1、1第一章第一章 半导体半导体器件器件 1.1 半导体的基本知识半导体的基本知识 1.2 PN结及半导体二极管结及半导体二极管 1.3 半导体三极管半导体三极管 (BJT)21.1 半导体的基本知识半导体的基本知识半导体材料半导体材料半导体材料半导体材料 根据物体导电能力根据物体导电能力根据物体导电能力根据物体导电能力(电阻率电阻率电阻率电阻率)的不同来划分导体、绝缘的不同来划分导体、绝缘的不同来划分导体、绝缘的不同来划分导体、绝缘体和半导体。典型的半导体有体和半导体。典型的半导体有体和半导体。典型的半导体有体和半导体。典型的半导体有硅硅硅硅SiSiSiSi和和和和锗锗锗锗GeGeGeGe以及以
2、及以及以及砷化镓砷化镓砷化镓砷化镓GaAsGaAsGaAsGaAs等。等。等。等。1.1.1 1.1.1 本征半导体本征半导体本征半导体本征半导体现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个们的最外层电子（价电子）都是四个们的最外层电子（价电子）都是四个们的最外层电子（价电子）都是四个。完全纯净的、完全纯净的、完全纯净的、完全纯净的、结构完整的半导体晶体结构完整的半导体晶体结构完整的半导体晶体结构完整的半导体晶体，称为，称为，称为，称为本征
3、半导体。本征半导体。本征半导体。本征半导体。GeSi31.1 半导体的基本知识半导体的基本知识半导体的共价键结构特点半导体的共价键结构特点半导体的共价键结构特点半导体的共价键结构特点1.1.1 1.1.1 本征半导体本征半导体本征半导体本征半导体电子空穴对电子空穴对电子空穴对电子空穴对由热激发而产生的自由电子和空穴对。由热激发而产生的自由电子和空穴对。由热激发而产生的自由电子和空穴对。由热激发而产生的自由电子和空穴对。两种载流子两种载流子两种载流子两种载流子41.1.1 1.1.1 本征半导体本征半导体本征半导体本征半导体重要概念重要概念重要概念重要概念两种载流子两种载流子两种载流子两种载流子
4、带负电的带负电的带负电的带负电的自由电子和带正电的空穴自由电子和带正电的空穴自由电子和带正电的空穴自由电子和带正电的空穴.空穴空穴空穴空穴共价键中的空位共价键中的空位共价键中的空位共价键中的空位。电子空穴对电子空穴对电子空穴对电子空穴对由热激发由热激发由热激发由热激发而产生的自由电子和空穴对而产生的自由电子和空穴对而产生的自由电子和空穴对而产生的自由电子和空穴对。载流子浓度载流子浓度载流子浓度载流子浓度与温度和光照有关与温度和光照有关与温度和光照有关与温度和光照有关。n ni i:本征半导体电子浓度本征半导体电子浓度本征半导体电子浓度本征半导体电子浓度;p pi i:本征半导体空穴浓度本征半导
5、体空穴浓度本征半导体空穴浓度本征半导体空穴浓度 n ni i=p pi i1.1 半导体的基本知识半导体的基本知识5 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为三价或五价
6、元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半杂质半杂质半杂质半导体导体导体导体。N N型半导体型半导体型半导体型半导体掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。P P型半导体型半导体型半导体型半导体掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。1.1.2 1.1.2 杂质半导体杂质半导体杂质半导体杂质半导体1.1 半导体的基本知识半导体的基本知识6（1 1）N N型半导体型半导体型半导体型半导体 (掺入掺入掺入掺入五价杂
7、质原子五价杂质原子五价杂质原子五价杂质原子)在在在在N N型半导体中型半导体中型半导体中型半导体中自由自由自由自由电子是多数载流子，电子是多数载流子，电子是多数载流子，电子是多数载流子，它主要由它主要由它主要由它主要由杂质原子提供杂质原子提供杂质原子提供杂质原子提供；空穴是少数载流子空穴是少数载流子空穴是少数载流子空穴是少数载流子,由热激发形成。由热激发形成。由热激发形成。由热激发形成。由于五价杂质原子由于五价杂质原子由于五价杂质原子由于五价杂质原子可提供自由电子，因此可提供自由电子，因此可提供自由电子，因此可提供自由电子，因此也称为也称为也称为也称为施主杂质施主杂质施主杂质施主杂质。电子空穴
8、对电子空穴对电子空穴对电子空穴对由由由由热激发而产生的自由电热激发而产生的自由电热激发而产生的自由电热激发而产生的自由电子和空穴对子和空穴对子和空穴对子和空穴对。7（2 2）P P型半导体型半导体型半导体型半导体 (三价杂质原子三价杂质原子三价杂质原子三价杂质原子)在在在在P P型半导体中型半导体中型半导体中型半导体中空穴是多数载流子，空穴是多数载流子，空穴是多数载流子，空穴是多数载流子，它主要由杂质原它主要由杂质原它主要由杂质原它主要由杂质原子提供子提供子提供子提供；电子是少数载流子电子是少数载流子电子是少数载流子电子是少数载流子,由热激发形成。由热激发形成。由热激发形成。由热激发形成。三价
9、杂质原子可提供三价杂质原子可提供三价杂质原子可提供三价杂质原子可提供空穴空穴空穴空穴可可可可接受自由电子，空穴很容易俘接受自由电子，空穴很容易俘接受自由电子，空穴很容易俘接受自由电子，空穴很容易俘获电子因此也称为获电子因此也称为获电子因此也称为获电子因此也称为授主杂质授主杂质授主杂质授主杂质。电子空穴对电子空穴对电子空穴对电子空穴对由热激发而由热激发而由热激发而由热激发而产生的自由电子和空穴对产生的自由电子和空穴对产生的自由电子和空穴对产生的自由电子和空穴对。空穴的运动空穴的运动空穴的运动空穴的运动8 PN PN结的形成结的形成结的形成结的形成 PNPN结的单向导电性结的单向导电性结的单向导电
10、性结的单向导电性 (理解理解理解理解)PNPN结的反向击穿结的反向击穿结的反向击穿结的反向击穿1.2 PN结及结及半导体二极管半导体二极管9PNPN结的形成结的形成结的形成结的形成扩散电流扩散电流扩散电流扩散电流:自由电子与自由电子与自由电子与自由电子与空穴的浓度差产生的空穴的浓度差产生的空穴的浓度差产生的空穴的浓度差产生的多数载流子运动形成多数载流子运动形成多数载流子运动形成多数载流子运动形成扩散电流扩散电流扩散电流扩散电流.漂移电流漂移电流漂移电流漂移电流:电场作用下电场作用下电场作用下电场作用下产生的少数载流子运产生的少数载流子运产生的少数载流子运产生的少数载流子运动形成动形成动形成动形
11、成漂移电流漂移电流漂移电流漂移电流.扩散运动扩散运动扩散运动扩散运动漂移运动漂移运动漂移运动漂移运动 N N型半导体型半导体型半导体型半导体 (施主杂质施主杂质施主杂质施主杂质)P P型半导体型半导体型半导体型半导体 (受主杂质受主杂质受主杂质受主杂质)1.2.1 PN结的形成结的形成10 因浓度差因浓度差 空间电荷区形成内电场空间电荷区形成内电场 促使少子漂移促使少子漂移 阻止多子扩散阻止多子扩散 最后最后,多子的多子的扩散扩散和少子的和少子的漂移漂移达到达到动态平衡动态平衡。对于对于P型半导体和型半导体和N型半导体结合面，带电型半导体结合面，带电离子薄层形成的离子薄层形成的空间电荷区空间电
12、荷区称为称为PN结结。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗耗尽层尽层。多子的扩散运动多子的扩散运动由由杂质离子形成空间电荷区杂质离子形成空间电荷区 11 当外加电压使当外加电压使当外加电压使当外加电压使PNPN结中结中结中结中P P区的电位高于区的电位高于区的电位高于区的电位高于N N区的电位，称区的电位，称区的电位，称区的电位，称为加为加为加为加正向电压正向电压正向电压正向电压，简称，简称，简称，简称正偏正偏正偏正偏；反之；反之；反之；反之称为加称为加称为加称为加反向电压反向电压反向电压反向电压，简称简称简称简称反偏反偏反偏反偏。(1)PN(1)PN结加
13、正向电压时结加正向电压时结加正向电压时结加正向电压时PNPN结的伏安特性结的伏安特性结的伏安特性结的伏安特性iD+-vD01.2.2 PN结的单向导电性结的单向导电性12 当外加电压使当外加电压使当外加电压使当外加电压使PNPN结中结中结中结中P P区的电位高于区的电位高于区的电位高于区的电位高于N N区的电位，称为区的电位，称为区的电位，称为区的电位，称为加加加加正向电压正向电压正向电压正向电压，简称，简称，简称，简称正偏正偏正偏正偏；反之；反之；反之；反之称为加称为加称为加称为加反向电压反向电压反向电压反向电压，简称简称简称简称反偏反偏反偏反偏。反偏反偏反偏反偏:截止截止截止截止(断开断开
14、断开断开)状态状态状态状态PNPN结的伏安特性结的伏安特性结的伏安特性结的伏安特性反向电压增强了内电场漂移扩散少子反向电压增强了内电场漂移扩散少子反向电压增强了内电场漂移扩散少子反向电压增强了内电场漂移扩散少子导电，因少子有限有很小的反向饱和电导电，因少子有限有很小的反向饱和电导电，因少子有限有很小的反向饱和电导电，因少子有限有很小的反向饱和电流流流流I Is s00 (2)PN(2)PN结加反向电压时结加反向电压时结加反向电压时结加反向电压时iD+-vD013热击穿热击穿热击穿热击穿不可逆不可逆不可逆不可逆 雪崩击穿雪崩击穿雪崩击穿雪崩击穿 齐纳击穿齐纳击穿齐纳击穿齐纳击穿 电击穿电击穿电击
15、穿电击穿可逆可逆可逆可逆 当当当当PNPN结的反向电压增加到结的反向电压增加到结的反向电压增加到结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快一定数值时，反向电流突然快一定数值时，反向电流突然快一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为速增加，此现象称为速增加，此现象称为速增加，此现象称为PNPN结的结的结的结的反反反反向击穿。向击穿。向击穿。向击穿。一般二极管工作在正向导通区或反向截止区一般二极管工作在正向导通区或反向截止区一般二极管工作在正向导通区或反向截止区一般二极管工作在正向导通区或反向截止区,但但但但稳压二极管工作在反向击穿区或正向导通区。稳压二极管工作在反向击穿区或正向导通区。稳压
16、二极管工作在反向击穿区或正向导通区。稳压二极管工作在反向击穿区或正向导通区。（3 3）PNPN结的反向击穿结的反向击穿结的反向击穿结的反向击穿141.1.势垒电容势垒电容势垒电容势垒电容C CT T 不能移动的正负杂质离子形成的不能移动的正负杂质离子形成的不能移动的正负杂质离子形成的不能移动的正负杂质离子形成的2.2.扩散电容扩散电容扩散电容扩散电容C CD D 正向电压时多数载流子在扩散过程中的电荷积累而产正向电压时多数载流子在扩散过程中的电荷积累而产正向电压时多数载流子在扩散过程中的电荷积累而产正向电压时多数载流子在扩散过程中的电荷积累而产生的生的生的生的3.PN3.PN结的电容结的电容结
17、的电容结的电容 C Cj j=C=CT T+C+CD D 正偏正偏正偏正偏:扩散电容起主要作用扩散电容起主要作用扩散电容起主要作用扩散电容起主要作用 反偏反偏反偏反偏 :势垒电容起主要作用势垒电容起主要作用势垒电容起主要作用势垒电容起主要作用 C Cj j C CD D C Cj jCCT T*1.2.3 PN结的电容效应结的电容效应15 半导体二极管的结构半导体二极管的结构半导体二极管的结构半导体二极管的结构 二极管的伏安特性二极管的伏安特性二极管的伏安特性二极管的伏安特性 二极管的参数二极管的参数二极管的参数二极管的参数 二极管基本电路及其分析方法二极管基本电路及其分析方法二极管基本电路及
18、其分析方法二极管基本电路及其分析方法1.2.4 半导体二极管半导体二极管16l半导体二极管图片半导体二极管图片半导体二极管图片半导体二极管图片17 在在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极结上加上引线和封装，就成为一个二极管。管。二极管按结构分有二极管按结构分有点接触型和平面型点接触型和平面型两大类。两大类。l点接触型二极管点接触型二极管点接触型二极管点接触型二极管(1)(1)(1)(1)半导体二极管的结构半导体二极管的结构半导体二极管的结构半导体二极管的结构与符号与符号与符号与符号 PN PN结面积小，结电结面积小，结电结面积小，结电结面积小，结电容小，用于检波和变频等容小，用于检波和变频
19、等容小，用于检波和变频等容小，用于检波和变频等高频电路。高频电路。高频电路。高频电路。18l平面型二极管平面型二极管平面型二极管平面型二极管l二极管的代表符号二极管的代表符号二极管的代表符号二极管的代表符号 PN结面积较小时，结面积较小时，用于高频小电流电路用于高频小电流电路和脉冲数字电路。和脉冲数字电路。PN结面积大，用结面积大，用于低频大电流整流电于低频大电流整流电路。路。19 PN结结V-I 特性表达式特性表达式其中其中IS 反向饱和电流反向饱和电流VT 温度的电压当量温度的电压当量且在常温下（且在常温下（T=300K）死区电压死区电压硅硅:0.5V锗锗:0.1V正向电压正向电压:反向电
20、压反向电压:(2)(2)(2)(2)二极管的伏安特性二极管的伏安特性二极管的伏安特性二极管的伏安特性20二极管的伏安特性二极管的伏安特性二极管的伏安特性二极管的伏安特性(实例实例实例实例)硅二极管硅二极管硅二极管硅二极管2CP102CP102CP102CP10的的的的V V V V-I I I I 特性特性特性特性锗二极管锗二极管锗二极管锗二极管2AP152AP152AP152AP15的的的的V V V V-I I I I 特性特性特性特性正向特性正向特性反向特性反向特性反向击穿特性反向击穿特性211)1)最大整流电流最大整流电流最大整流电流最大整流电流I IF F2)2)最大最大最大最大反向
21、击穿电压反向击穿电压反向击穿电压反向击穿电压V VBRBR(在几十伏以上在几十伏以上在几十伏以上在几十伏以上)最高允许反向工作电压最高允许反向工作电压最高允许反向工作电压最高允许反向工作电压V VRMRM3)3)反向电流反向电流反向电流反向电流I I I IR R R R4)4)最高工作频率最高工作频率最高工作频率最高工作频率f fF F6)6)直流电阻直流电阻直流电阻直流电阻R RD DU URMRM0.50.5 U U（BRBR）5)5)最大最大最大最大正向压降正向压降正向压降正向压降V VF F7)7)交流电阻交流电阻交流电阻交流电阻r rd d（3 3 3 3）二极管）二极管）二极管）
22、二极管的参数的参数的参数的参数22（3 3 3 3）二极管的参数）二极管的参数）二极管的参数）二极管的参数6)6)直流电阻直流电阻直流电阻直流电阻R RD D7)7)交流电阻交流电阻交流电阻交流电阻r rd dvdidVFIF0QvdidIDQ0Q常温下（常温下（常温下（常温下（T T=300K=300K）23l l理想模型理想模型理想模型理想模型l l恒压降模型恒压降模型恒压降模型恒压降模型(1)(1)(1)(1)二极管二极管二极管二极管V V V V-I I I I 特性的特性的特性的特性的等效模型等效模型等效模型等效模型1.2.5 半导体二极管的应用半导体二极管的应用24（2 2 2 2
23、）电路中习惯画法）电路中习惯画法）电路中习惯画法）电路中习惯画法25利用它的单向导电性，主要用于利用它的单向导电性，主要用于利用它的单向导电性，主要用于利用它的单向导电性，主要用于l l开关开关开关开关；l l限幅限幅限幅限幅：将输出电压的幅度限制在一定范围内；：将输出电压的幅度限制在一定范围内；：将输出电压的幅度限制在一定范围内；：将输出电压的幅度限制在一定范围内；l l元件保护以及在数字电路中作为开关元件等元件保护以及在数字电路中作为开关元件等元件保护以及在数字电路中作为开关元件等元件保护以及在数字电路中作为开关元件等;l l整流：整流：整流：整流：将交流变换为直流；将交流变换为直流；将交
24、流变换为直流；将交流变换为直流；l l箝位及隔离；箝位及隔离；箝位及隔离；箝位及隔离；l l检波：从高频载波中检出调制信号；检波：从高频载波中检出调制信号；检波：从高频载波中检出调制信号；检波：从高频载波中检出调制信号；（3 3 3 3）二极管）二极管）二极管）二极管的应用的应用的应用的应用26例例例例:电路如图所示，求电路如图所示，求电路如图所示，求电路如图所示，求AOAO的电压值的电压值的电压值的电压值.解：解：先判断二极管先判断二极管先判断二极管先判断二极管D D的工作状态。的工作状态。的工作状态。的工作状态。求求求求D D以外戴维南等效电路。以外戴维南等效电路。以外戴维南等效电路。以外
25、戴维南等效电路。二极管二极管二极管二极管D D两端以外电路等效化简如两端以外电路等效化简如两端以外电路等效化简如两端以外电路等效化简如图图图图(b)(b)所示。卡判断所示。卡判断所示。卡判断所示。卡判断D D导通。导通。导通。导通。导通后，导通后，导通后，导通后，D D的压降等于零，即的压降等于零，即的压降等于零，即的压降等于零，即A A点的电位就是点的电位就是点的电位就是点的电位就是D D阳极的电位。阳极的电位。阳极的电位。阳极的电位。所以，所以，所以，所以，AOAO的电压值为的电压值为的电压值为的电压值为-36V-36V。25vAD3k30vB截止，截止，截止，截止，V VABAB=-25
26、v=-25v（4 4 4 4）举例）举例）举例）举例27例：例：图中硅二极管管压降是图中硅二极管管压降是0.7V,求求ABAB两端的电压。两端的电压。V VD2D2=9-12=-3(V)=9-12=-3(V)V VD1D1=9(V)=9(V)D D1 1导通，导通，导通，导通，D D2 2截止，截止，截止，截止，V VABAB=-0.7V=-0.7V_9vA3k12vBVD1+_VD29vAD23k12vBD19vAD23k12vBD10.7V28 例例例例 限幅电路限幅电路限幅电路限幅电路 uiuottE=0限幅电平限幅电平限幅电平限幅电平E E 0EVm-VmE0 u0 ui i E D
27、E D正偏正偏正偏正偏 导通导通导通导通 u uo o=E Ev vd d=E-u=E-ui i0 E u0 E 0 u0 ui i E D E D正偏正偏正偏正偏 导通导通导通导通 u uo o=u ui iv vd d=E-u=E-ui i0 E u0 E U UBEBE38根据传输过程可知根据传输过程可知根据传输过程可知根据传输过程可知 I IC C=I InCnC+I ICBOCBO通常通常通常通常 I IC C I ICBOCBOI IE E=I IB B+I IC C则有则有则有则有（2 2）电流分配关系电流分配关系电流分配关系电流分配关系beciBIEICnICBOIEIBRbV
28、BBVCCIC各极电流分配情况各极电流分配情况各极电流分配情况各极电流分配情况很薄很薄NNebcRc39由前式可得由前式可得由前式可得由前式可得通常通常通常通常 I IC C I ICBOCBO40 i iB B=f f(v vBEBE)vCECE=常数常数常数常数l l当当当当v vCECE1V1V时，集电结已进入反偏，开始收集电子，基区复合时，集电结已进入反偏，开始收集电子，基区复合时，集电结已进入反偏，开始收集电子，基区复合时，集电结已进入反偏，开始收集电子，基区复合减少，同样的减少，同样的减少，同样的减少，同样的v vBEBE下下下下 I IB B减小，特性曲线右移。减小，特性曲线右移
29、。减小，特性曲线右移。减小，特性曲线右移。vCE 1Vl l当当当当v vCECE=0V=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。（1 1）输入特性曲线输入特性曲线输入特性曲线输入特性曲线1.3.4 三极管的三极管的特性曲线特性曲线vCE=0VU UBEBE0.7V(Si)0.7V(Si)；U UBEBE0.2V(Ge)0.2V(Ge)41i iC C=f f(v vCECE)i iB B=常数常数常数常数（2 2）输出特性曲线）输出特性曲线）输出特性曲线）输出特性曲线输出特性曲线的三个
30、区域输出特性曲线的三个区域:IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A放大区：放大区：放大区：放大区：发射结正偏，集电结反偏。曲线发射结正偏，集电结反偏。曲线发射结正偏，集电结反偏。曲线发射结正偏，集电结反偏。曲线平行等距，曲线的疏密反映了平行等距，曲线的疏密反映了平行等距，曲线的疏密反映了平行等距，曲线的疏密反映了 的大小。的大小。的大小。的大小。=I IC C/I IB B，I IC C受受受受I IB B控制。控制。控制。控制。截止区：截止区：截止区：截止区：发射结反偏，集电结反偏。发射结反偏，集电结反偏。发射结反偏，集电结反偏。发射结
31、反偏，集电结反偏。I IC C IIB B，I IC C=I ICEOCEO,v vBEBE小于死区电压。小于死区电压。小于死区电压。小于死区电压。饱和区：饱和区：饱和区：饱和区：v vCECE0.7V(0.7V(硅管硅管硅管硅管)，饱和区饱和区截止区截止区放大区放大区发射结正偏，集电结正偏或反偏发射结正偏，集电结正偏或反偏发射结正偏，集电结正偏或反偏发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。电压很小。电压很小。电压很小。I IC C IIB B,U UCECE 0.3V0.3V42l共基极交流电流放大系数共基极交流电流放大系数共基极交流电流放大系数共基极交流电流放大系数 =i iC C/i iE
32、 E1.3.5 三极管的主要参数三极管的主要参数(1)(1)电流放大系数电流放大系数电流放大系数电流放大系数 43(2)(2)级间反向电流级间反向电流级间反向电流级间反向电流 (I ICBOCBO,I ICEOCEO)(3)(3)极限参数极限参数极限参数极限参数 l l反向击穿电压反向击穿电压反向击穿电压反向击穿电压U U(BR)EBO(BR)EBO：集电极开路时，发射极：集电极开路时，发射极：集电极开路时，发射极：集电极开路时，发射极-基极间的反向击基极间的反向击基极间的反向击基极间的反向击穿电压穿电压穿电压穿电压,一般只有几伏。一般只有几伏。一般只有几伏。一般只有几伏。44U U(BR)C
33、BO(BR)CBO：发射极开路时，集电极发射极开路时，集电极发射极开路时，集电极发射极开路时，集电极-基极间的反向击穿电基极间的反向击穿电基极间的反向击穿电基极间的反向击穿电压压压压,一般几十伏一般几十伏一般几十伏一般几十伏,有的高达几千伏。有的高达几千伏。有的高达几千伏。有的高达几千伏。U U(BR)CEO(BR)CEO：基极开路时，集电极基极开路时，集电极基极开路时，集电极基极开路时，集电极-发射极间的反向击穿电发射极间的反向击穿电发射极间的反向击穿电发射极间的反向击穿电压压压压.U U(BR)CBO(BR)CBO U U(BR)CEO(BR)CEO U U(BR)EBO(BR)EBO一般
34、有一般有一般有一般有l l集电极最大允许电流集电极最大允许电流集电极最大允许电流集电极最大允许电流I ICMCM45l l 集电极最大允许功率损耗集电极最大允许功率损耗集电极最大允许功率损耗集电极最大允许功率损耗PCMPCMPCM=ICVCE 1.3.6 温度对三极管的主要参数的影响温度对三极管的主要参数的影响一般讲温度对所有参数都有影响，但影响最显著的有一般讲温度对所有参数都有影响，但影响最显著的有一般讲温度对所有参数都有影响，但影响最显著的有一般讲温度对所有参数都有影响，但影响最显著的有I ICBOCBO、U UBEBE 。l l温度对温度对温度对温度对U UBEBE的影响的影响的影响的影响l l温度对温度对温度对温度对I ICBOCBO的影响的影响的影响的影响T T(10(10C C)I I CBO CBO（约一倍）（约一倍）（约一倍）（约一倍）T T (1(1C C)U U BEBE (约约约约2-2.5mV2-2.5mV）l l温度对温度对温度对温度对 的影响的影响的影响的影响T (1C)(约约 0.5-1%)
