半导体光电子学

1、. 第二章 半导体三极管及其基本电路 一、 填空题 1、(2-1，中)当半导体三极管的 正向偏置， 反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即 极电流能控制 极电流。 2、(2-1，低)根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为 ， ， 三种。 3、(2-1，低)三极管的特性曲线主要有 曲线和 曲线两种。

2、第九章 金属半导体和 半导体异质结 1 第九章 金属半导体和半导体异质结 9.1 肖特基势垒二极管 9.2 金属半导体的欧姆接触 9.3 异质结 2 9.1 9.1 肖特基势垒二极管肖特基势垒二极管 肖特基势垒二极管示意图 3 9.1.1 性质上的特征 金属N型半导体 金属和n型半导体接触前的平衡态能带图 4 基本概念 真空能级E0:电子完全脱离材料本身的束缚所需的最小能量 功函数：。

3、. 实验三 半导体的霍尔效应 置于磁场中的载流体，如果电流方向与磁场垂直，则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场，这个现象是霍普金斯大学研究生霍尔于1879年发现的，后被称为霍尔效应。如今霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段，而且利用该效应制成的霍尔器件已广泛用于非电量的电测量、自动控制和信息处理等方面。在工业生产要求自动检测和控制的今天，作为敏感元件之一的霍尔器件，将有更广泛。

4、 半导体封装知识培训 生产部 2011-09-06 1 IC Process Flow Customer 客 户 IC Design IC设计 Wafer Fab 晶圆制造 Wafer Probe 晶圆测试 Assembly 15 Die Attach 芯片粘接 Write Epoxy 点银浆 Die Attach 芯片粘接 Epoxy Cure 银浆。

5、(凱簀谀倂耀攀攁鄁崁蜂蜂蜂圃圃圃圃圃圃圃圃圃圃圃約晬薏灑祎搀漀挀砀紀晬薏灑祎搀漀挀砀尀尀挀昀攀戀戀搀攀挀愀挀琀最礀洀氀礀瘀圀栀嘀挀猀夀圀渀最椀稀氀猀嘀刀圀洀漀伀圀愀唀最樀猀瘀唀倀最紀晬蔀灑礀搀搀戀搀搀挀戀挀栀餀騀鬀u鰀蜀捥浨搀啙椀戀眀瀀稀甀眀栀匀最爀欀栀洀猀樀伀愀氀樀樀欀欀堀堀伀椀堀琀夀猀匀砀琀瀀漀琀娀焀倀漀砀礀稀攀攀昀昀昀。

6、ICS 29.045 H80 中中华华人人民民共共和和国国国国家家标标准准 GB/T 14844XXXX 代替 GB/T 14844-1993 半导体材料牌号表示方法 Designations of semiconductor materials 草案 XXXX - XX - XX 发布XXXX - XX - XX 实施 GB/T 14844XXXX I 前 言 本标准按GB/T 1.1-2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T 14844-1993半导体材料牌号表示方法。本标准与GB/T 14844-1993相比，主 要有以下变化： 增加了碳化硅、砷化镓产品牌号的表示方法； 增加了多晶、单晶含义里包含了电子级和太阳能级二种产品； 修改了 3.1.1 牌号的第一项表示多晶的生产方法。

7、 中华人民共和国有色金属行业标准 ICS 29.045 H 80 YS YS/T XXX-201X 代替 YS/T 28-1992 i 半导体硅片包装 Package of silicon wafers （讨论稿） 201X-XX-XX 发布201X-XX-XX 实施 YS/T XXX-XXXX I 前 言 本标准代替YS/T 281992硅片包装。 本标准与YS/T 281992相比，主要有以下变动： 重新规定了标准的使用范围； 增加了引用文件； 根据GB/T 1.1-2009对标准文本进行了修改。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC 243）提出并归口。 本标准起草单位：杭州海纳半导体有限公司、有研半导体材料股份有限公司、南京国盛电子有限 公司。

8、业务经营模式。经过多年的发展，公司产品已覆盖全国各省市。公司与国内多家知名厂商的良好关系为公司带来了新的行业发展趋势，使公司研发产品能够与时俱进，为公司持续稳定盈利、巩固市场份额、推广创新产品奠定了坚实的基础。二、产业政策及发展规划（一）中国制造20252012年，我国制造业增加值为2.08万亿美元，在全球制造业中占比约为20%，跻身世界制造大国。与此同时，大而不强则是中国制造的痛点。为推动中国制造由大变强，2015年5月，党中央、国务院着眼全球视野和战略布局，立足我国国情和发展阶段，作出了实施中国制造2025的战略决。

9、 -1- ITIS 智網 http:/www.itis.org.tw 經濟部技術處 ITIS 計畫成果，未經同意不得轉載 產業評析 產業評析 全球半導體設備市場剖析全球半導體設備市場剖析 金屬中心產業研究組 陳慧娟 出版日期：2008.09.26 一、前言一、前言 2008 年全球半導體景氣受到總體經濟環境不佳與消費者信心低落影響，導致 設備市場規模較 2007 年大幅衰退。以北美半導體設備訂單出貨比(B/B 值)來比較 2007 及 2008 年半導體產業的景氣狀況，2007 年 5 月，北美半導體設備 B/B 值達 到 1 的波段高峰，之後景氣一路向下修正， B/B 值也持續下滑，由 2007 年 6 月至。

10、潮起东方 赢在海宁 潮城要闻 4 责任编辑/版式设计： 周锋电话： 87235113组版： 翁凌霄 2018年6月5日 星期二 首席记者 万姗 本报讯昨天， 记者从第六届 “潮起 东方 赢在海宁” 创业大赛组委会了解到， 首次以特定行业为主题开设的专场创业 大赛决赛即将于6月9日 （本周六） 开锣， 25 个泛半导体产业的高端项目将逐鹿 潮城。 据了解， 本场创业大赛泛半导体专场 于今年2月启动， 历经项目征集报名、 初 审、 复审等多个环节。在复审阶段， 大赛 组委会分别邀请了技术专家和基金经理、 风投经理等产业化专家担任评委， 通过研 析参赛项目。

11、WSTSWSTS：今年全球半导体市场或缩小：今年全球半导体市场或缩小 12%12% 来源：日本经济新闻 WSTS 6 月 4 日发布预测称，2019 年的市场规模为 4120 亿美元，同比缩小 12。在 2018 年秋季的上次预测中，曾认为市场将增长 2.6。该组织认为，由于中美贸易摩擦等影 响，经济的不确定性加强，电子产品等的需求将下滑。 半导体市场一直在重复“硅周期”，每隔 34 年在会景气和低迷之间转换。此次的减速受 到 20172018 年维持高增长的反向影响，但降幅超过雷曼危机后的 2009 年（减少 9），创出 IT 泡沫崩溃的 2001 年（减少 32）以来的最大降幅。

12、Q/321182 AHY 0012001DB32江苏省市场监督管理局 发布2019-X-X 实施2019-X-X 发布高标准农田建设项目可行性研究报告编制规程Code for compiling feasibility study report of well-facilitated farmland construction project（报批稿） DB32/T XX2019江苏省地方标准ICS 65.020.01B 11 I目 次1.范围2.规范性引用文件13.术语与定义14.总则15.综合说明的编写要求26.项目区概况的编写要求27.项目建设必要性与制约因素分析的编写要求38.水资源供需平衡分析的编写要求39.规划布局的编写要求410.建设任务和建设内容的编写要求411.投资估算的编写。

13、近代信息处理（第四讲） 电子学基本知识（3） 刘树彬 2011.03.02 1 一些电子学基本知识 EDA软件 PCB基本概念和制板过程及需要 电子器件封装电子器件封装 一些简单而重要的高速布线规则 2 芯片互连技术 n引线键合技术：WB(Wire Bonding)，使用金线或铝线 ，以热压及超声波接合 n载带式接合：TAB (Tape Automatic Bonding)，使用金 对金热。

14、. 中国石油大学（华东）现代远程教育 实验报告 课程名称：电工电子学 实验名称：三相交流电路 实验形式：在线模拟+现场实践 提交形式：在线提交实验报告 学生姓名： 学 号： 年级专业层次：网络17春专升本 学习中心： 山东济南明仁学习中心 提交时间： 2018 年 5 月 20 日 一、实验目的 1. 练习三相交流电路中负载的星形接法。 2. 了解三相。

15、. 电子学基础知识 - 电子入门 电子学基础知识 相关搜索: 电子学, 基础, 知识 1. 电子学基本认识一、电路基本原理 电流就是电荷在导线内流动的现象，电流的测量单位是安培(A)。电荷分为正电荷和负电荷二种。物质中的电子带有负电荷;而质子带有正电荷。电荷在导线内会由高电位的地方流向低电位的地方。电位的高低便形成了电位差，我们称为电压。电压愈大，流动的电流便愈大，电压的测量单位是伏特(V。

16、. 中国石油大学（华东）现代远程教育 实验报告 课程名称：电工电子学 实验名称：三相交流电路 实验形式：在线模拟+现场实践 提交形式：在线提交实验报告 学生姓名： 学 号： 年级专业层次： 学习中心： 提交时间： 年 月 日 一、实验目的 1. 练习三相。

17、. 中国石油大学（华东）现代远程教育 实验报告 课程名称：电工电子学 实验名称：三相交流电路 实验形式：在线模拟+现场实践 提交形式：在线提交实验报告 学生姓名： 王育林 学 号： 1748210400007 年级专业层次：网络17秋环境工程技术高起专 学习中心： 青岛直属中心 提交时间： 2018 年 3 月 25 日 一、实验目的 1. 练习三相交流电路中负载的星形。

18、本征半导体 本征半导体不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本 征半导体。 1 N型半导体 也称为电子型半导体,其自由电子浓度远大于空穴 浓度的杂质半导体。 在纯净的硅晶体中掺入五 价元素（如磷、砷、锑等），使之取代晶格中硅 原子的位置，就形成了N型半导体。在N型半导 体中，自由电子为多数载流子，空穴为少数载流 子，主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质 原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多 ，。