1、 MOOC 电子技术基础模拟电子技术-南京工程学院中国大学慕课答案1.1.1 随堂测验1、问题：本征半导体中，若掺入的是 价元素，则形成 N 型半导体。选项：A、3B、4C、5D、6正确答案:【5】2、问题：在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P 型半导体。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】3、问题：在绝对零度且无光照射时，本征半导体中没有价电子能够摆脱共价键的束缚。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】1.1.2 随堂测验1、问题：杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于。选项：A、温度B、掺入杂质元素的多少C、掺杂工艺D、晶格缺陷正确答案:【掺入杂质元素的多少
2、】2、问题：在本片半导体中如果掺入的是三价微量元素，则形成 N 型半导体。选项：A、正确 B、错误正确答案:【错误】3、问题：少子是由本征激发所产生的，所以对光照和温度敏感。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】1.1.3 随堂测验1、问题：硅二极管正常工作时，反向电流很小，且其大小随反向电压的增大而。选项：A、增大B、减小C、基本不变D、击穿正确答案:【基本不变】2、问题：PN 结是由于漂移运动所形成的。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】3、问题：空间电荷区由不能移动的杂质离子所构成的。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】1.2.1 随堂测验1、问题：对于面接触型的二极管，下列说
3、法正确的是。选项：A、可以承受较大电流，适合低频使用。B、可以承受较大电流，适合高频使用。C、可以承受较小电流，适合低频使用。D、可以承受较小电流，适合高频使用。正确答案:【可以承受较大电流，适合低频使用。】 2、问题：点接触型二极管适合于低频、小电流情况下使用。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】3、问题：当二极管用于大电流工作时，要求 PN 结的结面积大。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】1.2.2 随堂测验1、问题：当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。选项：A、减小B、不变C、增大D、不能判断正确答案:【增大】2、问题：当温度升高时，二极管正反向特性曲线的特点是。选项：A、正
4、向特性曲线左移，反向特性曲线上移。B、正向特性曲线左移，反向特性曲线下移。C、正向特性曲线右移，反向特性曲线上移。D、正向特性曲线右移，反向特性曲线下移。正确答案:【正向特性曲线左移，反向特性曲线下移。】3、问题：锗管反向电流比硅管反向电流小得多。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】1.2.3 随堂测验1、问题：二极管的最高反向工作电压，通常规定为。选项：A、击穿电压B、击穿电压的一半 C、击穿电压的二倍D、死区电压正确答案:【击穿电压的一半】2、问题：当工作频率过高时，二极管将失去单向导电性。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】3、问题：二极管如果超过最大整流电流，就一定会烧坏。选项
5、：A、正确B、错误正确答案:【错误】1.3.1 随堂测验1、问题：二极管导通后对大信号所呈现的电阻，称为二极管的 。选项：A、直流电阻B、交流电阻C、导通电阻D、正向电阻正确答案:【导通电阻】2、问题：二极管的模型主要有理想模型、恒压降模型和小信号模型。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】3、问题：在同时含有直流电源和小信号交变源的电路中，电流或电压的总量约等于静态量与动态量的叠加。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】1.3.2 随堂测验 1、问题：当二极管回路电源电压较低时，采用 模型比较合理。选项：A、恒压降B、理想C、恒流源D、小信号正确答案:【恒压降】2、问题：二极管的直流电阻
6、、导通电阻和交流电阻是三个不同的概念。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】3、问题：用模拟指针式万用表的电阻挡测量二极管正向电阻时，不同量程挡测得的正向电阻值是相同的。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】4、问题：对于既有直流电源又有小信号源的电路，应先采用恒压降模型估算工作点，再用小信号模型进行动态分析。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】1.4.1 随堂测验1、问题：只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】2、问题：利用二极管的正向特性也可以实现稳压。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】 3、问题：正常情况下，稳压二极管工作在反向
7、击穿区。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】1.4.2 随堂测验1、问题：光电二极管工作时需要加 偏置电压，工作于状态。选项：A、正向；导通B、正向；截止C、反向；导通D、反向；截止正确答案:【反向；截止】2、问题：发光二极管导通时发光，工作电流的典型值为。选项：A、正偏；20mAB、正偏；10mAC、反偏；20mAD、反偏；10mA正确答案:【正偏；10mA】3、问题：光电二极管的光电流随光照强度的增大而上升。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】1.4.3 随堂测验1、问题：肖特基二极管的导通电压，大约为。选项：A、较高；0.7VB、较高；0.4VC、较低；0.7VD、较低；0.4V
8、正确答案:【较低；0.4V】2、问题：变容二极管在电路中的主要作用是。选项： A、稳压B、整流C、可变电容器D、发光正确答案:【可变电容器】3、问题：发光二极管是一种通以正向电流会发光的二极管，使用时应加正偏电压，且串接合适的限流电阻。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】第 1 章作业第 1 章单元测验1、问题：半导体本征激发会成对产生。选项：A、自由电子B、空穴C、自由电子和空穴D、杂质离子正确答案:【自由电子和空穴】2、问题：结外加正向电压时，扩散电流 。选项：A、增加B、减小C、不变D、为 0正确答案:【增加】3、问题：结外加正向电压时，耗尽层 。选项：A、增厚B、变薄C、厚度不变D
9、、厚度为 0正确答案:【变薄】 4、问题：在室温 27 度时，硅二极管的死区电压大约为 V。选项：A、0.3B、0.2C、0.5D、0.7正确答案:【0.5】5、问题：在室温 27 度时，锗二极管的死区电压大约为 V。选项：A、0.1B、0.2C、0.3D、0.5正确答案:【0.1】6、问题：二极管反向饱和电流随着温度的升高而 。选项：A、增加B、减小C、不变D、趋于 0正确答案:【增加】7、问题：发光二极管正常工作时需要施加 偏置电压。选项：A、正向B、反向C、正向或反向D、0正确答案:【正向】8、问题：杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 。选项：A、温度B、掺杂浓度C、光照D、外加电
10、压正确答案:【掺杂浓度】9、问题：半导体器件对敏感，这会导致器件性能的不稳定。选项： A、温度B、光照C、温度和光照D、掺杂浓度正确答案:【温度和光照】10、问题：半导体二极管的重要特性之一是 。选项：A、单向导电性B、滤波特性C、放大作用D、温度稳定性正确答案:【单向导电性】11、问题：硅管的反向电流比锗管的反向电流，因此硅管的单向导电性和温度稳定性。选项：A、大得多；较差B、小得多；较好C、大得多；较好D、小得多；较差正确答案:【小得多；较好】12、问题：如果把一个二极管直接同一个电动势为 1.5V、内阻为 0 的电池正向连接，则该管 。选项：A、电流为 0B、电击穿C、电流过大使管子烧坏
11、D、正常导通正确答案:【电流过大使管子烧坏】13、问题：锗二极管的开启电压为 。选项：A、0.5V 左右B、0.4V 左右C、0.2V 左右D、0.1V 左右正确答案:【0.2V 左右】14、问题：当未加外部电压时， PN 结中的电流 。选项： A、为 0B、从 P 区流向 N 区C、从 N 区流向 P 区D、为最小正确答案:【为 0】15、问题：PN 结形成后，空间电荷区由 组成。选项：A、电子B、空穴C、杂质离子D、价电子正确答案:【杂质离子】16、问题：变容二极管在电路中的主要作用是 。选项：A、发光B、可变电容器C、整流D、稳压正确答案:【可变电容器】17、问题：流过二极管的正向电流增
12、大时，其直流电阻将 。选项：A、增加B、减小C、为 0D、不变正确答案:【减小】18、问题：在下列二极管中，需要正偏工作的是 。选项：A、发光二极管B、光电二极管C、稳压二极管D、变容二极管正确答案:【发光二极管】19、问题：二极管整流电路的作用，是将正弦电压变成 。选项：A、余弦电压B、单向脉动电压 C、双向脉动电压D、直流电压正确答案:【单向脉动电压】20、问题：半导体二极管正向偏置，处在正常工作状态，即使流过管子的电流变化很大， 管子两端的电压变化也很小。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】21、问题：光电二极管正常工作时需要施加反向偏置电压。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】
13、22、问题：在 P 型半导体中掺入足够量的五价元素，可将其改型为 N 型半导体。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】23、问题：杂质半导体中，存在自由电子和空穴两种带电粒子。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】24、问题：杂质离子不能移动，因此不是载流子。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】25、问题：N 型半导体因为其多子是自由电子，所以它带负电。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】26、问题：二极管稳压电路一般由稳压二极管(反向接法)和负载并联而得到，并应接有合适的降压电阻。 选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】27、问题：肖特基二极管导通电压比普通二极管低。选项：A、
14、正确B、错误正确答案:【正确】28、问题：发光二极管反向击穿电压一般大于 5V，为安全起见，一般工作在 5V以下。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】29、问题：光电二极管反向电流随光照强度增加而上升。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】30、问题：稳压二极管工作在反向击穿区，但属于电击穿。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】31、问题：工程中分析包含有二极管的电路，多采用恒压降模型进行静态分析，再用小信号模型进行动态分析。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】32、问题：对包含多个二极管的电路进行分析时，要注意优先导通的管子会对其它管的工作状态产生影响。选项：A、正确B、错误正
15、确答案:【正确】 33、问题：理想二极管等效为一个理想压控开关，正偏时开关合上，反偏时开关断开。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】34、问题：二极管的伏安特性受温度影响较大，当温度升高时，正向特性曲线向右移，反向特性曲线向上移。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】35、问题：热击穿是可逆的，电击穿是不可逆的。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】36、问题：PN 结两侧的电位差称为内建电位差，也叫接触电位差。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】37、问题：对小信号而言，二极管的伏安关系呈线性，因此可以用一个电阻来等效。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】38、问题：只要稳压
16、二极管两端加反向电压就能起稳压作用选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】39、问题：本征激发会成对产生自由电子和空穴。选项：A、正确 B、错误正确答案:【正确】40、问题：纯净的半导体称为本征半导体。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】41、问题：N 型半导体的多数载流子是电子。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】42、问题：P 型半导体中的多数载流子是空穴。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】43、问题：当把 P 型半导体和 N 型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个 PN 结。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】44、填空题：纯净且无杂质的半导体称为 。正确答案:【
17、本征半导体】45、填空题：P 型半导体中的多数载流子是 。正确答案:【空穴】46、填空题：N 型半导体的多数载流子是 。正确答案:【电子#%_YZPRLFH_%#自由电子】47、填空题：当把 P 型半导体和 N 型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个 。正确答案:【PN 结#%_YZPRLFH_%#空间电荷区#%_YZPRLFH_%#耗尽层#%_YZPRLFH_%#阻挡层#%_YZPRLFH_%#势垒区】 48、填空题：半导体二极管的最重要的特点是具有 。正确答案:【单向导电性】49、填空题：变容二极管是一个非线性电容，电容量随反向电压增加而 。正确答案:【减小#%_YZPRLFH_%#
18、变小】50、填空题：用万用表电阻挡测试二极管时，若正向电阻远于反向电阻，说明二极管性能较好。正确答案:【小#%_YZPRLFH_%#低】51、填空题：用万用表电阻挡测试二极管，其正、反向电阻均为零，说明二极管内部已。正确答案:【短路#%_YZPRLFH_%#短接#%_YZPRLFH_%#热击穿】52、填空题：稳压二极管是利用二极管的特性实现稳压。正确答案:【反向击穿#%_YZPRLFH_%#稳压】53、填空题：光电二极管工作时需加偏置电压。正确答案:【反向】54、填空题：稳压管使用时应串接，以保证反向电流不超过最大允许电流，避免热击穿。正确答案:【限流电阻#%_YZPRLFH_%#降压电阻#%
19、_YZPRLFH_%#电阻】2.1.1 随堂测验1、问题：晶体管分为三个掺杂区，发射区的特点是掺杂浓度，基区的特点是区域很薄，掺杂浓度，集电区的特点是掺杂浓度较低，但面积大。选项：A、高；低B、高；高C、低；低D、低；高正确答案:【高；低】2、问题：在晶体管的图形符号中，NPN 管发射电流方向是的，PNP管的发射电流方向是的。选项：A、流入；流出B、流入；流入C、流出；流出D、流出；流入正确答案:【流出；流入】 3、问题：晶体管的图形符号中，箭头指示了发射极位置及发射结正偏时发射极电流的方向选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】2.1.2 随堂测验1、问题：晶体管具有电流大作用的外部条件是，
20、发射结，集电结 。选项：A、正偏；反偏B、正偏；正偏C、反偏；反偏D、反偏；正偏正确答案:【正偏；反偏】2、问题：晶体管截止的条件是，发射结，集电结。选项：A、正偏；正偏B、正偏；反偏C、0 偏或反偏；正偏D、零偏或反偏；反偏正确答案:【零偏或反偏；反偏】3、问题：晶体管工作于饱和状态时，集、射之间相当于开路。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】2.1.3 随堂测验1、问题：对于硅三极管，死区电压约为，对于锗三极管，死区电压约为。选项：A、0.1V；0.5VB、0.5V；0.1VC、0.7V；0.5VD、0.5V；0.2V正确答案:【0.5V；0.1V】 2、问题：硅三极管的导通电压通常取
21、为。选项：A、0.7VB、0.5VC、0.2VD、0.1V正确答案:【0.7V】3、问题：温度升高时，晶体管的导通电压，电流放大系数。选项：A、增大；减小B、增大；增大C、减小；减小D、减小；增大正确答案:【减小；增大】2.1.4 随堂测验1、问题：穿透电流随温度的上升而，这时晶体管的温度稳定性。选项：A、增加；变好B、增加；变差C、减小；变差D、减小；变好正确答案:【增加；变差】2、问题：集电极的功耗如果超过了最大允许功率损耗，则晶体管的性能将变坏，甚至过热烧坏。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】3、问题：当晶体管工作于放大状态时，直流放大系数与交流放大系数基本相等。选项：A、正确B、
22、错误正确答案:【正确】2.2.1 随堂测验 1、问题：晶体管直流电路的分析方法主要有 。选项：A、工程近似分析法B、图解分析法C、仿真分析法D、工程近似分析法、图解分析法和仿真分析法正确答案:【工程近似分析法、图解分析法和仿真分析法】2、问题：在工程近似法中，对于硅二极管，其导通电压可用 0.2V 表示。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】3、问题：晶体管输出端外电路的伏安特性方程，也称为晶体管的输出电路的直流负载方程。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】4、问题：晶体管的静态工作点 Q 非常重要，只有当 Q 点处于放大区时，管子才具有放大能力。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】
23、2.2.2 随堂测验1、问题：晶体管发射结正偏导通时，工作状态有 和 两种可能。选项：A、放大；截止B、放大；饱和C、截止；饱和D、放大；击穿正确答案:【放大；饱和】2、问题：NPN 型硅晶体管工作于饱和状态时，集射之间的电压近似等于 。选项：A、0.5VB、0.7V C、0.2VD、0.3V正确答案:【0.3V】3、问题：晶体管做为开关电路使用时，是工作在放大状态。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】2.2.3 随堂测验1、问题：当输入为 时，可利用 H 参数小信号模型对放大电路进行交流分析。选项：A、正弦小信号B、低频大信号C、低频小信号D、高频小信号正确答案:【低频小信号】2、问题：
24、图解分析法的缺点是分析问题的过程比较复杂，对小信号而言，作图的精度低。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】3、问题：在工程分析中，通常先用工程近似法进行静态分析，再用小信号模型分析法进行动态分析。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】2.3.1 随堂测验1、问题：当栅源电压为 0 时， 管不可能工作在恒流区。选项：A、JFETB、EMOSC、DMOS D、NMOS正确答案:【EMOS】2、问题：场效应管从结构上可分为两大类，即 和 。选项：A、MOS 场效应管；结型场效应管B、MOS 场效应管；耗尽型场效应管C、增强型 MOS 场效应管；耗尽型场效应管D、耗尽型 MOS 场效应管；结型场
25、效应管正确答案:【MOS 场效应管；结型场效应管】3、问题：EMOS 管存在导电沟道时，栅源电压必定大于零。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】2.3.2 随堂测验1、问题：对于 MOSFET，根据栅源电压为 0 时是否存在导电沟道，可分为 场效应管和 场效应管。选项：A、MOS；结型B、增强型；结型C、增加型；耗尽型D、耗尽型；结型正确答案:【增加型；耗尽型】2、问题：饱和漏极电流是增强型管的参数。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】3、问题：从对沟道的影响来讲，开启电压和夹断电压属于同一种参数。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】2.3.3 随堂测验 1、问题：低频跨导是指静态
26、工作点处漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】2、问题：跨导是一个与工作点无关的物理量。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】3、问题：场效应管的耗散功率大小受到管子最高工作温度的限制。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】2.3.4 随堂测验1、问题：JFET 外加的栅源电压应使栅源间的 PN 结 ，目的是使得输入电阻 。选项：A、正偏；很大B、正偏；很小C、反偏；很大D、反偏；很小正确答案:【反偏；很大】2、问题：静态工作点的分析可以采用小信号模型。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】3、问题：场效应管电路的分析方法与晶体管电路
27、的分析方法相类似，也是先静态分析，后动态分析。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】 第 2 章作业第 2 章单元测验1、问题：某 NPN 管电路中，测得 BE 之间的电压为 0V，BC 之间电压为-2V，则可知该晶体管工作于 状态。选项：A、放大B、饱和C、截止D、不能确定正确答案:【截止】2、问题：在下列场效应管中，无原始导电沟道的为 。选项：A、N 沟道 JFETB、耗尽型 PMOS 管C、耗尽型 NMOS 管D、增强型 PMOS 管正确答案:【增强型 PMOS 管】3、问题：输入 时，可用 H 参数小信号模型对放大电路进行交流分析。选项：A、低频大信号B、低频小信号C、高频大信号D、
28、高频小信号正确答案:【低频小信号】4、问题： 具有不同的低频小信号模型。选项：A、NPN 管和 PNP 管B、增加型 FET 和耗尽型 FETC、晶体管与场效应管D、N 沟道场效应管和 P 沟道场效应管正确答案:【晶体管与场效应管】5、问题：当 GS 之间的电压为 0 时， 管不可能工作在恒流区。选项：A、EMOS 管B、NMOS 管C、JFET D、DMOS 管正确答案:【EMOS 管】6、问题：工作在放大区的某三极管，如果当 IB 从 12uA 增大到 22uA 时，IC 从lmA 变为 2mA ，那么它的 约为 。选项：A、83B、91C、100D、50正确答案:【100】7、问题：晶体
29、管处于放大状态时，下列的正确说法是 。选项：A、发射结反偏，集电结也反偏。B、发射结反偏，集电结正偏。C、发射结正偏，集电结也正偏。D、发射结正偏，集电结反偏。正确答案:【发射结正偏，集电结反偏。】8、问题：晶体管处于饱和状态时，要求。选项：A、发射结反偏，集电结反偏。B、发射结反偏，集电结正偏。C、发射结正偏，集电结反偏。D、发射结正偏，集电结正偏。正确答案:【发射结正偏，集电结正偏。】9、问题：晶体管截止时，两个 PN 结的偏置关系是。选项：A、发射结反偏或零偏，集电结反偏。B、发射结反偏或零偏，集电结正偏。C、发射结正偏，集电结反偏。D、发射结正偏，集电结正偏。正确答案:【发射结反偏或零
30、偏，集电结反偏。】10、问题：对小功率 NPN 硅管处于放大区时，。选项：A、。B、。C、 D、0.3V正确答案:【。】11、问题：对增强型 MOS 管，只有在栅源电压绝对值大于后，才会形成导电沟道。选项：A、开启电压绝对值B、夹断电压绝对值C、导通电压绝对值D、死区电压正确答案:【开启电压绝对值】12、问题：利用晶体管的开关特性可构成开关电路，这时管子工作在。选项：A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、饱和或截止状态正确答案:【饱和或截止状态】13、问题：下列说法不正确的是。选项：A、双极型三极管通常简称为晶体管B、双极型三极管通常简称为三极管C、双极型三极管通常简称为 BJTD、双极型三
31、极管通常简称为 FET正确答案:【双极型三极管通常简称为 FET】14、问题：根据结构的不同，场效应管的类型通常分为 种。选项：A、3B、4C、5D、6正确答案:【6】15、问题：晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏导通，集电结反偏。选项：A、正确 B、错误正确答案:【正确】16、问题：晶体管处于截止区的条件是发射结反偏或零偏，集电结反偏。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】17、问题：晶体管输出特性通常分为三个区域，它们是可变电阻区，饱和区和截止区。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】18、问题：当温度升高时，晶体管的电流放大系数将变小。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误
32、】19、问题：当温度升高时，晶体管的反向饱和电流将减小。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】20、问题：场效应管是利用栅源电压改变导电沟道的宽窄来实现对漏极电流控制的。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】21、问题：场效应管属于电流型控制型器件。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】22、问题：晶体管主要作用是不失真地放大电压信号，为保证这一点，选择一个合适的静态工作点非常重要。 选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】23、问题：可以采用小信号模型进行静态工作点的分析。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】24、问题：场效应管的重要特性之一是具有很高的输入阻抗。选项：A、正确B、
33、错误正确答案:【正确】25、问题：EMOS 管存在导电沟道时，栅源电压必定大于零。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】26、问题：JFET 外加的栅源电压应使栅源间的 PN 结反偏。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】27、问题：场效应管用于放大电路时，应工作于饱和区。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】28、问题：场效应管主要工作原理是栅源电压对漏极电流的控制作用，但实际上漏极电流还受到漏源电压的影响。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】 29、问题：FET 工作时只有一种载流子参与导电，这就是电子。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】30、问题：FET 全夹断时，没有导
34、电沟道，但仍有电流通过。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】31、问题：当温度升高时，晶体管导通电压增加。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】32、问题：场效应管的放大区也就是饱和区。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】33、问题：晶体管要求有合适的静态工作点，目的是使管子在信号变化范围内近似线性工作。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】34、问题：在分析晶体管放大电路时，通常先估算静态工作点和 rbe，然后用小信号等效电路法进行交流分析。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】35、问题：晶体管画交流通路的关键之一是将电容断路。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】 36、
35、问题：晶体管画直流通路的关键是：(1)将大电容视为短路；(2)直流电压源视为短路。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】37、问题：开启电压是是耗尽型场效应管夹断导电沟道所需的栅源电压。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】38、问题：开启电压是增强型场效应管产生导电沟道所需的栅源电压。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】39、问题：低频跨导是指静态工作点处漏极电流的微变量与引起这个变化的栅源电压微变量之比。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】40、问题：集电极功耗若超过集电极最大允许功耗，管子性能将变坏，甚至过热烧坏。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】41、问题：集电极电流
36、若超过最大允许电流，电流放大系数将明显下降，但不一定损坏管子，但若电流过大，则会烧坏管子。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】42、问题：晶体管的小信号模型也称为 H 参数简化小信号模型、小信号等效电路或微变等效电路。选项： A、正确B、错误正确答案:【正确】3.1 随堂测验1、问题：某放大电路，负载开路时输出电压为 3V，接入 2k 负载时输出电压为2V，则输出电阻为（）k。选项：A、0.5B、1C、2D、4正确答案:【1】2、问题：某放大电路，信号源内阻为 150，信号源电压为 20，输入电压为16，则输入电阻为（）。选项：A、600B、0.6C、150D、120正确答案:【600】3
37、、问题：变压器可以将电压变大，它也是一种放大电路。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】4、问题：频率失真是由线性的电抗元件引起的，它不会产生新的频率分量，属于线性失真。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】5、填空题：已知放大电路的A u100，则电压增益为dB。正确答案:【40】3.2（1）随堂测验 1、问题：电容耦合分压式电流负反馈共射极放大电路中，欲减小 UCEQ，可以（）。选项：A、减小 RCB、减小 RLC、减小 RB1D、减小 正确答案:【减小 RB1】2、问题：分压式电流负反馈共射极放大电路中，要提高工作点的稳定性，可以（）。选项：A、增大 RCB、增大 REC、减小 RE
38、D、增大 正确答案:【增大 RE】3、填空题：放大电路的静态工作点根据通路进行估算。正确答案:【直流】3.2（2）随堂测验1、问题：电容耦合分压式电流负反馈共射极放大电路中，欲提高电压放大倍数，可以（）。选项：A、减小 RB、减小 RC、增大 RD、增大 R正确答案:【增大 R】2、问题：共射极放大电路的性能特点是（ ）。选项：A、反相放大B、电压放大倍数接近 1C、输入电阻很大D、有很强的负载驱动能力正确答案:【反相放大】3、问题：分压式电流负反馈共射极放大电路中，输出电阻 RRR。选项： A、正确B、错误正确答案:【错误】3.2（3）随堂测验1、问题：为使高内阻的信号源与低阻负载能很好配合
39、，可以在信号源与负载之间接入（）放大电路。选项：A、共射极B、共集电极C、共基极D、以上都可以正确答案:【共集电极】2、问题：共集电极放大电路的性能特点有（ ）。选项：A、同相放大，电压放大倍数高B、电压放大倍数接近于 1C、输入电阻很大D、带负载能力强正确答案:【电压放大倍数接近于 1#输入电阻很大#带负载能力强】3、问题：共基极放大电路的性能特点有（ ）。选项：A、同相放大B、高频特性好C、输入电阻很小D、源电压放大倍数不高正确答案:【同相放大#高频特性好#输入电阻很小#源电压放大倍数不高】4、问题：共集电极放大电路又称为射极跟随器选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】3.2（4）随堂测
40、验1、问题：共源极场效应管放大电路的性能特点有（）。选项：A、反相放大 B、输入电阻很大C、输出电阻很小D、放大倍数不很高正确答案:【反相放大#输入电阻很大#放大倍数不很高】2、问题：场效应管放大电路的偏置电路都可以采用自给偏压电路。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】3、问题：共漏极场效应管放大电路的电压放大倍数小于 1。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】3.3（1）随堂测验1、问题：选用差分放大电路的主要原因是（）。选项：A、减小零漂B、提高输入电阻C、稳定放大倍数D、减小失真正确答案:【减小零漂】2、问题：差分放大电路中 RE 电阻的作用是（）。选项：A、稳定工作点B、提高差模输入电阻C、稳定差模放大倍数D、抑制零漂正确答案:【稳定工作点#抑制零漂】3、填空题：差分放大电路对信号具有放大作用，对信号具有很强的抑制作用。差分放大电路的零漂很。（答案之间用逗号隔开）正确答案:【差模，共模，小】4、填空题：某差分放大电路的两个输入端电压分别为 u i14
