1、或者服务，其适用的政府采购方式应该为竞争性谈判方式。28.下列有关有限合伙企业设立条件的表述中，不符合合伙企业法规定的是()。A有限合伙企业至少应当有一个普通合伙人B有限合伙企业中的合伙人一律不得以劳务作为出资C有限合伙人可以用知识产权作价出资D有限合伙企业登记事项中应载明有限合伙人的姓名或名称答案B解析本题考核有限合伙企业的设立。根据规定，有限合伙企业中的普通合伙人可以劳务作为出资。（2013年教材P117-118）29.甲、乙、丙、丁拟设立一普通合伙企业，四人签订的合伙协议的下列条款中，不符合合伙企业法律制度规定的是()。A甲、乙、丙、丁的出资比例为4：3：2：1B合伙企业事务委托甲、乙两
2、人执行C乙、丙只以其各自的出资额为限对企业债务承担责任D对合伙企业事项作出决议实行全体合伙人一致通过的表决办法答案C解析本题考核普通合伙企业的相关规定。根据规定，普通合伙企业由普通合伙人组成，合伙人对合伙企业债务承担无限连带责任。（2013年教材P99-100）30.下列关于“营改增”试点地区增值税税率的描述中，错误的是()。A提供有形动产租赁服务，税率为17%B提供交通运输业服务，税率为11%C提供文化创意服务，税率为6%D小规模纳税人提供应税服务，税率为3%答案D解析本题考核“营改增”的税率。小规模纳税人提供应税服务，“征收率”为3%。（2013年教材P361）31.下列货物适用13%税率
3、征收增值税的是()。A销售农机零配件B纳税人出口蔬菜C一般纳税人销售自产的建筑用的石料D销售电子出版物答案D解析本题考核增值税的税率。选项A，销售农机适用低税率，零配件是法定税率17%；选项B，纳税人出口货物免税；选项C，一般纳税人销售自产的建筑用的石料，适用简易办法6%征收增值税。（2013年教材P331-334）32.下列各项中，准予在企业所得税税前扣除的是()。A增值税B税收滞纳金C赞助支出D销售成本答案D解析本题考核企业所得税准予扣除项目和不得扣除项目。增值税是价外税，故不在扣除之列。税收滞纳金和赞助支出，属于税前不得扣除项目。（2013年教材P389、392）33.有关事业单位国有资
4、产管理体制规定的表述，下列各项中，不正确的是()。A各级政府财政部门是政府负责事业单位国有资产管理的职能部门，对事业单位的国有资产实施综合管理B国务院国有资产监督管理委员会和地方各级政府国有资产监督管理机构，是国务院和地方各级政府负责事业单位国有资产管理的职能部门，对事业单位的国有资产实施综合管理C事业单位的主管部门负责对本部门所属事业单位的国有资产实施监督管理D事业单位负责对本单位占有、使用的国有资产实施具体管理答案B解析本题考核事业单位国有资产管理体制。国务院国有资产监督管理机构，根据国务院的授权，代表国务院对国家出资企业履行出资人职责，是“履行出资人职责的机构”。根据现有法规、规章的规定
5、，事业单位国有资产的监督管理，不在国务院国有资产监督管理机构的职责范围，因此B不正确。（2013年教材P434、P441）34.采购人或集中采购机构应在中标或成交通知书发出之日起的一定时间内，按照采购文件确定的事项签订政府采购合同。这个期间是()。A20天B45天C60天D30天答案D解析本题考核签订政府采购合同的期限。根据规定，采购人或集中采购机构应在中标或成交通知书发出之日起30日内，按照采购文件确定的事项签订政府采购合同。（2013年教材P491）35.某有限责任公司召开股东会，决议增加公司的注册资本，该决议的通过方式是()。A经出席会议的全体股东一致同意B经出席会议的2/3股东一致同意
6、C经代表2/3以上表决权的股东表决同意D经代表1/2以上表决权的股东表决同意答案C解析本题考核有限责任公司的特别决议事项。依据公司法的规定，股东会对公司增加或者减少注册资本、公司的合并和分立、公司解散、变更公司形式或者修改公司章程等事项作出决议，必须经代表2/3以上表决权的股东通过。（2013年教材P49）36.甲公司2009年5月14日获得一项外观设计专利，乙公司未经许可，以生产经营目的制造该专利产品。丙公司未经甲公司许可，以生产经营目的所为的下列行为中，不构成侵权行为的是()。A使用乙公司制造的该专利产品B销售乙公司制造的该专利产品C进口乙公司制造的该专利产品D许诺销售乙公司制造的该专利产
7、品答案A解析本题考核不视为侵犯专利权的行为。根据规定，外观设计专利权被授予后，任何单位或者个人未经专利权人许可，都不得实施其专利，即不得为生产经营目的制造、许诺销售、销售、进口其外观设计专利产品。因此，丙公司未经甲公司许可，以生产经营目的使用乙公司制造的该专利产品，不构成侵权行为。（2013年教材P471）37.某中外合资经营企业董事会有9名董事，出席董事会会议的董事人数符合法定要求的是（www.TopS）。A3名B4名C5名D7名答案D解析本题考核中外合资经营企业出席董事会会议的人数。根据中外合资经营企业法及其实施条例的规定，董事会会议应有2/3以上董事出席方可举行。所以本题中董事有9人，2
8、/3也就是至少有6人出席方可举行，所以本题D选项有7人出席是符合规定的。（2013年教材P137）38.甲普通合伙企业中，全体合伙人约定：对合伙企业对外签订合同作出决议，实行合伙人一人一票，并且应当经全体合伙人的2/3以上通过。2008年12月12日合伙人对签订某个合同进行表决，如下符合合伙企业法规定的表决办法是（www.TopS）。A实行合伙人一人一票并经全体合伙人半数以上通过B实行合伙人一人一票并经全体合伙人过半数通过C实行合伙人一人一票并经全体合伙人2/3以上通过D实行合伙人一人一票并经其他合伙人过半数通过答案C解析本题考核普通合伙企业表决的规定。根据规定，合伙人对合伙企业有关事项作出决
9、议，按照合伙协议约定的表决办法办理。合伙协议未约定或者约定不明确的，实行合伙人一人一票并经全体合伙人过半数通过的表决办法。（2013年教材P106）39.根据公司法的规定，有限责任公司下列人员中，可以提议召开股东会临时会议的是（www.TopS）。A总经理B过半数的股东C监事会主席D半数的董事答案D解析本题考核点是有限责任公司股东会会议规则。代表1/10以上表决权的股东，1/3以上的董事，监事会或者不设监事会的公司的监事提议召开临时会议的，应当召开临时会议。（2013年教材P48）40.甲向乙购买商品，价值15万元，约定提货后两个月付款，同时约定由丙做保证人。在还款期届满之前，乙租用了甲的房屋
10、，约定租金5万元在所欠货款中扣除，并将原合同中的15万元欠款修改为10万元，但没有通知丙。若甲到期不能还款，下列表述正确的是（www.TopS）。A由丙承担10万元的保证责任B丙仍然承担15万元的保证责任C由丙承担5万元的保证责任D乙不能要求丙承担保证责任，因为甲乙变更主合同时，没有征得丙的书面同意答案A解析本题考核保证人的保证责任。保证期间，债权人与债务人对主合同数量、价款、币种、利率等内容作了变动，未经保证人同意的，如果减轻债务人的债务的，保证人仍应当对变更后的合同承担保证责任。（2013年教材P270）41.甲公司出卖一批钢材给乙公司，合同订立的日期是2010年3月1日，并在合同中注明钢
11、材的所有权在乙公司付清货款时才转移。乙公司在2010年4月5日支付了第一笔货款，甲公司按照合同规定在4月10日将钢材运到乙公司，乙公司检验并接受了钢材，5月10日付清余款。该钢材所有权的转移时间是（www.TopS）。A2010年3月1日B2010年4月5月C2010年4月10日D2010年5月10日答案D解析本题考核点是买卖合同所有权的转移。动产标的物的所有权自标的物交付时起转移。当事人可以在买卖合同中约定，买受人未履行支付价款或者其他义务时，标的物的所有权属于出卖人。（2013年教材P293）42.甲公司于2012年1月10日已在Y国申请某品牌商标注册，并准备就该商标在我国申请注册。假设Y
12、国与我国签订了互相承认优先权的协议，根据商标法的规定，甲公司应在（www.TopS）以前向我国商标局提出，否则丧失优先权。A2012年3月10日B2012年6月10日C2012年7月10日D2013年1月10日答案C解析本题考核丧失优先权的规定。商标注册申请人自其商标在外国第一次提出商标注册申请之日起“6个月内”，又在中国就相同商品以同一商标提出商标注册申请的，依照该外国同中国签订的协议或者共同参见的国际第一部分：功率电子器件 第一部分：功率电子器件 第一节：功率电子器件及其应用要求 第一节：功率电子器件及其应用要求 功率电子器件大量被应用于电源、伺服驱动、变频器、电机保护器等功率电子设备。
13、这些设备都是自动化系统中必不可少的，因此，我们了解它们是必要的。 近年来，随着应用日益高速发展的需求，推动了功率电子器件的制造工艺的研究和 发展，功率电子器件有了飞跃性的进步。器件的类型朝多元化发展，性能也越来越改善。 大致来讲，功率器件的发展，体现在如下方面： 1 器件能够快速恢复，以满足越来越高的速度需要。以开关电源为例，采用双极型 晶体管时，速度可以到几十千赫；使用 MOSFET 和 IGBT，可以到几百千赫；而采用 了谐振技术的开关电源，则可以达到兆赫以上。 2 通态压降（正向压降）降低。这可以减少器件损耗，有利于提高速度，减小器件 体积。 3 电流控制能力增大。电流能力的增大和速度的
14、提高是一对矛盾，目前最大电流控 制能力，特别是在电力设备方面，还没有器件能完全替代可控硅。 4 额定电压：耐压高。耐压和电流都是体现驱动能力的重要参数，特别对电力系统， 这显得非常重要。 5 温度与功耗。这是一个综合性的参数，它制约了电流能力、开关速度等能力的提 高。目前有两个方向解决这个问题，一是继续提高功率器件的品质，二是改进控 制技术来降低器件功耗，比如谐振式开关电源。 总体来讲，从耐压、电流能力看，可控硅目前仍然是最高的，在某些特定场合，仍 然要使用大电流、高耐压的可控硅。但一般的工业自动化场合，功率电子器件已越来越 多地使用 MOSFET 和 IGBT，特别是 IGBT 获得了更多的
15、使用，开始全面取代可控硅来做为 新型的功率控制器件。 第二节：功率电子器件概览 第二节：功率电子器件概览 一 整流二极管： 二极管是功率电子系统中不可或缺的器件，用于整流、续流等。目前比较多地使用 如下三种选择： 1 高效快速恢复二极管。压降 0.8-1.2V，适合小功率，12V 左右电源。 2 高效超快速二极管。0.8-1.2V，适合小功率，12V 左右电源。 3 肖特基势垒整流二极管SBD。0.4V，适合 5V等低压电源。缺点是其电阻和耐压 的平方成正比，所以耐压低（200V以下），反向漏电流较大，易热击穿。但速度 比较快，通态压降低。 目前 SBD 的研究前沿，已经超过 1 万伏。 二大
16、功率晶体管GTR 分为： 单管形式。电流系数：10-30。 双管形式达林顿管。电流倍数： 100-1000。饱和压降大，速度慢。下图虚线部 分即是达林顿管。 图 1-1：达林顿管应用 1 实际比较常用的是达林顿模块，它把 GTR、续流二极管、辅助电路做到 一个模块内。 在较早期的功率电子设备中， 比较多地使用了这种器件。 图 1-2 是这种器件的内部典型结构。 图 1-2：达林顿模块电路典型结构 两个二极管左侧是加速二极管，右侧为续流二极管。加速二极管的原理是引进了电 流串联正反馈，达到加速的目的。 这种器件的制造水平是 1800V/800A/2KHz、600V/3A/100KHz 左右（参考
17、）。 三 可控硅 SCR 可控硅在大电流、高耐压场合还是必须的，但在常规工业控制的低压、中小电流控 制中，已逐步被新型器件取代。 目前的研制水平在 12KV/8000A 左右（参考）。 由于可控硅换流电路复杂， 逐步开发了门极关断晶闸管GTO。 制造水平达到 8KV/8KA， 频率为 1KHz左右。 无论是 SCR 还是 GTO，控制电路都过于复杂，特别是需要庞大的吸收电路。而且， 速度低，因此限制了它的应用范围拓宽。 集成门极换流晶闸管IGCT和MOS关断晶闸管之类的器件在控制门极前使用了MOS栅， 从而达到硬关断能力。 四 功率 MOSFET 又叫功率场效应管或者功率场控晶体管。 其特点是
18、驱动功率小，速度高，安全工作区宽。但高压时，导通电阻与电压的平方 成正比，因而提高耐压和降低高压阻抗困难。 适合低压 100V 以下，是比较理想的器件。 目前的研制水平在 1000V/65A 左右（参考）。商业化的产品达到 60V/200A/2MHz、 500V/50A/100KHz。是目前速度最快的功率器件。 五 IGBT 又叫绝缘栅双极型晶体管。 这种器件的特点是集 MOSFET 与 GTR 的优点于一身。输入阻抗高，速度快，热稳定性 好。通态电压低，耐压高，电流大。 目前这种器件的两个方向：一是朝大功率，二是朝高速度发展。大功率 IGBT 模块达 到 1200-1800A/1800-33
19、00V 的水平（参考）。速度在中等电压区域（370-600V），可达 到 150-180KHz。 它的电流密度比 MOSFET 大，芯片面积只有 MOSFET 的 40%。但速度比 MOSFET 低。 尽管电力电子器件发展过程远比我们现在描述的复杂，但是 MOSFET 和 IGBT，特别 是 IGBT 已经成为现代功率电子器件的主流。因此，我们下面的重点也是这两种器件。 第三节：功率场效应管 MOSFET 第三节：功率场效应管 MOSFET 功率场效应管又叫功率场控晶体管。 2 一原理： 半导体结构分析略。本讲义附加了相关资料，供感兴趣的同事可以查阅。 实际上，功率场效应管也分结型、绝缘栅型。
20、但通常指后者中的 MOS 管，即 MOSFET （Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。 它又分为 N 沟道、P 沟道两种。器件符号如下： N 沟道 P 沟道 图 1-3：MOSFET 的图形符号 MOS 器件的电极分别为栅极 G、漏极 D、源极 S。 和普通 MOS 管一样，它也有： 耗尽型：栅极电压为零时，即存在导电沟道。无论VGS正负都起控制作用。 增强型：需要正偏置栅极电压，才生成导电沟道。达到饱和前，VGS正偏越大，IDS越 大。 一般使用的功率MOSFET多数是N沟道增强型。而且不同于一般小功率MOS管的横向导 电结构
21、，使用了垂直导电结构，从而提高了耐压、电流能力，因此又叫VMOSFET。 二特点： 这种器件的特点是输入绝缘电阻大（1 万兆欧以上），栅极电流基本为零。 驱动功率小，速度高，安全工作区宽。但高压时，导通电阻与电压的平方成正比， 因而提高耐压和降低高压阻抗困难。 适合低压 100V 以下，是比较理想的器件。 目前的研制水平在 1000V/65A 左右（参考）。 其速度可以达到几百 KHz，使用谐振技术可以达到兆级。 三参数与器件特性： 无载流子注入，速度取决于器件的电容充放电时间，与工作温度关系不大，故热稳 定性好。 （1） 转移特性： ID随UGS变化的曲线，成为转移特性。从下图可以看到，随着
22、UGS的上升，跨导将越来越 高。 ID UGS 图 1-4：MOSFET 的转移特性 3 （2） 输出特性（漏极特性）： 输出特性反应了漏极电流随VDS变化的规律。 这个特性和VGS又有关联。下图反映了这种规律。 图中，爬坡段是非饱和区，水平段为饱和区，靠近横轴附近为截止区， 这点和GTR有区别。 ID VDS VGS 图 1-5：MOSFET 的输出特性 VGS=0 时的饱和电流称为饱和漏电流IDSS。 （3）通态电阻 Ron： 通态电阻是器件的一个重要参数，决定了电路输出电压幅度和损耗。 该参数随温度上升线性增加。而且VGS增加，通态电阻减小。 （4）跨导： MOSFET 的增益特性称为跨
23、导。定义为： Gfs=ID/VGS 显然，这个数值越大越好，它反映了管子的栅极控制能力。 （5）栅极阈值电压 栅极阈值电压VGS是指开始有规定的漏极电流（1mA）时的最低栅极电压。 它具有负温度系数，结温每增加 45 度，阈值电压下降 10%。 （6）电容 MOSFET 的一个明显特点是三个极间存在比较明显的寄生电容， 这些电容 对开关速度有一定影响。偏置电压高时，电容效应也加大，因此对高压电子 系统会有一定影响。 有些资料给出栅极电荷特性图，可以用于估算电容的影响。以栅源极为 例，其特性如下： 可以看到：器件开通延迟时间内，电 荷积聚较慢。随着电压增加，电荷快速上 升，对应着管子开通时间。最
24、后，当电压 增加到一定程度后，电荷增加再次变慢， 此时管子已经导通。 VGS QG 4 图 1-6：栅极电荷特性 （8）正向偏置安全工作区及主要参数 MOSFET 和双极型晶体管一样，也有它的安全工作区。不同的是，它的安 全工作区是由四根线围成的。 最大漏极电流IDM：这个参数反应了器件的电流驱动能力。 最大漏源极电压VDSM：它由器件的反向击穿电压决定。 最大漏极功耗PDM：它由管子允许的温升决定。 漏源通态电阻Ron：这是MOSFET必须考虑的一个参数，通态电阻过高， 会影响输出效率，增加损耗。所以，要根据使用要求加以限制。 图 1-7：正向偏置安全工作区 ID VDS VDSM IDM
25、PCM RON 第四节：绝缘栅双极晶体管 IGBT 第四节：绝缘栅双极晶体管 IGBT 又叫绝缘栅双极型晶体管。 一原理： 半导体结构分析略。 本讲义附加了相关资料， 供感兴趣的同事可以查阅。 该器件符号如下： C C E G G E N 沟道 P 沟道 图 1-8：IGBT 的图形符号 注意，它的三个电极分别为门极 G、集电极 C、发射极 E。 5 图 1-9：IGBT 的等效电路图。 上面给出了该器件的等效电路图。实际上，它相当于把 MOS 管和达林顿晶体管做到 了一起。因而同时具备了 MOS 管、GTR 的优点。 二特点： 这种器件的特点是集 MOSFET 与 GTR 搁氀耀O槶媀搁氀耀
26、O槶媁搁氀耀O槶媂搁氀耀O槶婛搁耀O槶婜搁耀O槶婝搁耀O槶婞搁耀O槶婟搁耀O槶婠搁耀O槶婡搁耀O槶婢搁耀O槶婣搁耀O槶婤搁耀O槶婥搁耀O槶婦搁耀O槶婧搁耀O槶婨搁耀O槶婩搁耀O槶婪搁耀O槶婫搁耀O槶婬搁耀O槶婭搁耀O槶婮搁耀O槶婇搁耀O槶婈搁耀O槶婉搁耀O槶婊搁耀O槶婋搁耀O槶婌搁耀O槶婍搁耀O槶婎搁耀O槶婏搁耀O槶婐搁耀O槶婑搁耀O槶婒搁耀O槶婓搁耀O槶婔搁耀O槶婕搁耀O槶婖搁耀O槶婗搁耀O槶婘搁耀O槶婙搁耀O槶婚搁耀O槶娲搁倀耀O槶娳搁倀耀O槶娴搁倀耀O槶娵搁倀耀O槶娶搁倀耀O槶娷搁倀耀O槶娸搁倀耀O槶娹搁倀耀O槶娺搁倀耀O槶娻搁倀耀O槶娼搁倀耀O槶娽搁倀耀O槶娾搁倀耀O槶娿搁倀耀O槶婀搁
27、倀耀O槶婂搁倀耀O槶婃搁倀耀O槶婄搁簀耀O槶婅搁簀耀O槶婆搁簀耀搁耀O槶婍搁耀O槶婎搁耀O槶婏搁耀O槶婐搁耀O槶婑搁耀O槶婒搁耀O槶婓搁耀O槶婔搁耀O槶婕搁耀O槶婖搁耀O槶婗搁耀O槶婘搁耀O槶婙搁耀O槶婚搁耀O槶娲搁倀耀O槶娳搁倀耀O槶娴搁倀耀O槶娵搁倀耀O槶娶搁倀耀耀玃耀舀(S饌博或者服务，其适用的政府采购方式应该为竞争性谈判方式。28.下列有关有限合伙企业设立条件的表述中，不符合合伙企业法规定的是()。A有限合伙企业至少应当有一个普通合伙人B有限合伙企业中的合伙人一律不得以劳务作为出资C有限合伙人可以用知识产权作价出资D有限合伙企业登记事项中应载明有限合伙人的姓名或名称答案B解析本题考核有
28、限合伙企业的设立。根据规定，有限合伙企业中的普通合伙人可以劳务作为出资。（2013年教材P117-118）29.甲、乙、丙、丁拟设立一普通合伙企业，四人签订的合伙协议的下列条款中，不符合合伙企业法律制度规定的是()。A甲、乙、丙、丁的出资比例为4：ELSAP-L 显示画面 MELSAP-L 中的步及转移条件内的记述格式如下所示。 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 步内不能记述相当于触点的指令。 GX Developer 中 MELSAP-L 对应的可编程控制器类型如下所示。 基本型 QCPU 高性能型 QCPU 过程 CPU 工程的可编程控制器类型为 ACPU、Q
29、nACPU、QCPU-A、FXCPU、运动控制器时， MELSAP-L 不能选择。 变更为 QCPU 以外的可编程控制器类型时，将变为 MELSAP-或者 MELSAP3 格式。 冗余 CPU 1.1 特点 本节介绍 MELSAP-L 的特点。 (1) 可以在同一个画面中监视动作顺序及软元件的 ON/OFF 通过 SFC 图的自动滚动监视，在监视时可以容易地把握各步的动作顺序及结构。 此外，由于在 SFC 图上直接记述程序(命令)，可以在同一个画面中监视多个动作 输出、转移条件的触点及线圈的 ON/OFF。 (2) 高操作性的编辑功能 通过功能键、工具按钮、菜单栏等多种方法，可以进行编程及剪切
30、复制粘贴 编辑。 也可以对其它工程、程序、块进行 SFC 图的编辑。 (只有在 MELSAP-L 程序之间才可以进行剪切复制粘贴。) (3) 可以根据状况切换显示格式 可以通过 GX Developer 的显示菜单将 MELSAP-L 格式的程序切换为 MELSAP3 格式 的显示。 以梯形图显示转移条件及动作输出时，以 MELSAP3 格式显示。 1 2 - 1 2 - 1 MELSOFT 2 MELSAP-L 格式程序 2.MELSAP-L 格式程序 本章介绍 MELSAP-L 格式的 SFC 程序。 2.1 MELSAP-L 格式 SFC 图 MELSAP-L 格式的 SFC 程序将设备
31、的一系列动作中的各动作以步为单位表示，对各步设 置实际控制触点、线圈等命令。 在 MELSAP3 中，将动作顺序以 SFC 图表示，将各个步或者转移条件以表示详细控制的 Zoom 图进行分割表示。在 MELSAP-L 中，在 SFC 图上直接记述及显示控制命令。 MELSAP-L MELSAP-3 仅 SFC 图 分割为 SFC 图及 Zoom 图(梯形图) MELSAP-L 是在 SFC 图中不显示注解、软元件注释以及至动作输出的触点(相当于触点的 命令)的简易显示格式。 可以进行软元件注释设置。 将包含有以 MELSAP3 格式编辑的注解、至动作输出的触点(相当于触点的命令)的 SFC 程
32、 序以 MELSAP-L 格式显示时，将显示为“?”。 关于“?”的显示，请参阅 2.4 节。 2 2 - 2 2 - 2 MELSOFT 2 MELSAP-L 格式程序 2.2 动作输出命令 (1) MELSAP-L 格式命令 在 MELSAP-L 中，按以下格式记述动作输出命令。 命令 MELSAP-L 格式示例列表格式示例 梯形图符号示例 输出(o) oY70 OUT Y70 ? 高速定时器(h) hT0 K100 OUTH T0 K100 ? ? 设置(s) sM100 SET M100 ? 复位(r) rM200 RST M200 ? 除上述(o、h、s、r)以外的 命令与列表格式相
33、同 MOV K100 D0 MOV K100 D0 ? 同一个步内多个动作输出并列时用“，”分开。 MELSAP-L 格式 梯形图 oY70、sM100、MOV K100、D0 ? ? ? (2) 不能在动作输出中记述的命令 在 MELSAP-L 中不能输入到动作输出中的命令如下所示。 NOP MPS、MRD、MPP 触点命令 比较运算命令(、等) 有关详细内容请参阅 QCPU(Q 模式)编程手册(MELSAP-L 篇)。 (3) 记述动作输出时的注意事项 对于不需要执行条件的命令(DI、EI 等)由于不进行各动作输出，应记述在最 后。 例: oY70、MOV D0 D100、DI 正确 DI
34、、oY70、MOV D0 D100 错误 1 个动作输出中最多可以记述 24 个命令。 2 2 - 3 2 - 3 MELSOFT 2 MELSAP-L 格式程序 2.3 转移条件命令 (1) MELSAP-L 格式命令 MELSAP-L 按以下格式记述转移条件。 命令 MELSAP-L 格式示例列表格式示例 梯形图符号示例 常开触点(a) aX0 LD X0 ? 常闭触点(b) bX10 LDI X10 ? 上升沿触点(p) pM100 LDP M100 ? 下降沿触点(f) fM200 LDF M200 ? 比较运算命令*(、等)= D0 K100 LD = D0 K100 ? : 关于比
35、较运算命令请参阅 QCPU(Q 模式)/QnACPU 编程手册(公共指令篇)。 将触点命令进行串联(AND)接连时用“&”分开。 将触点命令进行并联(OR)连接时用“”分开。 MELSAP-L 格式 梯形图 aX0 & aX10 ? aX0 | aX10 ? ? 2 - 4 2 - 4 MELSOFT 2 MELSAP-L 格式程序 “&”及“”均存在时，“&”优先。 优先顺序高时使用“( )”。 MELSAP-L 格式 梯形图 aX0 | aM0 & aX1 ? ? ? (aX0 | aM0) & aX1 ? ? aX0 & aX1 | aM0 & aM1 ? ? ? ? aX0 & (aX
36、1 | aM0) & aM1 ? ? ? (2) 不能在转移条件中记述的命令 除触点以及比较运算命令以外 2 - 5 2 - 5 MELSOFT 2 MELSAP-L 格式程序 2.4 编程注意事项 本节介绍在 MELSAP-L 中创建 SFC 程序时的注意事项。 (1) 在 MELSAP-L 中创建程序时 (a) 除 QCPU(Q 模式)以外的可编程控制器类型不支持 MELSAP-L 格式。 (b) 可以对各程序选择梯形图、MELSAP3、MELSAP-L 的种类。 但是，在 SFC 程序的块单位中不能指定 MELSAP3、MELSAP-L。 (c) 可编程控制器 CPU 中存在多个 SFC 程序(MELSAP-L 格式以及 MELSAP3 格式) 时，只能执行 1 个程序。(除执行管理 SFC 程序以外) 写入了多个 SFC 程序时，应在可编程控制器参数的程序设置中将除 1 个以外 的其它程序设置为待机程序。 (d) 动作输出中不能输入触点以及相当于触点的命令。 (e) 1
