1、士兰微电子 SGTP40V65FDR1P7 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.0 http: / 共 9 页 第 1 页 40A、650V绝缘栅双极型晶体管 描述 SGTP40V65FDR1P7 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止（Field Stop 5）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于光伏，UPS，SMPS 以及 PFC 等领域。 特点 40A，650V，VCE(sat)(典型值)=1.65VIC=40A 低导通损耗 快开关速度 高输入阻抗 TJmax=175C 123CGE123TO-247-3L 命名规则 SGT P 40 V 65 F D
2、 R 1 P7士兰IGBT系列电流规格,如:70表示70A等N : N沟平面栅NE : N沟平面栅带ESDT : Field Stop 3和4U : Field Stop 4+V : Field Stop 5W: Field Stop 6X : Field Stop 7电压规格 ，如:65表示650V120表示1200V等D : 合封二极管R : 集成二极管（RC IGBT）封装形式,如P7 : TO-247-3L1,2,3 : 版本号空: 标准二极管（Standard）M : 标准二极管、全电流规格（Standard Full）R : 快速二极管（Rapid）B : 快速二极管、全电流规格（
3、Rapid Full）S : 超软二极管、全电流规格（Soft Full）工业级L : 超低速，推荐频率2KHzQ : 低速，推荐频率220KS : 标准，推荐频率540KF : 高速，推荐频率1060KUF : 超高速，推荐频率40K 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装方式 SGTP40V65FDR1P7 TO-247-3L P40V65FDR1 无铅 料管 士兰微电子 SGTP40V65FDR1P7 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.0 http: / 共 9 页 第 2 页 极限参数（除非特殊说明，TC=25C） 参数 符号 参数范围 单位 集电极-
4、射极电压 VCE 650 V 栅极-射极电压 VGE 20 V 集电极电流 TC=25C IC 80 A TC=100C 40 集电极脉冲电流 ICM 120 A 二极管电流 TC=25 C IF 40 A TC=100 C 20 A 耗散功率（TC=25C） PD 300 W 工作结温范围 TJ -40+175 C 贮存温度范围 Tstg -55+150 C 热阻特性 参数 符号 参数范围 单位 芯片对管壳热阻（IGBT） RJ（J-C） 0.5 C/W 芯片对管壳热阻（FRD） RJC（J-C） 1.4 C/W 芯片对环境热阻（IGBT） RJC（J-A） 40 C/W IGBT 电性参数
5、（除非特殊说明，TC=25C） 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 集射击穿电压 BVCE VGE=0V，IC=250A 650 - - V 集射漏电流 ICES VCE=600V，VGE=0V - - 200 A 栅射漏电流 IGES VGE=20V，VCE=0V - - 400 nA 栅极开启电压 VGE(th) IC=250A，VCE=VGE 3.2 4.5 5.8 V 饱和压降 VCE(sat) IC=40A，VGE=15V，TC=25C - 1.65 2.1 V IC=40A，VGE=15V TC=150C - 1.85 - V 输入电容 Cies VCE=30V V
6、GE=0V f=1MHz - 3150 - pF 输出电容 Coes - 63 - 反向传输电容 Cres - 11 - 开启延迟时间 Td(on) VCE=400V IC=20A Rg=10 VGE=15V 感性负载 - 22 - ns 开启上升时间 Tr - 38 - 关断延迟时间 Td(off) - 118 - 关断下降时间 Tf - 60 - 导通损耗 Eon - 0.8 - mJ 关断损耗 Eoff - 0.1 - 开关损耗 Est - 0.9 - 开启延迟时间 Td(on) VCE=400V - 28 - ns 士兰微电子 SGTP40V65FDR1P7 说明书 杭州士兰微电子股份
7、有限公司 版本号：1.0 http: / 共 9 页 第 3 页 开启上升时间 Tr IC=40A Rg=10 VGE=15V 感性负载 - 80 - 关断延迟时间 Td(off) - 116 - 关断下降时间 Tf - 98 - 导通损耗 Eon - 1.9 - mJ 关断损耗 Eoff - 0.52 - 开关损耗 Est - 2.4 - 栅电荷 Qg VCE=400V，IC=40A，VGE=15V - 111 - nC 发射极栅电荷 Qge - 29 - 集电极栅电荷 Qgc - 25 - FRD 电性参数（除非特殊说明，TC=25C） 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
8、二极管正向压降 VFM IF=20A，TC=25C - 1.5 2 V IF=20A，TC=150C - 1.4 - 二极管反向恢复时间 Trr IES=20A， dIES/dt=200A/s TC=25C - 165 - ns 二极管反向恢复电荷 Qrr - 223 - nC 二极管反向恢复电流 Irm - 3.2 - A 士兰微电子 SGTP40V65FDR1P7 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.0 http: / 共 9 页 第 4 页 典型特性曲线 注：1.250s 脉冲测试2.TJ=25 C图 1. 典型输出特性图 3. 传输特性集电极-发射极电压 VCE(V)集电极
9、电流 IC(A)栅极-发射极电压 VGE(V)栅极-发射极电压 VGE(V)图 4. 饱和压降vs.VGE图 2. 典型饱和压降特性集电极电流 IC(A)集电极-发射极电压 VCE(V)集电极-发射极电压 VCE(V)栅极-发射极电压 VGE(V)图 5. 饱和压降vs.VGE集电极-发射极电压 VCE(V)壳温 TC( C)图 6. 饱和压降vs.温度11V13V15V集电极电流 IC(A)02410806VGE=9V17V共射极TC=25 C100500400300200600050100150200250300350400450012345678910共射极VGE=15V=150 C=2
10、5 CTCTC05010015020025030002468101214共射极=25 CTC=150 CTCVCE=15V集电极-发射极电压 VCE(V)0020151610812510A042015128161050.511.522.5255075100125150IC=40A共射极VGE=15VIC=20AIC=10A40A20A10A40A20A 士兰微电子 SGTP40V65FDR1P7 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.0 http: / 共 9 页 第 5 页 典型特性曲线（续） 开关时间(ns)栅极电阻 RG()图 10.关断特性vs.栅极电阻开关损耗(J)图 11
11、. 开关损耗vs.栅极电阻栅极电阻 RG()电容 (pF)集电极-发射极电压 VCE(V)图 7. 电容特性图 8. 栅电荷特性图 9. 导通特性vs.栅极电阻栅极-发射极电压 VGE(V)栅极电荷 Qg(nC)开关时间(ns)栅极电阻 RG()开关时间(ns)图 12. 导通特性vs.集电极电流集电极电流- IC(A)040080012001600200024002800320036004000110100共射极VGE=0V，f=1MHzTC=25 CCiesCoesCres03691215020406080100120共射极400V200V300VTC=25 C11010010000102
12、030405060708090100共射极VCC=400V， VGE=15V，IC =40ATd(on)TrTC=25 C1010010000102030405060708090100Td(off)Tf共射极VCC=400V， VGE=15V，IC =40ATC=25 C1001000100000102030405060708090100EonEoff共射极VCC=400V， VGE=15V，IC =40ATC=25 C110100100001020304050607080TrTd(on)共射极VCC=400V， VGE=15V，Rg=10TC=25 C 士兰微电子 SGTP40V65FDR1
13、P7 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.0 http: / 共 9 页 第 6 页 典型特性曲线（续） 反向恢复时间 Trr(ns)正向电流 IF(A)图 16. 反向恢复时间vs.正向电流反向恢复电荷 Qrr(nC)图 17. 反向恢复电荷vs.正向电流正向电流 IF(A)开关时间(ns)集电极电流 IC(A)图 13. 关断特性vs. 集电极电流图 14. 开关损耗vs.集电极电流图 15. 正向特性开关损耗(J)集电极电流 IC(A)正向电流 IFM(A)正向电压 VFM(V)漏极电流 - ID(A)图 18. 最大安全工作区SOA漏源电压- VDS(V)101001000
14、01020304050607080Td(off)Tf共射极VCC =400V，VGE =15V，Rg=10TC=25 C101001000100000102030405060708090EonEoff共射极VCC =400V，VGE =15V，Rg=10TC=25 C11010000.511.522.5TC=25 CTC=150 C0501001502002505101520di/dt=100A/sdi/dt=200A/s0501001502002505101520di/dt=100A/sdi/dt=200A/s0.1110100110100100010000DC10ms1ms100s10sI
15、DMVDSRdsonDC10ms1ms100s10s漏极电流 ID(A) 士兰微电子 SGTP40V65FDR1P7 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.0 http: / 共 9 页 第 7 页 典型特性曲线（续） Tb斜率 dirr/dt(A/s)正向电流 IF(A)图20. Tb斜率vs.正向电流图19. 峰值反向恢复电流vs.正向电流峰值反向恢复电流 Irm(A)正向电流 IF(A)11.522.533.544.55515253545Irm=100A/sIrm=200A/s8012016020015253545dirr/dt=100A/sdirr/dt=200A/s 士兰微
16、电子 SGTP40V65FDR1P7 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.0 http: / 共 9 页 第 8 页 封装外形图 TO-247-3L 单位：毫米 AA2A1Cb2DEE2eLL1Qbb4P 15.5016.104.405.2020.8021.3019.7220.225.80AA1A2bb2cDEE2eLL1Q4.805.005.202.212.412.591.852.002.151.111.363.252.910.510.7521.0015.805.005.44 BSC19.924.305.606.001.912.25b4MAXSYMBOLMINNOMMILLIME
17、TER_P3.403.80 重要注意事项重要注意事项： 1. 士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。 2. 客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否最新和完整。产品应用前请仔细阅读说明书，包客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否最新和完整。产品应用前请仔细阅读说明书，包括其中的电路操作注意事项。括其中的电路操作注意事项。 3. 我司产品属于消费类电子产品或其他民用类电子产品。我司产品属于消费类电子产品或其他民用类电子产品。 4. 在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。任何半导体产品特定条件下都有在
18、应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵守安全标准并一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵守安全标准并采取安采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。 5. 购买产品时请认清我司商标，如有疑问请与本公司联系。购买产品时请认清我司商标，如有疑问请与本公司联系。 6. 产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！ 7. 我司网站我司网站 http: / 士兰微电子 SGTP40V65FDR1P7 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.0 http: / 共 9 页 第 9 页 产品名称： SGTP40V65FDR1P7 文档类型： 说明书 版 权： 杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页： http: / 版 本： 1.0 修改记录： 1. 正式版本发布
