1、士兰微电子 SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.6 http: / 共 11 页 第 1 页 20A, 600V 超结 MOS功率管 描述 SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2 N 沟道增强型高压功率MOSFET 采用士兰微电子超结 MOS 技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。 此外，SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2 应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。 特点 20A，600V，RDS(on)(典型值)=0.
2、16VGS=10V 创新高压技术 低栅极电荷 定期额定雪崩 较强 dv/dt 能力 高电流峰值 1231231231.栅极 2.漏极 3.源极231TO-262-3L123TO-263-2L13TO-220-3L123TO-247-3LTO-220FJ-3LTO-3PTO-220F-3L312 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装方式 SVS20N60FJD2 TO-220FJ-3L 20N60FJD2 无卤 料管 SVS20N60KD2 TO-262-3L 20N60KD2 无卤 料管 SVS20N60TD2 TO-220-3L 20N60TD2 无卤 料管 SVS20
3、N60PND2 TO-3P 20N60PND2 无铅 料管 SVS20N60SD2 TO-263-2L 20N60SD2 无卤 料管 SVS20N60SD2TR TO-263-2L 20N60SD2 无卤 编带 SVS20N60P7D2 TO-247-3L 20N60P7D2 无卤 料管 SVS20N60FD2 TO-220F-3L 20N60FD2 无卤 料管 士兰微电子 SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.6 http: / 共 11 页 第 2 页 极限参数(除非特殊说明，TA=25C) 参数 符号 参数值 单位
4、 SVS20N60 FJD2/FD2 SVS20N60 KD2/TD2/SD2 SVS20N60 PN/P7D2 漏源电压 VDS 600 V 栅源电压 VGS 30 V 漏极电流 TC=25 C ID 20 A TC=100 C 12 漏极脉冲电流 IDM 80 A 耗散功率(TC=25C) -大于25C每摄氏度减少 PD 45 150 200 W 0.36 1.0 1.6 W/C 单脉冲雪崩能量（注1） EAS 967 mJ 体二极管（注 2） dv/dt 15 V/ns MOS 管 dv/dt 耐用性（注 3） dv/dt 50 V/ns 工作结温范围 TJ -55+150 C 贮存温度
5、范围 Tstg -55+150 C 热阻特性 参数 符号 参数值 单位 SVS20N60 FJD2/FD2 SVS20N60 KD2/TD2/SD2 SVS20N60 PN/P7D2 芯片对管壳热阻 RJC 2.78 0.83 0.63 C/W 芯片对环境的热阻 RJA 62.5 62.5 50 C/W 士兰微电子 SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.6 http: / 共 11 页 第 3 页 电气参数(除非特殊说明，Tj=25C) 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 BVDSS VGS
6、=0V，ID=250A 600 - - V 漏源漏电流 IDSS VDS=600V，VGS=0V - - 1.0 A 栅源漏电流 IGSS VGS= 30V，VDS=0V - - 100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS=VDS，ID=250A 2.0 - 4.0 V 静态漏源导通电阻 RDS(on) VGS=10V， ID=10A Tj=25C - 0.16 0.19 Tj=125C - 0.30 - 栅极电阻 Rg f=1.0MHz - 2.6 - 输入电容 Ciss VDS=100V，VGS=0V， f=1.0MHz - 1174 - pF 输出电容 Coss - 67 - 反
7、向传输电容 Crss - 4.0 - 开启延迟时间 td(on) VDD=300V，VGS=10V， RG=25，ID=20A (注 4,5) - 20 - ns 开启上升时间 tr - 60 - 关断延迟时间 td(off) - 105 - 关断下降时间 tf - 42 - 栅极电荷量 Qg VDD=480V， VGS=10V， ID=20A (注 4,5) - 39 - nC 栅极-源极电荷量 Qgs - 9.6 - 栅极-漏极电荷量 Qgd - 20 - 源-漏二极管特性参数 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 连续源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏 P-N
8、 结 - - 20 A 源极脉冲电流 ISM - - 80 二极管压降 VSD IS=20A，VGS=0V - - 1.2 V 反向恢复时间 Trr VDD=50V，IF=20A， dIF/dt=100A/s (注 4) - 426 - ns 反向恢复电荷 Qrr - 6.2 - C 注：注： 1. L=79mH，IAS=4.6A，VDD=100V，RG=25，开始温度TJ=25C; 2. VDS=0400V，ISD=20A， TJ=25C; 3. VDS=0480V; 4. 脉冲测试：脉冲宽度300s，占空比2%； 5. 基本上不受工作温度的影响。 士兰微电子 SVS20N60FJ(K)(T
9、)(PN)(S)(P7)(F)D2说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.6 http: / 共 11 页 第 4 页 典型特性曲线 图 1. 输出特性漏极电流 ID(A)051020漏源电压 VDS(V)注：1.250S 脉冲测试2.TC=25 C1552025305010150354045VGS=5.5VVGS=6VVGS=7VVGS=8VVGS=10VVGS=15V 图 2. 传输特性漏极电流 ID(A)01046栅源电压 VGS(V)注：1.250S脉冲测试2.VDS=50V-55 C25 C150 C0.111001082漏源导通电阻 RDS(on)(m)漏极电流 ID(A)
10、图3. 导通电阻vs.漏极电流12022002026010180140200515注：TJ=25 CVGS=10V1602400.20.40.60.81.41.2反向漏极电流 IDR(A)源漏电压 VSD(V)图4. 体二极管正向压降vs. 源极电流、温度-55 C25 C150 C0.11100101.0注：1.250S脉冲测试2.VGS=0V图5. 电容特性漏源电压 VDS(V)电容(pF)020601001100001010001004080CissCossCrssCiss=Cgs+Cgd(Cds=shorted)Coss=Cds+CgdCrss=Cgd注：1. VGS=0V2. f=1
11、MHz图6. 电荷量特性总栅极电荷 Qg(nC)栅源电压 VGS(V)0051040VDS=480VVDS=300VVDS=120V2468101230202515注：ID=20A35 士兰微电子 SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.6 http: / 共 11 页 第 5 页 典型特性曲线（续） 0.80.91.11.0-100-50050100200漏源击穿电压 BVDSS（标准化）结温 TJ( C)图7. 击穿电压vs.温度特性1.2150注：1. VGS=0V2. ID=250A漏源导通电阻 RDS(ON)（标
12、准化）图8. 导通电阻vs.温度特性结温 TJ( C)0.01.02.0-100-500501002003.01501.5注：1. VGS=10V2. ID=10.0A0.52.510-210-1100101100101102103103漏极电流 - ID(A)图9-1. 最大安全工作区域(SVS20N60FJD2/FD2)漏源电压 - VDS(V)DC10ms1ms100s此区域工作受限于RDS(ON)102注：TC=25 C10-210-1100101100101102103103漏极电流 - ID(A)图9-2. 最大安全工作区域(SVS20N60KD2/TD2/SD2)漏源电压 - V
13、DS(V)DC10ms1ms100s此区域工作受限于RDS(ON)102注：TC=25 C10-210-1100101100101102103103漏极电流 - ID(A)图9-3. 最大安全工作区域(SVS20N60PN/P7D2)漏源电压 - VDS(V)此区域工作受限于RDS(ON)注：TC=25 C10210ms1ms100sDC 士兰微电子 SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.6 http: / 共 11 页 第 6 页 典型测试电路 与待测器件参数一致待测器件VGSIgVDSVGS10VChargeQgQg
14、sQgd 栅极电荷量测试电路及波形图开关时间测试电路及波形图VDSVGSRGRLVDDVGSVDSVGS10%90%td(on)tontrtd(off)tofftfEAS测试电路及波形图VDSRGVDDVGSLtpIDBVDSSIASVDDtpTimeVDS(t)ID(t)EAS =12LIAS2BVDSSBVDSSVDD待测器件待测器件Vgs(th)Qg(th) 士兰微电子 SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.6 http: / 共 11 页 第 7 页 封装外形图 TO-220FJ-3L 单位：毫米 AA1bcDE
15、L1LD1H1b2eA3QPD2 2.804.424.702.302.545.023.102.502.760.850.551.290.650.350.5016.2515.2515.8714.9713.9714.4711.5810.5811.0810.369.7310.162.54BSC7.006.406.6813.4812.4812.982.003.403.003.183.553.053.300.70MAXSYMBOLMINNOMMILLIMETERAA1bcDEL1LD1H1b2eA3QPD2 TO-262-3L 单位：毫米 A1c2AcDeLebEL2b2L1 AA1bb2cDEeL1LL
16、24.304.504.702.202.920.710.901.201.500.340.658.389.309.8010.1610.542.54 BSCc21.221.301.3512.8014.101.121.420.800.75MAXSYMBOLMINNOMMILLIMETER 士兰微电子 SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.6 http: / 共 11 页 第 8 页 封装外形图（续） TO-220-3L 单位：毫米 AA1bcDEL1LD1H1b1eA2QP 4.304.701.001.501.802.800.6
17、01.001.001.6015.1016.1015.708.1010.009.209.609.9010.402.54BSC2.603.206.107.004.500.300.7012.6013.0813.601.306.500.803.403.953.703.902.40MAXSYMBOLMINNOMMILLIMETERAA1bcDEL1LD1H1b1eA2QP TO-3P 单位：毫米 F2DL2L1Lb2b1eA1cc1AbP 4.45.21.21.81.22.00.71.32.73.315.016.00.40.88.510.01.72.35.45 TYP1.02.039.041.5c1b3
18、.015.50.6L122.623.6A1b1b2DcF2eL19.521.0L2_MAXNOMMINMILLIMETERSYMBOLA_P3.03.4_ 士兰微电子 SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.6 http: / 共 11 页 第 9 页 封装外形图（续） TO-263-2L 单位：毫米 A1c2HLAcEL1Db1bL2ee AA1bcDEL1LL24.304.574.720.710.810.910.300.608.509.359.8010.452.002.302.741.751.121.271.42H14
19、.7015.75c21.171.271.37e2.54BSC00.100.25MAXSYMBOLMINNOMMILLIMETER_ TO-247-3L 单位：毫米 AA2A1Cb2DEE2eLL1Qbb4P 15.5016.104.405.2020.8021.3019.7220.225.80AA1A2bb2cDEE2eLL1Q4.805.005.202.212.412.591.852.002.151.111.363.252.910.510.7521.0015.805.005.44 BSC19.924.305.606.001.912.25b4MAXSYMBOLMINNOMMILLIMETER_P
20、3.403.80 士兰微电子 SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.6 http: / 共 11 页 第 10 页 封装外形图（续） TO-220F-3L 单位：毫米 AA1bcDEL1LD1H1b2eA3QPD2 2.804.424.702.302.545.023.102.502.760.900.700.801.470.650.350.5016.2515.2515.8716.3015.3015.7510.309.309.8010.369.7310.162.54BSC7.006.406.6813.4812.4812.98
21、3.503.403.003.183.553.053.30MAXSYMBOLMINNOMMILLIMETERAA1bcDEL1LD1H1b2eA3QPD2 重要注意事项重要注意事项： 1. 士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。 2. 客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否最新和完整。产品应用前请仔细阅读说明书，包客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否最新和完整。产品应用前请仔细阅读说明书，包括其中的电路操作注意事项。括其中的电路操作注意事项。 3. 我司产品属于消费类电子产品或其他民用类电子产品。我司产品属于消费类电子产品或
22、其他民用类电子产品。 4. 在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。任何半导体产品特定条件下都有在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵守安全标准并系统设计、试样和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。 5. 购买产品时请认清我司商标，如有疑问请与本
23、公司联系。购买产品时请认清我司商标，如有疑问请与本公司联系。 6. 产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！ 7. 我司网站我司网站 http: / 士兰微电子 SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.6 http: / 共 11 页 第 11 页 产品名称： SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2 文档类型： 说明书 版 权： 杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页： http: / 版 本： 1.6 修改记录： 1. 添加 TO
24、-220F-3L 封装 2. 更新说明书模板(封装外形图和声明) 版 本： 1.5 修改记录： 1. 修改电气图和典型电路图 2. 更新 TO-247-3L 外形尺寸图 3. 更新 TO-3P 外形尺寸图 版 本： 1.4 修改记录： 1. 增加 DV/DT 参数 版 本： 1.3 修改记录： 1. 修改参数和更新全部曲线 2. 将 TO-247 合并在此份 版 本： 1.2 修改记录： 1. 增加 TO-263-2L 封装 版 本： 1.1 修改记录： 1. 修改电容、开关时间、Q 值及电容曲线、Q 值曲线 2. 更新 TO-262-3L 封装外形图 版 本： 1.0 修改记录： 1. 正式版本发布
