月 31 日、2019 年 12 月 31 日、2020 年 12 月 31日及 2021 年 6 月 30日 元、万元、亿元 指 人民币元、万元、亿元 公司章程 指 现行有效的苏州东微半导体股份有限公司章程及其修订和补充 公司章程（草案） 指 本次发行上市之日起适用的苏州东
43、微半导体股份有限公司章程（草案） 股东大会 指 苏州东微半导体股份有限公司股东大会 董事会 指 苏州东微半导体股份有限公司董事会 监事会 指 苏州东微半导体股份有限公司监事会 苏州东微半导体股份有限公司 招股意向书 1-1-17 保荐人、保荐机构、主承销商、中金公司 指 中国国际金融股份有限公司 天册、发行人律师 指 浙江天册律师事务所 天健、发行人会计师 指 天健会计师事务所（特殊普通合伙） 二、专业词汇二、专业词汇 半导体 指 常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。常见的半导体材料有硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓等。硅是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。 IC、集成电路 指
44、 指采用半导体制备工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，而后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。 分立器件 指 半导体分立器件，与集成电路相对而言的，采用特殊的半导体制备工艺，实现特定单一功能的半导体器件，且该功能往往无法在集成电路中实现或在集成电路中实现难度较大、成本较高。分立器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT 等。 半导体功率器件、功率半导体 指 又称电力电子功率器件，主要用于电力设备的电能变换和电路控制，是进行电能（功率）处理的核心器件，弱电控制和强电运行间的桥梁。半
45、导体功率器件是半导体分立器件中的主要组成部分。 MOSFET、功率 MOSFET 或MOS 指 金属-氧化物-半导体场效应晶体管，是一种典型半导体器件结构，目前已广泛使用在电力电子电路中，也可以单独作为分立器件使用以实现特定功能。 Trench MOSFET、沟槽型功率MOSFET 指 MOSFET 栅极结构通过沟槽工艺制备，具有高元胞密度、低导通损耗等特点。 超级结功率 MOSFET 产品、超结 MOS、超结 MOSFET、Super Junction MOSFET 指 基于电荷平衡技术理论，在传统的功率 MOSFET 中加入 p-n 柱相互耗尽来提高耐压和降低导通电阻的器件结构，具有工作频
46、率高、导通损耗小、开关损耗低、芯片体积小等特点。 屏蔽栅功率 MOSFET、屏蔽栅沟槽型功率 MOSFET、屏蔽栅 MOSFET、屏蔽栅结构MOSFET、SGT、SGT MOSFET、分裂栅器件 指 基于电荷平衡技术理论，在传统的功率 MOSFET 中加入额外的多晶硅场板进行电场调制从而提高耐压和降低导通电阻的器件结构，具有导通电阻低、开关损耗小、频率特性好等特点。 沟槽栅 VDMOS 指 垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应管。 IGBT 指 绝缘栅双极型晶体管，同时具备 MOSFET 和双极性晶体管的优点，如输入阻抗高、易于驱动、电流能力强、功率控制能力高、工作频率高等特点。 TGBT 指
47、Tri-gate IGBT，一种公司采用独立知识产权 Tri-gate 器件结构的创新型 IGBT 产品系列。 BJT 指 Bipolar Junction Transistor，双极结型晶体管，是通过一定的工艺将两个 PN 结结合在一起的器件，有 PNP 和 NPN 两种组合结构。 Vth 指 Threshold Voltage，阈值电压。 DC-DC 指 将一个固定的直流电压变换为可变的直流电压，也称为直流斩波器。 苏州东微半导体股份有限公司 招股意向书 1-1-18 谐振拓扑 指 一种电源的架构，其具备效率高、输出纹波小、发热小、体积小、低 EMI、负载可调范围大，可以对输入/输出电压比
48、在很宽的范围内进行调节等特点。 功率模块 指 将分立器件或分立器件和集成电路按一定的电路拓扑封装在一起，形成整体模块化产品。该类产品集成度高、功率密度高、功率控制能力强，往往应用于大功率或小体积的电力电子产品。 晶圆 指 经过半导体制备工艺加工后的晶圆片半成品，进一步通过封装测试可以形成半导体器件产品。每片 8 英寸晶圆包含数百颗至数万颗数量不等的单芯片。 功率器件 指 已经封装好的 MOSFET、IGBT 等产品。晶圆制作完成后，需要封装才可以使用，封装外壳可以给芯片提供支撑、保护、散热以及电气连接和隔离等作用，以便使器件与其他电容、电阻等无源器件和有源器件构成完整的电路系统。 IDM 指
49、指垂直一体化模式，半导体行业中从芯片设计、晶圆制造、封装测试到销售的垂直整合型公司。 Fabless 指 半导体行业中流行的业务形态，指公司“没有制造业务、只专注于研发设计”的一种运作模式，也用来指未拥有芯片制造工厂的 IC 或功率器件设计公司。 Foundry 指 半导体行业中专门负责生产、制造芯片的厂家，其依据设计企业提供的方案，提供晶圆代工服务。 晶圆代工 指 芯片设计企业将设计方案完成后，由芯片代工企业通过采购晶圆材料、光刻、刻蚀、离子注入等加工工艺制造出芯片。 封装测试、封测 指 封装和测试,首先把已制造完成的半导体芯片进行封装，再对元器件进行结构及电气功能的确认，以保证半导体元件符
50、合系统的需求，整个过程被称为封装测试。 碳化硅、SiC 指 碳化硅（SiC）是第三代宽禁带半导体材料的代表之一，具有禁带宽度大、热导率高和击穿电场高等性质，特别适用于高压、大功率半导体功率器件领域。 氮化镓、GaN 指 氮化镓（GaN）是第三代宽禁带半导体材料的代表之一，具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高、直接带隙、击穿电场高等性质。 导通电阻 指 功率 MOSFET 开启时漏极和源极间的阻值。导通电阻数值越小，MOSFET 工作时的功率损耗越小。 饱和压降 指 在饱和区内，IGBT 集电极和发射极间电压。 关闭损耗 Eoff 指 IGBT 关闭动作(switch-off)中，集电极
