1、士兰微电子 SVF4N90F/MJ/T/D 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：2.1 http:/ 共 10 页 第 1 页 4A、900V N沟道增强型场效应管 描述 SVF4N90F/MJ/T/D是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。特点 4A，900V，RDS(on)(典型值)=2.7VGS=10V 低栅极电荷量 低反向传输
2、电容 开关速度快 提升了 dv/dt 能力 TO-220F-3L1.栅极 2.漏极 3.源极231TO-251J-3L123123TO-220-3L123TO-252-2L13 命名规则 士兰F-Cell工艺VDMOS产品标识额定电流标识,采用1-2位数字；例如:4 代表 4A,20 代表 20A,08 代表 0.8A额定耐压值，采用2位数字例如：50表示500V,65表示650V封装外形标识例如：F:TO-220F;MJ:TO-251J;T:TO-220;D:TO-252S V F X N E X X X沟道极性标识，N代表N 沟道特殊功能、规格标识，通常省略例如：E 表示内置了ESD保护结
3、构 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 环保等级 包装 SVF4N90F TO-220F-3L SVF4N90F 无铅 料管 SVF4N90MJ TO-251J-3L SVF4N90 无卤 料管 SVF4N90T TO-220-3L SVF4N90T 无铅 料管 SVF4N90DTR TO-252-2L SVF4N90D 无卤 编带 士兰微电子 SVF4N90F/MJ/T/D 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：2.1 http:/ 共 10 页 第 2 页 极限参数(除非特殊说明，TC=25C)参 数 名称 符号 参数范围 单位 SVF4N90F SVF4N90MJ/D
4、 SVF4N90T 漏源电压 VDS 900 V 栅源电压 VGS 30 V 漏极电流 TC=25C ID 4 A TC=100C 2.5 漏极脉冲电流 IDM 16 A 耗散功率（TC=25C）-大于 25C 每摄氏度减少 PD 44 132 150 W 0.35 1.06 1.20 W/C 单脉冲雪崩能量（注 1）L=30mH EAS 344 mJ L=10mH 84 mJ 工作结温范围 TJ-55+150 C 贮存温度范围 Tstg-55+150 C 热阻特性 参 数 名 称 符号 参数范围 单位 SVF4N90F SVF4N9MJ/D SVF4N90T 芯片对管壳热阻 RJC 2.84
5、 0.95 0.83 C/W 芯片对环境的热阻 RJA 62.5 62.0 62.0 C/W 士兰微电子 SVF4N90F/MJ/T/D 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：2.1 http:/ 共 10 页 第 3 页 电气参数(除非特殊说明，TC=25C)参 数 名 称 符 号 测 试 条 件 最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V，ID=250A 900-V 漏源漏电流 IDSS VDS=900V，VGS=0V-1.0 A 栅源漏电流 IGSS VGS=30V，VDS=0V-100 nA 栅极开启电压 VGS(th)VGS=VDS，ID=250A 2
6、.0-4.0 V 导通电阻 RDS(on)VGS=10V，ID=2A-2.7 3.5 输入电容 Ciss VDS=25V，VGS=0V，f=1.0MHz-707-pF 输出电容 Coss-68-反向传输电容 Crss-3.0-开启延迟时间 td(on)VDD=450V，RG=25，ID=4V (注 2，3)-15-ns 开启上升时间 tr-26-关断延迟时间 td(off)-39-关断下降时间 tf-28-栅极电荷量 Qg VDD=720V，ID=4A，VGS=10V (注 2，3)-17-nC 栅极-源极电荷量 Qgs-4.1-栅极-漏极电荷量 Qgd-7.6-栅极电阻 RG f=1MHz-
7、4.2-源-漏二极管特性参数 参 数 名 称 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏P-N 结-4 A 源极脉冲电流 ISM-16 源-漏二极管压降 VSD IS=4A，VGS=0V-1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=4A，VGS=0V，dIF/dt=100A/s (注 2)-535-ns 反向恢复电荷 Qrr-2.5-C 注：注：1.VDD=50V，RG=25，开始温度 TJ=25C；2.脉冲测试：脉冲宽度300s，占空比2%；3.基本上不受工作温度的影响。士兰微电子 SVF4N90F/MJ/T/D 说明书 杭州士兰微电子股份有
8、限公司 版本号：2.1 http:/ 共 10 页 第 4 页 典型特性曲线 图1.输出特性图2.传输特性漏极电流 ID(A)0.11100.1110100漏源电压 VDS(V)漏极电流 ID(A)024681013579栅源电压 VGS(V)2.0027漏源导通电阻 RDS(ON)()漏极电流 ID(A)图3.导通电阻vs.漏极电流00.20.40.61.2反向漏极电流 IDR(A)源漏电压 VSD(V)图4.体二极管正向压降vs.源极电流、温度5.040.1110050.11000.82.54.01.0-55 C25 C150 C110注：1.250S脉冲测试2.VGS=0V3.0VGS=
9、4.5VVGS=5VVGS=5.5VVGS=6V变量注：1.250S 脉冲测试2.TC=25 CVGS=7VVGS=8VVGS=10VVGS=15V63.513VGS=10VVGS=20V注：TJ=25 C4.5-55 C25 C150 C注：1.250S脉冲测试2.VDS=50V10图5.电容特性图6.电荷量特性电容(pF)0.1110100漏源电压 VDS(V)栅源电压 VGS(V)00318总栅极电荷 Qg(nC)0200400160024681012156008009注：1.VGS=0V2.f=1MHzCiss=Cgs+Cgd(Cds=shorted)Coss=Cds+CgdCrss=
10、Cgd120061214001000CissCossCrss注：ID=4.0AVDS=720VVDS=450VVDS=180V 士兰微电子 SVF4N90F/MJ/T/D 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：2.1 http:/ 共 10 页 第 5 页 典型特性曲线（续）0.80.91.11.0-100-50050100200漏源击穿电压（标准化）BVDSS结温 TJ(C)图7.击穿电压vs.温度特性漏源导通电阻（标准化）RDS(ON)图8.导通电阻vs.温度特性结温 TJ(C)1.2150注：1.VGS=0V2.ID=250A0.00.52.01.5-100-50050100200
11、3.01501.02.525507510012515000.52.02.54.0图10.最大漏极电流vs.壳温漏极电流-ID(A)壳温 TC(C)DC10ms1ms100s10-210-1100101100101102103102漏极电流-ID(A)此区域工作受限于RDS(ON)注：1.TC=25 C2.Tj=150 C3.单个脉冲图9-1.最大安全工作区域(SVF4N90F)漏源电压-VDS(V)注：1.VGS=10V2.ID=2.0A1.01.53.03.5DC10ms1ms100s10-210-1100101100101102103102漏极电流-ID(A)此区域工作受限于RDS(ON)
12、注：1.TC=25 C2.Tj=150 C3.单个脉冲图9-2.最大安全工作区域(SVF4N90MJ/D)漏源电压-VDS(V)DC10ms1ms100s10-210-1100101100101102103102漏极电流-ID(A)此区域工作受限于RDS(ON)注：1.TC=25 C2.Tj=150 C3.单个脉冲图9-3.最大安全工作区域(SVF4N90T)漏源电压-VDS(V)士兰微电子 SVF4N90F/MJ/T/D 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：2.1 http:/ 共 10 页 第 6 页 典型测试电路 12V50K300nF与待测器件参数一致待测器件VGS3mAVDS
13、VGS10V电荷量QgQgsQgd栅极电荷量测试电路及波形图开关时间测试电路及波形图VDSVGSRGRLVDD10VVDSVGS10%90%td(on)tontrtd(off)tofftfEAS测试电路及波形图VDSRGVDD10VLtpIDBVDSSIASVDDtpTimeVDS(t)ID(t)EAS=1-2LIAS2BVDSSBVDSSVDD待测器件待测器件200nF 士兰微电子 SVF4N90F/MJ/T/D 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：2.1 http:/ 共 10 页 第 7 页 封装外形图 TO-251J-3L 单位：毫米 SYMBOLMINNOMMAXAA1bb5
14、cDEeL1LL22.182.302.390.891.001.140.560.89-1.050.46-0.615.976.106.276.356.606.732.29 BCS0.891.278.899.309.650.951.50-4b44.955.335.46 TO-220F-3L 单位：毫米 3112.804.424.702.302.545.023.102.502.760.900.700.801.470.650.350.5016.2515.2515.8716.3015.3015.7510.309.309.8010.369.7310.162.54BCS7.006.406.6813.4812.
15、4812.983.50/3.403.003.183.553.053.30 士兰微电子 SVF4N90F/MJ/T/D 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：2.1 http:/ 共 10 页 第 8 页 封装外形图(续)TO-220-3L 单位：毫米 4.304.701.001.501.802.800.601.001.001.6015.1016.1015.708.1010.009.209.609.9010.402.54BSC2.603.206.107.004.500.300.7012.6013.0813.601.306.500.803.403.953.703.902.40 TO-252-
16、2L 单位：毫米 SYMBOLMINNOMMAXAA1bb3cc2DEeHLL42.102.302.500-0.1270.660.760.895.105.335.460.45-0.650.45-0.655.806.106.406.306.606.909.6010.1010.601.401.501.700.600.801.00NOTENOTE1 1：There are two conditions for this position:has an eject pin or has no eject pin.L4Eject pin（note1）2.30TYPL12.90REF 士兰微电子 SVF4
17、N90F/MJ/T/D 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：2.1 http:/ 共 10 页 第 9 页 声明：声明：产品名称：SVF4N90F/MJ/T/D 文档类型：说明书 版 权：杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页：http:/ 版 本：2.1 修改记录：1.添加 L=10mH 下的 EAS 值 版 本：2.0 修改记录：1.增加 TO-252-2L 封装 版 本：1.9 修改记录：1.增加 TO-220-3L 带缺口的立体图 版 本：1.8 修改记录：1.增加 TO-220-3L 版 本：1.7 修改记录：1.更新 TO-251J-3L 封装外形图 版 本：1.6 修改记录
18、：1.修改 TO-220F-3L 封装信息 版 本：1.5 修改记录：1.修改热阻特性 版 本：1.4 修改记录：1.增加 TO-251J-3L 封装 版 本：1.3 修改记录：1.修改产品规格分类 版 本：1.2 修改记录：1.修改 MOS 管符号的示意图 版 本：1.1 修改记录：1.修改“封装外形图”士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最否完整和最新。新。任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用 Silan 产品进行系统设计和整产品进行系统设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！士兰微电子 文档类型：说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.0 http:/ 共 10 页 第 10 页 版 本：1.0 修改记录：1.原版
