有研半导体

1、上节课回顾：上节课回顾： 半导体激光器的制备流程；半导体激光器的制备流程； 1 1 半导体激光器的结构要求半导体激光器的结构要求 n n 机械稳定性；机械稳定性； n n 电连接；电连接； n n 散热问题；散热问题； 以50%电光转换效率计算，一个典型的中等功率50W/bar， 腔长为1mm，热流密度为500W/cm2，电流密度1000A/cm2 以每个发光单元2W，有源区尺寸 1um100。

2、下一页总目录 章目录返回上一页 第第1414章章 半导体二极管和三极管半导体二极管和三极管 14.14.3 3 半导体二极管半导体二极管 14.14.4 4 稳压二极管稳压二极管 14.14.5 5 半导体三极管半导体三极管 14.14.2 2 PNPN结结 14.14.1 1 半导体的导电特性半导体的导电特性 下一页总目录 章目录返回上一页 第第1414章章 半导体二极管和三极管半导体二极管和。

3、. 第二章 半导体三极管及其基本电路 一、 填空题 1、(2-1，中)当半导体三极管的 正向偏置， 反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即 极电流能控制 极电流。 2、(2-1，低)根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为 ， ， 三种。 3、(2-1，低)三极管的特性曲线主要有 曲线和 曲线两种。

4、下一页总目录 章目录返回上一页 第第1 1章章 二极管和三极管二极管和三极管 1.3 1.3 二极管二极管 1.4 1.4 稳压二极管稳压二极管 1.5 1.5 三极管三极管 1.2 PN1.2 PN结及其单向导电性结及其单向导电性 1.1 1.1 半导体的导电特性半导体的导电特性 下一页总目录 章目录返回上一页 第第1 1章章 二极管和三极管二极管和三极管 本章要求：本章要求： 一、理解一、。

5、第七章 半体存器和可程 器件 7.1 半导体存储器 7.2 可编程逻辑器件PLD 7.1 半导体存储器 半导体存储器可用来存储大量的二进制信息和数据。 按集成度划分，它属于大规模集成电路。 另一类功能特殊的大规模集成电路，是20世纪70年代 后期发展起来的可编程逻辑器PLD。 本章所讲的“半导体存储器” ，它存储数据的方式， 和其他时序电路不同。 半导体存储。

6、1.3 场效应晶体三极管(“FET”) P45 1.3.1 绝缘栅场效应管(“IGFET”) FET分: 1. IGFET 1.NMOS 增强型 ( 6 种管子) (又称“MOSFET”) 耗尽型 2.PMOS 增强型 耗尽型 2. JFET 。

7、Semiconductor Transistor 1.4 双极型晶体管(晶体三极管 或晶体管) 1.4.1双极型晶体管的结构 P19 分: Si管 NPN ( 4 种管子) PNP Ge管 NPN PNP c b e c b e c b e 。

8、模拟电子技术基础 引言 “电子技术”开设两门课 “模拟电子技术 ” “数字电子技术” 教材与参考书见P629 要求： 内容（目录） 作业、考试 课程地位发展与应用 （研究电子器件及其应 用的一门学科。或基于 半导体器件。） 两门课的区别： 消息 信息信号电信号 模拟电信号模拟电路模拟系统 如TV 数字电信。

9、亚太四大 半导体市场的崛起 四大巨头，领航亚太 复苏之路，未来可期 多极市场，方兴未艾 弹性应对，关键所在 降低依赖，独立自主 体量庞大，不容忽视 1 6 13 16 18 24 目录 1 亚太四大半导体市场的崛起|四大巨头，领航亚太 2 四大巨头，领航亚太 在政府支持、巨大市场体量以及研发投 入增加等众多因素的推动下，中国大 陆、日本、韩国和中国台湾，占据全球 半导体总收入前六大国家/地区。

10、2009中科院半导体物理硕士入学考试大纲 中科院研究生院硕士研究生入学考试半导体物理考试大纲 本半导体物理考试大纲适用于中国科学院研究生院微电子学与固体电子学专业的硕士研究生入学考试。半导体物理学是现代微电子学与固体电子学的重要基础理论课程，它的主要内容包括半导体的晶格结构和电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布；载流子的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；半导体。

11、1、选十二生肖中的两种动物写句子。2、句子百花园。1.仿照例句的句式所用的修辞手法，仍以“她”为开头写两个句子。春姑娘迈着轻盈的步履款款前进。她携着神奇的小花篮，把五彩的鲜花撒向山坡,撒向田野；她 ；她
。

12、半导体中热平衡载流子的统计 分布 引言： 热平衡和热平衡载流子：在一定温度下 ，如果没有其它外界作用半导体中的导 电电子和空穴是依靠电子的热激发作用 而产生的，电子从不断热震动的晶格中 获得一定的能量，就可能从低能量的量 子态跃迁到高能量的量子态，例如，电 子从价带跃迁到导带（这就是本征激发 ），形成导电电子和价带空穴。 电子和空穴也可以通过杂质电离方式产 生，当电子从施主能级跃。

13、5.31 0.35 -99.94 短期借款 3,471,231,198.01 25.20 2,923,798,849.24 14.83 18.72 应付账款 899,247,212.07 6.53 682,275,058.12 3.46 31.80 预收款项 24,069,321.92 0.17 13,385,644.84 0.07 79.81 应付职工薪 酬 24,583,127.14 0.18 33,226,940.07 0.17 -26.01 应交税费 1,047,326.66 0.01 10,234,161.92 0.05 -89.77 应付利息 52,782,272.61 0.38 58,595,449.08 0.3 -9.92 其他应付款 410,698,539.99 2.98 24,320,411.32 0.12 1,588.70 一年内到期 的非流动负 债 3,061,374,920.97 22.23 2,016,844,904.03 10.23 51.79 长期借款 5,748。

14、宁波维科精华集团股份有限公司 2 0 0 0 年年度报告 宁波维科精华集团股份有限公司2 0 0 0 年年度报告 重要提示 本公司董事会保证本报告所载资料不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重要遗漏，并对其内容的真实性、 准确性和完整性负个别及连带责任。公司年度财务会计报告已经深圳天健信德会计师事务所审计并出具无保留意 见的审计报告。 一、公司简介 （一）公司法定中文名称：宁波维科精华集团股份有限公司 公司法定英文名称：N I N G B O V E K E N E L I T E G R O U P C O . , L T D 英文名称缩写：V E K E N E L I T E （二）公司法。

15、的基本 每股收益（元股） -0.32 -0.06 不适用 0.01 加权平均净资产收益率（%） 0.78 5.61 减少 4.83 个百 分点 10.11 扣除非经常性损益后的加权 平均净资产收益率（%） -25.49 -4.97 不适用 0.58 二、二、 非经常性损益项目和金额非经常性损益项目和金额 单位：元 币种：人民币 非经常性损益项目 2012 年金额 2011 年金额 2010 年金额 非流动资产处置损益 39,993,948.33 9,022,835.02 -9,851.67 计入当期损益的政府补 助，但与公司正常经营 业务密切相关，符合国 家政策规定、按照一定 标准定额或定量持续享 受的政府补助除外 81,535,450.。