1、ICS 29.045 H80 中中华华人人民民共共和和国国国国家家标标准准 GB/T 14844XXXX 代替 GB/T 14844-1993 半导体材料牌号表示方法 Designations of semiconductor materials 草案 XXXX - XX - XX 发布XXXX - XX - XX 实施 GB/T 14844XXXX I 前 言 本标准按GB/T 1.1-2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T 14844-1993半导体材料牌号表示方法。本标准与GB/T 14844-1993相比，主 要有以下变化： 增加了碳化硅、砷化镓产品牌号的表示方法； 增加了多晶、
2、单晶含义里包含了电子级和太阳能级二种产品； 修改了 3.1.1 牌号的第一项表示多晶的生产方法或特殊用途，包括：X 表示改良西门子法、 G 表示硅烷法、表示还原法、表示区熔法、IR 表示红外光学用途、D 表示电子级、S 表示 太阳能级； 增加了 3.1.3 条款中多晶的形状表示，G 表示颗粒状； 增加了 3.2.1 条款中牌号的生产方法，C 表示铸锭法； 增加了 3.3.3 条款中牌号的晶片种类，SW 表示太阳能切割片。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准化 技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。 本标准负责起
3、草单位：浙江省硅材料质量检验中心、有色金属技术经济研究院、 本标准主要起草人：楼春兰、毛卫中、杨素心、 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： GB/T 14844-1993。 GB/T 14844XXXX 1 半导体材料牌号表示方法 1 范围 本标准规定了半导体多晶、单晶、晶片、外延片、碳化硅、砷化镓产品牌号的表示方法。 本标准适用于编制半导体材料的牌号，除列举的半导体材料，其他半导体材料牌号表示可参照执 行。 2 牌号分类 按照晶体结构和产品形状，半导体材料牌号分为多晶、单晶、晶片和外延片四类。 3 牌号表示方法 3.1 多晶牌号 半导体多晶的牌号表示为： 1、2、3、4、5分别代表牌号的
4、第一项至第五项。 3.1.1 牌号的第一项表示多晶的生产方法或特殊用途，或生产方法与特殊用途的组合，分别用英文的 第一个字母或其字母组合的大写形式表示，其中： a)X 表示改良西门子法； b)G 表示硅烷法； c)R 表示还原法； d)表示区熔法； e)IR 表示红外光学用途； f)D 表示电子级用途； g)S 表示太阳能级用途。 3.1.2 牌号的第二项中 P 表示多晶，分子式表示多晶名称。 3.1.3 牌号的第三项表示多晶的形状，分别用英文第一个字母的大写形式表示，其中： a)I 表示棒状； b)表示块状； ( ) 1 2 3 4 5 GB/T 14844XXXX 2 c) G 表示颗粒状
5、。 3.1.4 牌号的第四项中括号内的元素符号表示掺杂剂。 3.1.5 牌号的第五项中用阿拉伯数字表示多晶产品的等级。 3.1.6 若多晶产品不强调生产方法或形状，或不掺杂等，其牌号相应部分可省略。 3.1.7 示例： a)PSi-N-1 表示一级块状硅多晶； b)-PGe-1 表示一级区熔锗锭； c)R-PGe-1 表示一级还原锗锭。 3.2 单晶牌号 半导体单晶的牌号表示为： 1、2、3、4分别代表牌号的第一项至第四项。 3.2.1 牌号的第一项表示单晶的生产方法，分别用英文的第一个字母或其字母组合的大写形式表示， 其中： a)CZ 表示直拉法； b)FZ 表示悬浮区熔法； c)HB 表示
6、水平法； d)LEC 表示液封直拉法； e)MCZ 表示磁场拉晶法； f)C 表示铸锭法。 3.2.2 牌号的第二项用分子式表示单晶的名称。如：硅单晶 Si、砷化镓 GaAs、碳化硅 SiC、锗单晶 Ge、锑化铟单晶 InSb、磷化镓单晶 GaP 和磷化铟单晶 InP 等。 3.2.3 牌号的第三项中用 N 或 P 表示导电类型，括号内元素符号表示掺杂剂，NTD 表示中子嬗变掺杂 法。 3.2.4 牌号的第四项用密勒指数表示晶向。 3.2.5 若单晶不强调生产方法或不掺杂时，其牌号的相应部分可省略。 3.2.6 示例： a)CZ-Si-(B)-100表示晶向为100的型掺硼直拉硅单晶； b)F
7、Z-Si-N (NTD)-111表示晶向为111的 N 型中照悬浮区熔硅单晶； c)HB-GaAs-N (Si)- 100表示晶向为100的 N 型掺硅水平砷化镓单晶； d)LEC-GaAs-(Cr+O)- 100表示晶向为100掺铬和氧的液封直接砷化镓单晶。 3.3 晶片牌号 半导体晶片的牌号表示为： ( ) 1 2 3 4 GB/T 14844XXXX 3 1、2、3、4、5分别代表牌号的第一项至第五项。 3.3.1 牌号的第一项表示产品的生产方法或特殊用途，其符号表示同 3.2.1 条。另外以下英文第一个 字母组合的大写形式表示为： a)CCD 表示用于制作电荷耦合器件的晶片； b)IC
8、 表示用于制作集成电路器件的晶片； c)DD 表示用于制作分立器件的晶片； d)SC 表示用于制作太阳能电池器件的晶片。 3.3.2 牌号的第二项用分子式表示晶片的名称。 3.3.3 牌号的第三项表示晶片种类，分别用英文第一个字母组合的大写形式表示，其中： a)CW 表示切割片； b)LW 表示单面研磨片； c)BLW 表示双面研磨片； d)EtW 表示腐蚀片； e)PW 表示单面抛光片； f)BPW 表示双面抛光片； g)DW 表示扩散片； h)GW 表示吸杂片； i)SW 表示太阳能切割片。 3.3.4 牌号第四项中的符号表示同 3.2.3 条。 3.3.5 牌号的第五项用密勒指数表示晶向
9、。 3.3.6 若晶片不强调晶体生产方法或特殊用途，或晶体不掺杂时，其牌号的相应部分可省略。 3.3.7 示例： a)CZ-Si-PW-N(Sb)-表示晶向为的 N 型掺锑直拉硅单晶抛光片； b)FZ-Si-BLW-N(NTD)-表示晶向为的 N 型中照悬浮区熔硅单晶双面研磨片。 3.4 外延片牌号 半导体外延片的牌号表示为 ( ) 1 2 3 4 5 GB/T 14844XXXX 4 1、2、3、4分别代表牌号的第一项至第四项。 3.4.1 牌号的第一项表示外延片的生长方法，分别用英文第一个字母组合的大写形式表示，其中： a)VPE 表示气相外延； b)LPE 表示液相外延； c)MBE 表
10、示分子束外延； d)MOCVD 表示金属有机化合物化学气相沉积。 3.4.2 牌号第二项用分子式表示外延片的名称。 3.4.3 牌号的第三项表示外延片的结构，括号内用元素符号表示掺杂剂，分别用下列符号表示: a)n/n+表示在 n+型衬底上生长 N 型外延层； b)p/p+表示在 p+型衬底上生长 P 型外延层； c)n/p（或 p/n）表示在 P 型（或 N 型）衬底上生长导电类型相反的外延层 d)n/I(或 p/I)表示在绝缘衬底上生产 N 型(或 P 型)外延层； e)n/p/n 表示在 N 型衬底上先生长 P 型外延层，再生长 N 型外延层，其他多层外延片结构的表 示方法以此类推。 3.4.4 牌号的第四项用密勒指数表示晶向。 3.4.5 示例： a)VPE-Si-n/n+(P/Sb)-100表示晶向为100衬底为重掺锑外延层掺磷的 N 型气相硅外延 片； b)LPE-GaAs-n/n+ (Sn/Te)-100表示晶向为100的衬底掺碲外延层掺锡 N 型液相砷化镓 外延片。 _ ( ) 1 2 3 4
